公开(公告)号：CN115692464A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210563731.1

申请日：2022-05-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松井俊之 ,  内藤达也 ,  上村和贵

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备半导体基板，该半导体基板具有二极管部，二极管部具备：第二导电型的阳极区，其设置在半导体基板的正面；沟槽部，其在半导体基板的正面，沿预先设定的延伸方向延伸地设置；沟槽接触部，其设置在半导体基板的正面；以及第二导电型的插塞区，其设置在沟槽接触部的下端，并且掺杂浓度比阳极区的掺杂浓度高，插塞区沿延伸方向分散地设置。

公开(公告)号：CN117393560A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310583870.5

申请日：2023-05-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 上村和贵 ,  松井俊之 ,  内藤达也

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/8222

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：二极管部；第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第二导电型的阳极区，其设置于比所述漂移区更靠所述半导体基板的正面侧的位置；以及沟槽接触部，其在所述二极管部中设置于所述半导体基板的正面，在所述半导体基板的深度方向上，与所述沟槽接触部的底部相同的深度处的所述阳极区的掺杂浓度为1E16cm‑3以上且1E17cm‑3以下。

公开(公告)号：CN105122451A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480012428.6

申请日：2014-03-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松井俊之 ,  阿部和 ,  八尾典明

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: G05F1/463 ,  G01K7/01 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/861

Abstract: 提供一种能够兼得在形成了有源元件的基板上具备隔着绝缘膜而形成的温度检测用二极管所要求的寿命和检测灵敏度的半导体装置的驱动方法。根据该温度检测用二极管的寿命规定温度检测用二极管的通电电流密度的上限值，并且根据该温度检测用二极管的输出电压的相对于标准偏差的允许偏差电压规定上述温度检测用二极管中通电的电流密度的下限值，在上述上限值和下限值的范围内确定上述温度检测用二极管的通电电流值。

公开(公告)号：CN109564939B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201780047373.6

申请日：2017-12-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松井俊之

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，具备晶体管部和二极管部，晶体管部具有：第一导电型的漂移区，形成在半导体基板的内部；第二导电型的基区，在半导体基板的内部设置在漂移区的上方；以及第二导电型的集电区，在半导体基板的内部设置在漂移区的下方，半导体装置具有第二导电型的阱区，所述第二导电型的阱区在半导体基板的内部，设置到比基区靠下方的位置为止，半导体装置在阱区的下方的至少一部分区域，具有单位面积的第二导电型的载流子注入量比集电区小的注入量限制部。

公开(公告)号：CN109564939A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780047373.6

申请日：2017-12-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松井俊之

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，具备晶体管部和二极管部，晶体管部具有：第一导电型的漂移区，形成在半导体基板的内部；第二导电型的基区，在半导体基板的内部设置在漂移区的上方；以及第二导电型的集电区，在半导体基板的内部设置在漂移区的下方，半导体装置具有第二导电型的阱区，所述第二导电型的阱区在半导体基板的内部，设置到比基区靠下方的位置为止，半导体装置在阱区的下方的至少一部分区域，具有单位面积的第二导电型的载流子注入量比集电区小的注入量限制部。

公开(公告)号：CN106062966A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011623.1

申请日：2015-08-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松井俊之

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L21/221 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/263 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/401 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明的半导体装置构成为：具有沿着n型漂移层(1)的一个主面选择性地形成，且电阻比漂移层(1)低的p型区域(4)，在从作为p型区域(4)的边界的pn结(6)的面起算厚度为t的漂移层(1)内，将从设有空位‑氧复合缺陷区域(11)的漂移层(1)的半导体基板的背面起在厚度方向的深度记为R，将漂移层(1)的电阻率记为ρ，由pn结(6)的反向偏置电压V表示的从pn结(6)扩展到漂移层(1)内的耗尽层(15)的宽度W由W＝0.54×√(ρ×V)表示时，空位‑氧复合缺陷区域(11)被设置于由0＜R≤t‑W表示的深度。由此，能够廉价且以简单的工艺兼顾开关损耗的降低与软恢复特性。

公开(公告)号：CN115699331A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180039434.0

申请日：2021-10-21

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松井俊之 ,  上村和贵

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置(100)，具备：半导体基板(10)，其具有晶体管部(70)和二极管部(80)；以及发射极(52)和栅极(50)，其设置在半导体基板的正面(21)的上方，晶体管部具有：多个沟槽部(40)，其与栅极电连接；第一导电型的漂移区(18)，其设置在半导体基板；第二导电型的基区(14)，其设置在漂移区的上方；以及第二导电型的沟槽底部阻挡区(75)，其设置在漂移区与基区之间，且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高，沟槽底部阻挡区与发射极电连接。

公开(公告)号：CN113544857A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080016339.4

申请日：2020-09-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功 ,  百瀬雅之 ,  松井俊之

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其包含体施主；有源部，其设置于半导体基板；边缘终端构造部，其在半导体基板的上表面，设置在有源部与半导体基板的端边之间，有源部具有包含氢且施主浓度比体施主的浓度高的第一高浓度区，边缘终端构造部具有第二高浓度区，所述第二高浓度区在半导体基板的深度方向上设置在比第一高浓度区更宽的范围，并且包含氢且施主浓度比体施主的浓度高。

公开(公告)号：CN113544846A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080018066.7

申请日：2020-09-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树 ,  松井俊之 ,  荒木龙 ,  宫田大嗣 ,  吉田崇一

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/07 ,  H03K17/687

Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。输出比较二极管部可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。温度感测部可以包括温度感测二极管，且输出比较二极管部可以包括与温度感测二极管反向并联地连接的二极管。

公开(公告)号：CN106062966B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201580011623.1

申请日：2015-08-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松井俊之

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明的半导体装置构成为：具有沿着n型漂移层(1)的一个主面选择性地形成，且电阻比漂移层(1)低的p型区域(4)，在从作为p型区域(4)的边界的pn结(6)的面起算厚度为t的漂移层(1)内，将从设有空位‑氧复合缺陷区域(11)的漂移层(1)的半导体基板的背面起在厚度方向的深度记为R，将漂移层(1)的电阻率记为ρ，由pn结(6)的反向偏置电压V表示的从pn结(6)扩展到漂移层(1)内的耗尽层(15)的宽度W由W＝0.54×√(ρ×V)表示时，空位‑氧复合缺陷区域(11)被设置于由0＜R≤t‑W表示的深度。由此，能够廉价且以简单的工艺兼顾开关损耗的降低与软恢复特性。