公开(公告)号：CN104516053A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410497852.6

申请日：2014-09-25

申请人： 富士通株式会社

发明人： 菅间明夫 ,  佐佐木伸也

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/13

CPC分类号： G02B6/30 ,  G02B6/3652 ,  G02B6/3692 ,  G02B2006/12061 ,  G02B6/1221 ,  G02B6/13 ,  G02B2006/12166

摘要： 本公开涉及光波导部件、其制造方法及光波导设备。根据本公开的光波导部件包括：光纤安装衬底，其设置有具有用于光纤的对准的V形槽或V形槽的倒顶部被截去的倒梯形沟槽的光纤对准沟槽；其中形成有光波导的光波导衬底；树脂层，其在光纤安装衬底与光波导衬底齐平或具有预定偏移量的状态下被对准并且固定；以及透明树脂，其被填充在光纤安装衬底与光波导衬底彼此面对的间隙中。

公开(公告)号：CN102738070B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201210104837.1

申请日：2012-04-06

申请人： 富士通株式会社

发明人： 神吉刚司 ,  须田章一 ,  佐佐木伸也

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： 本技术方案涉及一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成凹部；在所述绝缘层上形成掩模图案，所述掩模图案具有暴露所述凹部的第一开口，以及设置在所述第一开口的外部并且不暴露所述凹部的第二开口；通过分别在所述第一开口和所述第二开口中沉积导电材料形成第一导电部件和第二导电部件；以及抛光和去除所述绝缘层上侧上的所述第一导电部件和所述第二导电部件以便留下所述凹部中的所述第一导电部件。本技术方案能够形成具有最佳形状的重布线层。

公开(公告)号：CN104516053B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410497852.6

申请日：2014-09-25

申请人： 富士通株式会社

发明人： 菅间明夫 ,  佐佐木伸也

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/13

CPC分类号： G02B6/30 ,  G02B6/3652 ,  G02B6/3692 ,  G02B2006/12061

摘要： 本公开涉及光波导部件、其制造方法及光波导设备。根据本公开的光波导部件包括：光纤安装衬底，其设置有具有用于光纤的对准的V形槽或V形槽的倒顶部被截去的倒梯形沟槽的光纤对准沟槽；其中形成有光波导的光波导衬底；树脂层，其在光纤安装衬底与光波导衬底齐平或具有预定偏移量的状态下被对准并且固定；以及透明树脂，其被填充在光纤安装衬底与光波导衬底彼此面对的间隙中。

公开(公告)号：CN102738070A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210104837.1

申请日：2012-04-06

申请人： 富士通株式会社

发明人： 神吉刚司 ,  须田章一 ,  佐佐木伸也

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： 本技术方案涉及一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成凹部；在所述绝缘层上形成掩模图案，所述掩模图案具有暴露所述凹部的第一开口，以及设置在所述第一开口的外部并且不暴露所述凹部的第二开口；通过分别在所述第一开口和所述第二开口中沉积导电材料形成第一导电部件和第二导电部件；以及抛光和去除所述绝缘层上侧上的所述第一导电部件和所述第二导电部件以便留下所述凹部中的所述第一导电部件。本技术方案能够形成具有最佳形状的重布线层。

公开(公告)号：CN104102065B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201410123469.4

申请日：2014-03-28

申请人： 富士通株式会社

发明人： 佐佐木伸也 ,  菅间明夫

IPC分类号： G02F1/377

CPC分类号： G02B6/13 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/43 ,  Y10T29/4913

摘要： 公开了一种电子装置，包括：包括第一主表面的回路元件；设置在第一主表面中的第一电极；包括第二主表面并且构造成发送或接收光信号的光学元件；设置在第二主表面中的第二电极；设置在第二主表面中并且有光信号穿过的窗；设置在第一主表面和第二主表面上的布线层，该布线层电连接第一电极和第二电极；以及设置在第二主表面上并且光学连接至所述窗的光学波导，光信号穿过该光学波导。

公开(公告)号：CN103258751B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310044990.4

申请日：2013-02-04

申请人： 富士通株式会社

发明人： 谷元昭 ,  石月义克 ,  佐佐木伸也

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了制造半导体器件的方法和制造电子组合件的方法。制造半导体器件的方法包括：在支承体上设置粘合层；在粘合层上设置半导体元件；在其上设置有半导体元件的粘合层上设置树脂层，并且在粘合层上形成衬底，该衬底包括半导体元件和树脂层；以及从粘合层移除衬底，其中粘合层在移除衬底的方向上的粘附力小于粘合层在形成衬底的平面方向上的粘附力。

公开(公告)号：CN103258770A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310048766.2

申请日：2013-02-06

申请人： 富士通株式会社

发明人： 佐佐木伸也 ,  石月义克 ,  谷元昭

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法。该制造半导体装置的方法包括：在支承构件上设置第一粘接层；在第一粘接层上设置膜；在膜上布置半导体元件；在布置有半导体元件的膜上设置树脂层，并在膜上形成包括半导体元件和树脂层的基片；以及使膜和基片与第一粘接层分离。

公开(公告)号：CN103258770B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310048766.2

申请日：2013-02-06

申请人： 富士通株式会社

发明人： 佐佐木伸也 ,  石月义克 ,  谷元昭

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法。该制造半导体装置的方法包括：在支承构件上设置第一粘接层；在第一粘接层上设置膜；在膜上布置半导体元件；在布置有半导体元件的膜上设置树脂层，并在膜上形成包括半导体元件和树脂层的基片；以及使膜和基片与第一粘接层分离。

公开(公告)号：CN103258752B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310048269.2

申请日：2013-02-06

申请人： 富士通株式会社

发明人： 石月义克 ,  佐佐木伸也 ,  谷元昭

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体装置制造方法和电子装置制造方法，该半导体装置制造方法包括：将半导体元件放置在粘着层上，该粘着层放置在具有第一通孔的支撑体上；将部件放置在包括与第一通孔对应的部分的区域中，该部分在放置在支撑体上的粘着层上；通过在已放置了半导体元件和部件的粘着层上形成树脂层来在粘着层上形成基板，该基板包括半导体元件、部件和树脂层；以及通过经由第一通孔按压部件而从粘着层分离基板。

公开(公告)号：CN104102065A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410123469.4

申请日：2014-03-28

申请人： 富士通株式会社

发明人： 佐佐木伸也 ,  菅间明夫

IPC分类号： G02F1/377

CPC分类号： G02B6/13 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/43 ,  Y10T29/4913

摘要： 公开了一种电子装置，包括：包括第一主表面的回路元件；设置在第一主表面中的第一电极；包括第二主表面并且构造成发送或接收光信号的光学元件；设置在第二主表面中的第二电极；设置在第二主表面中并且有光信号穿过的窗；设置在第一主表面和第二主表面上的布线层，该布线层电连接第一电极和第二电极；以及设置在第二主表面上并且光学连接至所述窗的光学波导，光信号穿过该光学波导。