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公开(公告)号：CN109970546B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201711452747.0
申请日：2017-12-28
申请人： 华东理工大学 , 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C07C51/42 , C07C51/47 , C07C59/265 , B01D61/48 , B01D61/46
摘要： 本发明涉及一种电子级柠檬酸的制备方法及其装置，包括以下步骤，步骤一：筛选阴离子交换膜；步骤二：利用超净电解法，利用步骤一中筛选得到的阴离子交换膜去除柠檬酸溶液中的第一部分金属离子；步骤三：利用离子交换法，利用阳离子交换树脂，去除第二部分金属离子，制备得到电子级柠檬酸。本发明结合了超净电解法和离子交换法的优点，发挥了两种方法对于不同离子的优异的去除作用，相比于以前一些工艺，不仅操作简单，清洁无污染，适用于工业化大规模生产，更主要的是制得的柠檬酸中金属离子的含量更低，纯度更高。
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公开(公告)号：CN114686114A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011626108.3
申请日：2020-12-30
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/321
摘要： 本发明提供一种化学机械抛光液及其使用方法。具体的，所述化学机械抛光液包括：研磨颗粒，金属缓蚀剂，络合剂，氧化剂，表面活性剂和水，其中所述表面活性剂为一种或多种脂肪胺衍生物。本发明中的抛光液不仅能够满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求，针对不同程度的碟型凹陷均有很好的修复与控制能力。
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公开(公告)号：CN108251845A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611231317.1
申请日：2016-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C23F3/04
CPC分类号： C23F3/04
摘要： 本发明一方面提供一种化学机械抛光液，其包含研磨颗粒，腐蚀抑制剂，络合剂，氧化剂以及至少一种聚丙烯酸类阴离子表面活性剂。本发明另一方面提供该抛光液在金属铜抛光中的应用。本发明实现了提高抛光液对铜与钽阻挡层的抛光选择比的功效；且本发明用于晶片的抛光可改善抛光后铜线的碟型凹陷(Dishing)和介质层侵蚀(Erosion)，抛光后无铜残留物以及无腐蚀等缺陷。
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公开(公告)号：CN108250977B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201611231383.9
申请日：2016-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明提供一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液，其特征在于，包括研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、非离子表面活性剂和氧化剂，其中，所述非离子表面活性剂为聚乙二醇。其在较温和的条件下具有高的阻挡层材料、介电层材料去除速率和可调的低介电材料、铜去除速率，并能在抛光过程中很好的控制碟型凹陷(Dishing)、介质层侵蚀(Erosion)、金属腐蚀的产生，以及减少表面污染物。具有优异的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN108257863A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611231249.9
申请日：2016-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , B24B37/04
摘要： 本发明涉及一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：在第一抛光盘上抛光金属铜；步骤B：在第二抛光盘上再次抛光剩余的铜，并停在钽阻挡层上，实现平坦化；步骤C：在第三抛光盘上抛光阻挡层和介电层，并停在氮化硅层上。其中，步骤A和步骤B中使用铜抛光液，步骤C中使用阻挡层抛光液。且，所述阻挡层抛光液中包含研磨颗粒、氨基硅烷试剂和水。本发明使用高选择比的阻挡层抛光液，能很好的停止在氮化硅层上，很好的控制芯片表面形貌，抑制金属腐蚀和表面缺陷；在CMP过程中可以严格控制基材表面污染物，且杜绝金属腐蚀，具有好的表面形貌和抛光均一性。
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公开(公告)号：CN108250977A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611231383.9
申请日：2016-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02
CPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明提供一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液，其特征在于，包括研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、非离子表面活性剂和氧化剂，其中，所述非离子表面活性剂为聚乙二醇。其在较温和的条件下具有高的阻挡层材料、介电层材料去除速率和可调的低介电材料、铜去除速率，并能在抛光过程中很好的控制碟型凹陷(Dishing)、介质层侵蚀(Erosion)、金属腐蚀的产生，以及减少表面污染物。具有优异的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN108250975A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611231355.7
申请日：2016-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02
CPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明公开了一种高浓缩的化学机械抛光液及其应用，该抛光液包含二氧化硅颗粒、氨基硅烷类化合物、非离子表面活性剂。本发明的化学机械抛光液可以用于抛光二氧化硅、氮化硅和多晶硅，满足抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，对硅片器件表面的平坦化有很强的矫正能力，能实现快速平坦化，提高工作效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN118256152A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211698186.3
申请日：2022-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液包括非离子型表面活性剂和研磨颗粒。本发明中的化学机械抛光液，通过添加非离子表面活性剂，能够调节不同二氧化硅材料的去除速率，从而可以调节不同材料间的选择比，满足工艺需求。
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公开(公告)号：CN116355534A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111625525.0
申请日：2021-12-28
申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
摘要： 本发明提供一种化学机械抛光液，包括：研磨颗粒，络合剂，烷醇酰胺表面活性剂，氮唑类腐蚀抑制剂和氧化剂；所述研磨颗粒平均粒径为40‑140nm；所述络合剂为氨羧化合物及其盐。本发明的优势在于：1)本发明的抛光液对铜的去除速率高，对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比；2)本发明的抛光液可以改善抛光后铜线的碟型凹陷和介质层侵蚀。
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