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1.

发明公开
半导体器件有权

公开(公告)号：CN109037184A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810790404.3

申请日：2014-07-23

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 今关洋辅 , 黑田壮司

IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/49

CPC分类号： H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/065 , H01L25/0657 , H01L2224/04042 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/0612 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48499 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/4917 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/4945 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83101 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01079 , H01L2224/4554

摘要： 本发明公开了一种可提高半导体器件的可靠性的技术。所述半导体器件包括具有形成于芯片装载面上的多个焊点(引脚)BF的布线基板3、搭载于布线基板3上的半导体芯片、以及分别具有球形部Bnd1及接合部Bnd2的多条引线BW。多个焊点BF具有分别与引线BWa的接合部Bnd2连接的焊点BF1、以及与引线BWb的球形部Bnd1连接的焊点BF2。另外，在俯视观察时，焊点BF2配置在与多个焊点BF1的配置列Bd1上不同的位置上，而且，焊点BF2的宽度W2比焊点BF1的宽度W1大。

2.

发明公开
半导体器件、制作其的方法和加强其中的管芯的方法无效

公开(公告)号：CN108461474A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810105995.6

申请日：2018-02-02

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： E.迈尔斯 , V.维瓦雷斯

IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48

CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/304 , H01L21/31053 , H01L21/32115 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/84 , H01L2224/03002 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/06181 , H01L2224/1146 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13193 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/16104 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/40227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48463 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/84801 , H01L2224/94 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/03

摘要： 本发明涉及半导体器件、制作其的方法和加强其中的管芯的方法。一种半导体器件可包括：管芯，所述管芯包括第一主面、第二主面和侧面，所述侧面连接第一主面和第二主面；至少一个传导柱，所述至少一个传导柱布置在所述管芯的第一主面上并且电耦合到所述管芯；以及绝缘体，所述绝缘体布置在所述管芯的第一主面上，所述绝缘体包括上主面和侧面，其中所述至少一个传导柱被暴露在所述绝缘体的上主面上，并且其中所述管芯的侧面和所述绝缘体的侧面是共面的。

3.

发明授权
半导体封装件及方法有权

公开(公告)号：CN104900597B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201410431660.5

申请日：2014-08-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 苏安治 , 陈宪伟

IPC分类号： H01L23/02 , H01L21/50

CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/568 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L23/562 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/69 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/1703 , H01L2224/73267 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/37001 , H01L2924/00

摘要： 使用位于第一封装件和第二封装件之间的结构元件将第一封装件接合至第二封装件以提供结构支撑。在实施例中，结构元件是板或者一个或多个导电球。在放置结构元件之后，将第一封装件接合至第二封装件。本发明还涉及半导体封装件及方法。

4.

发明授权
芯片装置和制造芯片装置的方法有权

公开(公告)号：CN104051314B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410091822.5

申请日：2014-03-13

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： E.菲尔古特 , K.侯赛尼 , J.马勒 , G.迈尔-贝格 , R.斯泰纳

IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/58 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/562 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49517 , H01L23/49562 , H01L24/06 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/24246 , H01L2224/2518 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/07802 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/00

摘要： 在各种实施例中，提供了芯片装置和制造芯片装置的方法。芯片装置可包括芯片载体和安装在芯片载体上的芯片。芯片可包括至少两个芯片接触部以及在芯片和芯片载体之间的将芯片粘附到芯片载体的绝缘粘合剂。该至少两个芯片接触部可电耦合到芯片载体。

5.

发明授权
用于芯片的电源/接地布局有权转让

公开(公告)号：CN103270590B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201180061291.X

申请日：2011-10-20

申请人： 马维尔国际贸易有限公司

发明人： S·萨塔德加 , 韩忠群 , 李维旦 , 游淑华 , 郑全成 , 吴亚伯

IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L25/065 , H01L23/50 , H01L21/98

CPC分类号： H01L21/76885 , H01L23/3107 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/061 , H01L2224/16145 , H01L2224/16245 , H01L2224/45111 , H01L2224/45116 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/731 , H01L2224/85 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 本发明的实施例提供一种芯片，该芯片包括形成在第一半导体管芯(104)之上的基部金属层(102)，以及形成在基部金属层之上的第一金属层(110)。第一金属层包括多个岛部(112)，该岛部(112)被配置为在芯片中路由(i)接地信号或(ii)电源信号中的至少一个。芯片还包括形成在第一金属层之上的第二金属层(118)。第二金属层包括多个岛部(120)，该岛部(120)被配置为在芯片中路由(i)接地信号或(ii)电源信号中的至少一个。

6.

