公开(公告)号：CN109672410B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201811560612.0

申请日：2018-12-20

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 聂庆燕 ,  周宗明 ,  汪宁 ,  奚凤鸣 ,  吴克鑫 ,  李明 ,  俞畅

IPC分类号： H03F1/00 ,  H03F3/195

摘要： 本发明公开了一种Ka波段变频模块的制作方法，包括下述步骤：结构件装配前清洗；套筒的焊接；芯片的共晶焊接；射频电路板和绝缘子的焊接；射频电路组件元器件的焊接；稳压电路元器件的焊接；电装；芯片胶接；芯片的金丝键合；封盖。采用上述技术方案，借助微电子组封装工艺技术，实现了一种Ka波段变频模块的制作。

公开(公告)号：CN113747680B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202111054401.1

申请日：2021-09-09

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 奚凤鸣 ,  刘光亮 ,  聂庆燕 ,  周宗明 ,  汪宁 ,  俞畅 ,  查放 ,  蔡庆刚 ,  姜东 ,  储其丽 ,  曹振玲

IPC分类号： H05K3/34 ,  H03F3/213

摘要： 本发明公开了一种短波段30SW功率放大器的制作工艺，包括：步骤1、将元器件烧结到控制电路板及微波电路板上；步骤2、将步骤1加工后的电路板与航天插座、SMP单头线缆电装到腔体上；步骤3、对经过步骤2装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标。该制作工艺流程科学、操作简便，生产成品的合格率高，满足信号传输的连续性、稳定性和可靠性要求。

公开(公告)号：CN107645849B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201710851991.8

申请日：2017-09-19

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 聂庆燕 ,  汪宁 ,  周宗明 ,  李明 ,  黄园园 ,  李小亮 ,  奚凤鸣

IPC分类号： H05K3/34 ,  B23K1/00 ,  H05K7/02

摘要： 本发明公开了一种微波激励高频模块的制作方法，包括如下步骤：步骤1：结构件装配前清洗；步骤2：稳压电路的装配；步骤3：放大器芯片的共晶焊接和混频器芯片的共晶焊接；步骤4：高频电路的装配；步骤5：模块的装配；该方法借助微电子组封装工艺技术，实现了一种微波激励高频模块的制作。

公开(公告)号：CN109769390A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201910193902.4

申请日：2019-03-14

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 聂庆燕 ,  周宗明 ,  汪宁 ,  李明 ,  张丽 ,  俞畅

IPC分类号： H05K13/04 ,  H05K7/14

摘要： 本发明公开了一种前级放大器模块的制作方法，包括如下步骤：步骤1)：结构件装配前清洗，本步骤完成对壳体、盖板结构件进行清洗；步骤2)：射频电路板的装配，本步骤完成射频电路板的烧结；步骤3)：射频电路元器件和绝缘子的装配，射频电路元器件以及绝缘子的焊接；步骤4)：电装，1)完成隔离器、放大器、滤波器和SMA接头的装配；2)分别完成隔离器引脚、放大器引脚以及滤波器引脚与微带线的手工焊接，SMA接头与微带线的焊接、绝缘子与微带线的焊接；步骤5)：封盖，本步骤完成盖板的安装。本发明这种前级功率放大器模块的制作方法，可方便高效的进行生产制造，满足生产需求，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN109769352A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201910193901.X

申请日：2019-03-14

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 聂庆燕 ,  周宗明 ,  李金晶 ,  张丽 ,  俞畅

IPC分类号： H05K3/34

摘要： 本发明公开了一种80W功率放大器模块的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：清洗；放大器芯片的共晶焊接；高频电路的装配；元器件和绝缘子的烧结；共晶组件的烧结；引线键合；封盖。本发明这种80W功率放大器模块的制作方法，可方便高效的进行生产制造，满足生产需求，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN113871834A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111085865.9

申请日：2021-09-16

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 奚凤鸣 ,  查放 ,  俞畅 ,  周宗明 ,  聂庆燕 ,  汪宁 ,  蔡庆刚 ,  张智慧 ,  姜东 ,  胡明超 ,  郑君

