公开(公告)号：CN116515397A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202210066663.8

申请日：2022-01-20

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 姚颖 ,  王欣 ,  荆建芬 ,  邱欢 ,  明伟 ,  陆弘毅 ,  李昀 ,  魏佳 ,  郑闪闪 ,  汪国豪 ,  王苗苗

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

摘要： 本发明提供了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。该化学机械抛光液包括研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、氧化剂，水溶性纤维素、非离子表面活性剂和水。本发明中的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求，针对前程铜抛光后的不同程度的碟型凹陷和介质层侵蚀均有很好的修复与控制能力。

公开(公告)号：CN118256157A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211698536.6

申请日：2022-12-28

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 周靖宇 ,  马健 ,  荆建芬 ,  姚颖 ,  杨俊雅 ,  蔡鑫元 ,  宋凯 ,  汪国豪 ,  邱欢 ,  王正 ,  杨征

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、表面活性剂、氧化剂、pH调节剂和水。本发明中的化学机械抛光液通过添加合适的炔二醇类非离子表面活性剂，能够有效改善钴表面的腐蚀情况，提高钴的去除速率，显著降低钴的静态腐蚀速率，同时不影响钴的去除速率，满足实际抛光应用需求。

公开(公告)号：CN118256151A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211698145.4

申请日：2022-12-28

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 邱欢 ,  姚颖 ,  荆建芬 ,  蔡鑫元 ,  王欣 ,  陆弘毅 ,  宋凯 ,  杨征 ,  李昀 ,  汪国豪 ,  张然

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液，包括非离子型表面活性剂、阴离子型表面活性剂和研磨颗粒。本发明中的化学机械抛光液，可用于阻挡层抛光、TSV‑阻挡层抛光以及FinFET工艺中需去除二氧化硅基材的多种应用，在获得高的二氧化硅去除速率的同时可调节不同二氧化硅材料的去除速率选择比且不受抛光时间的干扰，能够满足各种工艺条件下对介质材料去除速率的要求，具有广阔的市场前景。

公开(公告)号：CN118256152A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211698186.3

申请日：2022-12-28

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 邱欢 ,  荆建芬 ,  姚颖 ,  王欣 ,  陆弘毅 ,  蔡鑫元 ,  周文婷 ,  杨俊雅 ,  郑闪闪 ,  宋凯 ,  明伟 ,  王拓

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液包括非离子型表面活性剂和研磨颗粒。本发明中的化学机械抛光液，通过添加非离子表面活性剂，能够调节不同二氧化硅材料的去除速率，从而可以调节不同材料间的选择比，满足工艺需求。

公开(公告)号：CN114686888A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011622815.5

申请日：2020-12-30

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 马健 ,  荆建芬 ,  杨俊雅 ,  李昀 ,  姚颖 ,  蔡鑫元 ,  宋凯 ,  汪国豪 ,  常宾 ,  邱欢

IPC分类号： C23F3/06 ,  C23F3/04

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。具体的，所述化学机械抛光液包含研磨颗粒，络合剂，氮唑类腐蚀抑制剂，磺酸类表面活性剂，烷醇酰胺表面活性剂和氧化剂。本发明中的化学机械抛光液可应用于金属铜互连的抛光，具有较高的金属铜抛光速率，并且对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比，同时可以改善抛光后铜线的碟形凹陷和介质层侵蚀。