公开(公告)号：CN1885535B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200610095628.X

申请日：2006-06-19

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 田久保拡

IPC: H01L25/00

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 根据本发明的功率半导体模块包括：将功率半导体器件包容其中的模块封装件2A，以及形如框架、且设置在模块2A周围的磁芯6a，从而磁芯6a围绕诸如IGBT的功率半导体器件的芯片8；或者是根据本发明的功率半导体模块包括将功率半导体包容其中的模块封装件2B，以及形如框架、且内置于模块封装件2B中的磁芯6e，从而磁芯6e的外围面和模块封装件2B的侧面形成所述功率半导体模块的平整侧面。根据本发明的功率半导体模块易于将磁芯替换掉，并且有助于减小其尺寸，简化结构以及制造工艺。