公开(公告)号：CN1812081A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610000339.7

申请日：2006-01-06

Applicant: 太阳诱电株式会社

Inventor： 井上泰造 ,  北崎健三 ,  重谷寿士 ,  麦谷英儿

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/12

CPC classification number: H05K3/3436 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10992 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有柱状电极的半导体装置，所述柱状电极具有仅与柱状部的上表面接合的球状的低熔点层。当设各低熔点层(24)的体积为A、各柱状部(22)的上表面的面积为B时，通过调整低熔点层(24)的镀敷量和柱状部(22)的截面面积以满足A≤1.3×B1.5的关系，由此，当低熔点层(24)通过软熔形成球状时，可以防止该低熔点层(24)流淌到柱状部(22)的侧表面。

公开(公告)号：CN100423248C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200610000339.7

申请日：2006-01-06

Applicant: 太阳诱电株式会社

Inventor： 井上泰造 ,  北崎健三 ,  重谷寿士 ,  麦谷英儿

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/12

CPC classification number: H05K3/3436 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10992 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有柱状电极的半导体装置，所述柱状电极具有仅与柱状部的上表面接合的球状的低熔点层。当设各低熔点层(24)的体积为A、各柱状部(22)的上表面的面积为B时，通过调整低熔点层(24)的镀敷量和柱状部(22)的截面面积以满足A≤1.3×B1.5的关系，由此，当低熔点层(24)通过软熔形成球状时，可以防止该低熔点层(24)流淌到柱状部(22)的侧表面。