公开(公告)号：CN118256157A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211698536.6

申请日：2022-12-28

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 周靖宇 ,  马健 ,  荆建芬 ,  姚颖 ,  杨俊雅 ,  蔡鑫元 ,  宋凯 ,  汪国豪 ,  邱欢 ,  王正 ,  杨征

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、表面活性剂、氧化剂、pH调节剂和水。本发明中的化学机械抛光液通过添加合适的炔二醇类非离子表面活性剂，能够有效改善钴表面的腐蚀情况，提高钴的去除速率，显著降低钴的静态腐蚀速率，同时不影响钴的去除速率，满足实际抛光应用需求。

公开(公告)号：CN118256151A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211698145.4

申请日：2022-12-28

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 邱欢 ,  姚颖 ,  荆建芬 ,  蔡鑫元 ,  王欣 ,  陆弘毅 ,  宋凯 ,  杨征 ,  李昀 ,  汪国豪 ,  张然

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液，包括非离子型表面活性剂、阴离子型表面活性剂和研磨颗粒。本发明中的化学机械抛光液，可用于阻挡层抛光、TSV‑阻挡层抛光以及FinFET工艺中需去除二氧化硅基材的多种应用，在获得高的二氧化硅去除速率的同时可调节不同二氧化硅材料的去除速率选择比且不受抛光时间的干扰，能够满足各种工艺条件下对介质材料去除速率的要求，具有广阔的市场前景。

公开(公告)号：CN114686118A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011622810.2

申请日：2020-12-30

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 倪宇飞 ,  荆建芬 ,  周靖宇 ,  姚颖 ,  周文婷 ,  刘天奇 ,  杨俊雅 ,  蔡鑫元 ,  常宾 ,  唐浩杰

IPC: C09G1/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。该化学机械抛光液包括研磨颗粒，金属缓蚀剂，络合剂，氧化剂，表面活性剂和水，其中所述表面活性剂为一种或多种脂肪醇衍生物。本发明中的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求，针对前程铜抛光后的不同程度的碟型凹陷，均有很好的修复与控制能力。

公开(公告)号：CN114686116A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011626136.5

申请日：2020-12-30

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 姚颖 ,  荆建芬 ,  倪宇飞 ,  周文婷 ,  宋凯 ,  蔡鑫元 ,  周靖宇 ,  李昀 ,  陆弘毅 ,  魏佳

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。该化学机械抛光液包括研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、氧化剂，水溶性纤维素和水。本发明的化学机械抛光液对前程铜抛光后的碟型凹陷和介质层侵蚀具有一定的修复能力，且对钽、铜、二氧化硅(TEOS)和低介电常数材料的去除速率无明显的影响，满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率、速率选择比和抛光后表面形貌的要求。

公开(公告)号：CN108250972A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201611231351.9

申请日：2016-12-28

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 蔡鑫元 ,  姚颖 ,  荆建芬 ,  潘依君 ,  杜玲曦 ,  宋凯 ,  张建 ,  杨俊雅 ,  王雨春

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306 ,  C23F3/04

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明公开了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其应用，该抛光液包含二氧化硅颗粒、唑类化合物、络合剂、硅氧烷类表面活性剂和氧化剂。本发明的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，对半导体器件表面的缺陷具有强的矫正能力，能够快速实现平坦化，提高工作效率，降低生产成本。

公开(公告)号：CN113122142B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201911402335.5

申请日：2019-12-31

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 杨俊雅 ,  荆建芬 ,  马健 ,  姚颖 ,  周靖宇 ,  黄悦锐 ,  倪宇飞 ,  李恒 ,  蔡鑫元

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、氧化剂、金属表面缺陷改善剂、磷酸酯类表面活性剂和水。本发明的化学机械抛光液可应用于金属铜互连的抛光，对铜的去除速率高，对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比，改善抛光后铜线的碟型凹陷和介质层凹陷，同时改善抛光后铜表面粗糙度，减少缺陷。

公开(公告)号：CN114686114A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011626108.3

申请日：2020-12-30

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 倪宇飞 ,  姚颖 ,  荆建芬 ,  宋凯 ,  蔡鑫元 ,  周靖宇 ,  杨俊雅 ,  陆弘毅 ,  王苗苗 ,  王正

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光液及其使用方法。具体的，所述化学机械抛光液包括：研磨颗粒，金属缓蚀剂，络合剂，氧化剂，表面活性剂和水，其中所述表面活性剂为一种或多种脂肪胺衍生物。本发明中的抛光液不仅能够满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求，针对不同程度的碟型凹陷均有很好的修复与控制能力。

公开(公告)号：CN108251845A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201611231317.1

申请日：2016-12-28

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 张建 ,  荆建芬 ,  杨俊雅 ,  宋凯 ,  蔡鑫元 ,  姚颖 ,  潘依君 ,  杜玲曦 ,  王春梅 ,  王雨春

IPC: C23F3/04

CPC classification number: C23F3/04

Abstract: 本发明一方面提供一种化学机械抛光液，其包含研磨颗粒，腐蚀抑制剂，络合剂，氧化剂以及至少一种聚丙烯酸类阴离子表面活性剂。本发明另一方面提供该抛光液在金属铜抛光中的应用。本发明实现了提高抛光液对铜与钽阻挡层的抛光选择比的功效；且本发明用于晶片的抛光可改善抛光后铜线的碟型凹陷(Dishing)和介质层侵蚀(Erosion)，抛光后无铜残留物以及无腐蚀等缺陷。

公开(公告)号：CN118271969A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211703236.2

申请日：2022-12-29

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 李昀 ,  荆建芬 ,  马健 ,  宋凯 ,  姚颖 ,  杨俊雅 ,  李瑾琳 ,  周靖宇 ,  刘天奇 ,  汪国豪 ,  周文婷

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  C23F11/14

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒，五元含氮杂环化合物，六元含氮杂环化合物，有机酸和氧化剂。本发明的抛光液对铜的去除速率高；通过同时使用两种含氮杂环类腐蚀抑制剂，有助于降低抛光后的碟形凹陷程度和介质层侵蚀程度，同时降低抛光后铜表面缺陷数量。

公开(公告)号：CN116515397A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202210066663.8

申请日：2022-01-20

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 姚颖 ,  王欣 ,  荆建芬 ,  邱欢 ,  明伟 ,  陆弘毅 ,  李昀 ,  魏佳 ,  郑闪闪 ,  汪国豪 ,  王苗苗

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。该化学机械抛光液包括研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、氧化剂，水溶性纤维素、非离子表面活性剂和水。本发明中的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求，针对前程铜抛光后的不同程度的碟型凹陷和介质层侵蚀均有很好的修复与控制能力。