公开(公告)号：CN102037563A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980116546.0

申请日：2009-05-13

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 下山和男 ,  塚本安彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7395 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 使用倒梯形切割刀片，对n型半导体基板(1)执行切割工作，以形成将要成为第二侧壁(7)的沟槽。沟槽的底部与p型扩散层(4)相接触，p型扩散层(4)形成于n型半导体基板(1)的第一主平面(2)(正面)上，使得p型扩散层(4)未被切割。然后，在第二侧壁(7)中，形成了p型隔离层(9)，p型隔离层(9)连接到p型集电极层(8)和p型扩散层(4)。因为p型扩散层(4)未被切割，所以用于支撑晶片的玻璃支撑基板以及昂贵的粘合剂都是不需要的，并且因此，形成p型扩散层(4)的成本很低。