IPC分类号： H01P11/00

摘要： 本发明公开了一种四倍频模块的制作工艺，包括：步骤1、将电路板与绝缘子同时烧结到腔体上；步骤2、将元器件烧结到电源板上；步骤3、共晶芯片；步骤4、将芯片组件烧结到腔体上；步骤5、将电源板及腔体滤波器电装到腔体上；步骤6、进行金丝键合；步骤7、对步骤6得到的模块进行调试、测试、封盖及打标。该制作工艺科学、简便、易掌握，制作得到的四倍频模块功耗更小，控制精度更高，稳定性更好。

公开(公告)号：CN111106104A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911258140.8

申请日：2019-12-10

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 奚凤鸣 ,  周宗明 ,  蔡庆刚 ,  丁涛涛 ,  张丽

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L25/00 ,  H05K3/34

摘要： 本发明公开了一种18-28GHZ的T组件制作工艺，包括：步骤1、将元器件烧结到电源板上；步骤2、将电路板和连接器的烧结到壳体上；步骤3、共晶芯片与放大器共晶组件烧结；步骤4、在相应位置胶接电源板及芯片组件；步骤5、在相应位置金丝键合；步骤6、调试、测试、封盖、打标。该18-28GHZ的T组件制作工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较高，适合批量生产。

公开(公告)号：CN109639108A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811487433.9

申请日：2018-12-06

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 方航 ,  孟庆贤 ,  周宗明 ,  张庆燕 ,  俞昌忠 ,  余鹏 ,  陈加伐

IPC分类号： H02M1/00 ,  H05K3/26 ,  H05K3/34

CPC分类号： H02M1/00 ,  H05K3/26 ,  H05K3/34 ,  H05K3/341

摘要： 本发明揭示了一种高压电源模块的制作方法，包括以下步骤：步骤1、完成高压电源模块壳体和盖板的加工；步骤2、完成高压电源模块电路板的加工；步骤3、壳体和盖板清洗；步骤4、电路板清洗；步骤5、壳体打印标识；步骤6、按照预先设计将元器件贴装在电路板上；步骤7、清洗粘有元器件的电路板；步骤8、将变压器焊接到电路板上；步骤9、将电路板安装到壳体内并完成电装；步骤10、壳体内灌胶，并对灌胶后的壳体安装盖板。本发明高压电源模块批量化生产方法，简单可靠，能够保证产品质量，提升产品的同时，保证生产效率。

公开(公告)号：CN110977072A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911257975.1

申请日：2019-12-10

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 奚凤鸣 ,  周宗明 ,  李明 ,  汪宁 ,  丁涛涛 ,  张丽

IPC分类号： B23K1/00 ,  B23K1/20

摘要： 本发明公开了一种共晶组件的低温烧结方法，包括：步骤一、低温焊片的切割；步骤二、免清洗助焊剂的使用；步骤三、壳体的预覆锡；步骤四、共晶组件的烧结；步骤五、验证结果。该共晶组件的低温烧结方法能在保证产品的可靠性的前提下，提高效率，并且适用于多个共晶组件同时烧结工艺。

公开(公告)号：CN109714009A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811560615.4

申请日：2018-12-20

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 奚凤鸣 ,  周宗明 ,  李金晶 ,  汪宁 ,  聂庆燕 ,  俞畅

IPC分类号： H03F1/26 ,  H03F3/213

摘要： 本发明公开了一种P波段低噪声放大器的制作工艺，包括以下步骤：1、将元器件烧结到电路板上；2、将绝缘子和已表贴元器件的电路板烧结到壳体上；3、将滤波器烧结到壳体上；4、胶接芯片；5、在相应位置金丝键合；6、调试、测试、封盖、打标。采用上述技术方案，所述的P波段低噪声放大器输出功率高、增益高、低噪声、宽频带、高性能；经过本发明制造生产的P波段低噪声放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试，各项性能指标完全达到整机要求；该制造工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较高，适合批量生产。