公开(公告)号：CN100585860C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200710000712.3

申请日：2004-05-21

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 西乡薰 ,  永井孝一

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/00 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/49 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底之上和上方的电路部分；覆盖所述电路部分的钝化膜；电极焊盘，所述电极焊盘以电极焊盘从所述钝化膜暴露出来的方式被提供在所述电路部分的外部；以及护圈图案，所述护圈图案被提供在所述电极焊盘和所述电路部分之间，以使所述护圈图案基本包围所述电路部分。所述护圈图案从所述半导体衬底的表面延伸到所述钝化膜。