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公开(公告)号：CN118307585A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410197479.6
申请日：2024-02-22
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司 , 大连理工大学
IPC分类号： C07F9/00
摘要： 本发明公开一种高纯度五(二甲氨基)钽产品及其制备方法；首先在无水、无氧、无尘条件下，‑30～10℃中五氯化钽与二甲胺进行络合反应，然后通过氢锂交换反应生成二甲氨基锂。升高温度后，二甲氨基锂与五氯化钽发生亲核反应。经过离心、浓缩、脱溶剂、真空升华等步骤得到五(二甲氨基)钽产品，纯度高达99.99995％，金属离子含量不超过0.5ppm，收率大于40％。该方法反应时间短，后处理简单，具有良好的工业化前景，能满足实际应用的需求，尤其在对金属离子含量有严格要求的领域具有重要价值。
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公开(公告)号：CN118307599A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410196417.3
申请日：2024-02-22
申请人： 大连理工大学 , 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： C07F15/06
摘要： 本发明公开一种(3,3‑二甲基‑1‑丁炔)六羰基二钴产品及其制备方法，通过优化反应条件和纯化步骤，实现无需使用催化剂、溶剂用量少、反应时间短、操作简便、纯化后产品纯度高。具体方法包括：在‑10～40℃、无水无氧无尘条件下，将八羰基二钴与3,3‑二甲基‑1‑丁炔在有机溶剂中反应，脱除有机溶剂，减压蒸馏得到粗产品，使用吸附剂处理粗产品，通过控制吸附剂的用量和吸附温度等参数，有效地去除了金属离子杂质，提高了产品的质量。制备获得的(3,3‑二甲基‑1‑丁炔)六羰基二钴产品纯度高达99.99999％，金属总离子含量不超过0.05ppm，可满足实际应用的需求，有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117986126A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410196416.9
申请日：2024-02-22
申请人： 大连理工大学 , 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： C07C209/00 , C07C211/65
摘要： 本发明提供一种四(甲乙氨基)铪产品及其制备方法；此方法是在特定无水、无氧、无尘条件下制备高纯度四(甲乙氨基)铪及去除金属离子的纯化方法；反应时间短、安全性好、产品收率高、后处理操作简单，能够有效地控制和去除产品质量要求最严格的金属离子含量，终产品中金属总离子含量不超过0.76ppm，纯度(≥99.99992％)，并且收率高(≥50％)，完全满足当下先进集成电路制造的需求；不仅解决了四(甲乙氨基)铪生产过程中提高纯度的关键问题，还极大地提升了其工业化生产的可行性和经济效益。这对于满足集成电路产业的快速发展需求至关重要，同时也为推动半导体产业的技术进步带来了重大的现实意义。
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公开(公告)号：CN118221718A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410320088.9
申请日：2024-03-20
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： C07F7/10
摘要： 本发明涉及电子特气领域，尤其涉及一种氨基硅烷的提纯方法，所述方法包括以下步骤：(S.1)提供一个精馏塔，所述精馏塔包括塔釜以及精馏柱，所述塔釜内部装载有吸附剂，所述精馏柱内部填充有吸附填料；所述吸附剂中包含有金属氧化物以及包含有羰基的阴离子聚合物；(S.2)将粗品氨基硅烷加入到塔釜内部，使得粗品氨基硅烷与塔釜中的吸附剂接触；(S.3)提升塔釜温度，使得氨基硅烷回流与精馏柱中的吸附填料接触，收集从精馏柱中流出的馏分，得到电子级氨基硅烷。本发明中的提纯方法采用了吸附剂和精馏的组合方式，通过吸附剂去除粗品氨基硅烷中的杂质，然后通过精馏进一步提纯。这种组合方式可以有效去除氨基硅烷中的杂质，提高纯度。
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公开(公告)号：CN117658762A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202410137106.X
申请日：2024-02-01
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及电子特气提纯领域，尤其涉及电子级乙炔气体提纯方法，所述方法包括将乙炔原料气通入到装载有吸附组合物的吸附罐中的一级吸附除杂步骤以及与分子筛吸附剂接触的二级吸附除杂步骤，经过二级吸附除杂后的乙炔气通过压缩机压入已经充装吸附溶剂的钢瓶内。本发明通过对乙炔气体的选择性溶解以及解吸，从而实现乙炔气体以及杂质气体之间的选择性分离。并且通过一级吸附除杂以及二级吸附除杂两个步骤的联用，有效实现高效的乙炔气体提纯和充装，从而有效提高生产效率。
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公开(公告)号：CN108246277B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201810235825.X
申请日：2018-03-21