发明授权
多芯片集成电路有权

公开(公告)号：CN102812548B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080065118.2

申请日：2010-10-15

申请人： 吉林克斯公司

发明人： 阿利弗·瑞曼 , 帆特桑·穆拉立

IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/00 , H01L21/68 , H01L23/31 , H01L21/56

CPC分类号： H01L21/82 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/96 , H01L25/0655 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/08137 , H01L2224/12105 , H01L2224/24101 , H01L2224/24137 , H01L2224/24226 , H01L2224/2902 , H01L2224/29187 , H01L2224/30181 , H01L2224/30183 , H01L2224/32137 , H01L2224/73267 , H01L2224/80006 , H01L2224/80896 , H01L2224/83005 , H01L2224/83896 , H01L2224/92244 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/14 , H01L2924/141 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/1437 , H01L2924/1438 , H01L2924/1443 , H01L2924/145 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/11 , H01L2224/19 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/83

摘要： 一种复合集成电路(IC，100)在重建晶圆底座上结合具有第一晶上互连结构(114)的第一IC晶粒(芯片，102)与具有第二晶上互连结构(115)的第二IC晶粒(104)。第二IC晶粒是以氧化物对氧化物边缘接合(110)而被边缘接合到第一IC晶粒。芯片对芯片互连结构(118)电气耦合第一IC晶粒与第二IC晶粒。制造所述种复合集成电路的方法亦被描述于此。

7.

发明公开
包含内插器结构的集成电子器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN104937715A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201380071181.0

申请日：2013-11-24

申请人： 埃勒塔系统有限公司

发明人： Y·梅达 , Y·约瑟夫

IPC分类号： H01L23/66 , H01L23/10 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/4817 , H01L21/486 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/053 , H01L23/055 , H01L23/147 , H01L23/367 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L23/66 , H01L24/17 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/0652 , H01L2223/6605 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2224/05599 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20101 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/20755 , H01L2224/45099 , H01L2924/207 , H01L2924/00012

摘要： 给出集成电路器件及其制造方法。集成电路器件(1)包含可能通过不同的半导体技术制造的两个或更多个有源部件(30a、30b)和适于承载两个或更多个有源部件的内插器结构(10)，使得有源部件中的至少一个承载于内插器结构的顶表面上。集成电路器件还包括布置于内插器结构的顶表面上并且封装有源部件中的至少一个金属帽(40)。本发明的集成电路器件的各种变体适于在极端条件下操作。

8.

发明公开
半导体装置以及半导体装置的连接构造有权

公开(公告)号：CN104412383A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380033827.6

申请日：2013-06-20

申请人： 株式会社电装

发明人： 石野宽 , 渡边友和

IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/433 , H01L23/492 , H02M7/00

CPC分类号： H05K7/2039 , H01L23/051 , H01L23/4334 , H01L23/492 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/06181 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/8346 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M7/003 , H02M7/48 , H05K1/11 , H05K1/185 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 在半导体装置中，散热板(11、12)分别配置在上支路(51、53、55)以及下支路(52、54、56)的半导体芯片(10)的表面侧以及背面侧。引出导体部具有平行导体，该平行导体具有正极端子(13)、负极端子(14)、及配置在正极端子与负极端子间的绝缘膜(15)，正极端子与负极端子夹着该绝缘膜而对置配置。所述半导体芯片被树脂模制部(18)覆盖，所述散热板中的与所述半导体芯片相反一侧的面和正极端子的一部分以及负极端子的一部分从所述树脂模制部露出，至少引出导体部中的平行导体的一部分进入到所述树脂模制部。

9.

发明公开
具有压接互连的柔性基板无效复审申请

公开(公告)号：CN104183577A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410070601.X

申请日：2014-02-28

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 罗文耀 , N·K·O·卡兰达 , 戴惠玲

IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5381 , H01L23/14 , H01L23/3128 , H01L23/49537 , H01L23/49544 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L23/49861 , H01L23/49894 , H01L23/5385 , H01L23/5387 , H01L23/5389 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/043 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/117 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/1023 , H01L2225/1047 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00012

摘要： 本公开涉及具有压接互连的柔性基板。本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括各自具有第一及第二外周边缘的第一及第二柔性基板。第一及第二管芯贴附于柔性基板各自的表面上并且各自分别电连接至第一及第二金属迹线。第一压接结构将第一金属迹线电连接至第二金属迹线，并且将第一及第二基板的第一外周边缘压接在一起。第二压接结构将第一金属迹线电连接至第二金属迹线，并且将第一及第二基板的第二外周边缘压接在一起。