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： B01J23/04 , C07C17/363 , C07C19/16
摘要： 本发明公开了一种高效合成三氟碘甲烷方法，将CF3COOH蒸汽和碘蒸气，在催化剂作用下，反应生成三氟碘甲烷；所述催化剂是以活性炭或石墨烯为载体负载1～10wt％KNO3和2～7wt％RbNO3的催化剂；然后依次通过NaOH溶液，硅胶和分子筛来有效去除CF3I中的杂质和水分，由此高效收集高纯度CF3I产品。此方法具有反应速率快、选择性好、产率高、反应物利用率高，节约能源，有望实现工业化生产，满足当前的市场需求。
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公开(公告)号：CN115350690B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211167206.4
申请日：2022-09-23
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： B01J20/22 , B01J20/20 , B01J20/14 , B01J20/10 , B01J20/08 , B01J20/06 , B01J20/04 , B01J20/30 , B01J20/32 , B01D53/02 , C01B35/06
摘要： 本发明涉及特种电子气体领域，尤其涉及电子级三氯化硼的提纯方法，其包括以下步骤：（S.1）将吸附组合物填充于吸附器中；（S.2）将吸附器抽负处理，除去吸附器中的空气，然后通入高纯三氯化硼气体；（S.3）向吸附器中通入三氯化硼原料气，使得三氯化硼原料气与所述吸附组合物接触，收集从吸附器中流出的气体，得到电子级三氯化硼气体。本发明能够有效将氯化氢杂质与三氯化硼之间形成的配位作用消除，从而提高了对于三氯化硼的吸附提纯效果，同时通过本发明中的吸附组合物能够对杂质气体起到优良的吸附效果，经过简单的吸附处理后的三氯化硼中杂质气体的浓度能够降低至ppb级别。
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公开(公告)号：CN115584482A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211324335.X
申请日：2022-10-27
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , B01J20/30 , B01J20/32
摘要： 本发明涉及电子前驱体纯化领域，尤其涉及钽源前驱体的纯化方法，包括以下步骤：（S.1）将吸附剂分散于不具有挥发性的惰性液体介质中，得到吸附浆料；（S.2）将粗品钽源前驱体溶于吸附浆料中，使得粗品钽源前驱体与吸附剂相接触，从而使得粗品钽源前驱体中的杂质被吸附剂所吸附；（S.3）提升吸附浆料的温度至钽源前驱体的蒸发温度，使得钽源前驱体蒸发，从而形成钽源前驱体蒸汽；（S.4）收集钽源前驱体蒸汽并将其冷凝，得到高纯钽源前驱体。本发明在钽源前驱体的纯化过程中通过改变对于钽源前驱体的纯化方式，简化了提纯步骤，有效提高了纯化效率以及纯化效，并且在提纯过程中还有效降低了钽源前驱体纯化过程中的能源消耗。
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公开(公告)号：CN114870804B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210652696.0
申请日：2022-06-10
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： B01J20/20 , B01J20/10 , B01J20/04 , B01J20/02 , B01J20/30 , B01J20/32 , B01D53/02 , C01B6/10
摘要： 本发明涉及电子特种气体提纯领域，尤其涉及一种杂质气体吸附剂及其制备方法和应用，所述杂质气体吸附剂，包括多孔二氧化硅骨架；所述多孔二氧化硅骨架表面负载有碱土金属的氧化物或氢氧化物以及过渡金属的化合物；还包括包覆在多孔二氧化硅骨架外部的碳层；所述碳层外部还物理负载有铵盐。本发明在多孔二氧化硅骨架上负载有碱土金属的氧化物或氢氧化物以及过渡金属化合物，能够对乙硼烷中的杂质气体通过物理以及化学的方式进行吸附，有效提升了乙硼烷的纯度，同时本发明中的杂质气体吸附剂的使用方法简单，同时经过简单的吸附处理后的乙硼烷中氧气的浓度能够达到ppb级别。
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公开(公告)号：CN115350690A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211167206.4
申请日：2022-09-23
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： B01J20/22 , B01J20/20 , B01J20/14 , B01J20/10 , B01J20/08 , B01J20/06 , B01J20/04 , B01J20/30 , B01J20/32 , B01D53/02 , C01B35/06
摘要： 本发明涉及特种电子气体领域，尤其涉及电子级三氯化硼的提纯方法，其包括以下步骤：（S.1）将吸附组合物填充于吸附器中；（S.2）将吸附器抽负处理，除去吸附器中的空气，然后通入高纯三氯化硼气体；（S.3）向吸附器中通入三氯化硼原料气，使得三氯化硼原料气与所述吸附组合物接触，收集从吸附器中流出的气体，得到电子级三氯化硼气体。本发明能够有效将氯化氢杂质与三氯化硼之间形成的配位作用消除，从而提高了对于三氯化硼的吸附提纯效果，同时通过本发明中的吸附组合物能够对杂质气体起到优良的吸附效果，经过简单的吸附处理后的三氯化硼中杂质气体的浓度能够降低至ppb级别。
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