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公开(公告)号：CN102781544A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180010639.2
申请日：2011-02-22
IPC分类号： B01D46/00
CPC分类号： B01D53/9468 , B01D53/944 , B01D2255/1021 , B01D2255/1023 , B01D2255/9155 , B01D2258/012 , B01J23/42 , B01J23/44 , B01J35/0006 , B01J37/0248 , F01N3/035 , F01N3/103 , F01N13/0093 , F01N13/0097 , F01N2250/12 , F01N2510/0682 , Y10S502/52712 , Y10S502/52713 , Y10S502/52718 , Y10S502/52719
摘要： 本发明提供了一种催化烟灰过滤器，其中催化烟灰过滤器的入口涂层包含氧化催化剂，其包含铂(Pt)和任选钯(Pd)，并且催化烟灰过滤器的出口涂层包含氧化催化剂，其包含Pd和任选Pt。出口涂层中Pt浓度低于入口涂层中Pt浓度。出口涂层中Pt:Pd重量比为0:1-2:1。入口涂层和出口涂层以0.5-1.5的涂层加载量比率存在于壁流基底上，该涂层加载量比率计算为入口涂层的加载量(g/inch3(g/(2.54cm)3)):出口涂层的加载量(g/inch3(g/(2.54cm)3))的比率。
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公开(公告)号：CN102781544B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180010639.2
申请日：2011-02-22
IPC分类号： B01D46/00
CPC分类号： B01D53/9468 , B01D53/944 , B01D2255/1021 , B01D2255/1023 , B01D2255/9155 , B01D2258/012 , B01J23/42 , B01J23/44 , B01J35/0006 , B01J37/0248 , F01N3/035 , F01N3/103 , F01N13/0093 , F01N13/0097 , F01N2250/12 , F01N2510/0682 , Y10S502/52712 , Y10S502/52713 , Y10S502/52718 , Y10S502/52719
摘要： 本发明提供了一种催化烟灰过滤器，其中催化烟灰过滤器的入口涂层包含氧化催化剂，其包含铂(Pt)和任选钯(Pd)，并且催化烟灰过滤器的出口涂层包含氧化催化剂，其包含Pd和任选Pt。出口涂层中Pt浓度低于入口涂层中Pt浓度。出口涂层中Pt:Pd重量比为0:1-2:1。入口涂层和出口涂层以0.5-1.5的涂层加载量比率存在于壁流基底上，该涂层加载量比率计算为入口涂层的加载量(g/inch3(g/(2.54cm)3)):出口涂层的加载量(g/inch3(g/(2.54cm)3))的比率。
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公开(公告)号：CN105378011B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201480038868.9
申请日：2014-07-01
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C09G1/02 , C09G1/04 , C09G1/00 , H01L21/02 , H01L21/321
摘要： 本发明提供一种化学机械抛光(CMP)组合物，包含：(A)用作缓蚀剂的一种或多种选自苯并三唑衍生物的化合物和(B)无机颗粒、有机颗粒或其复合物或混合物。本发明还涉及某些选自苯并三唑衍生物的化合物作为缓蚀剂的用途，尤其是用于提高化学机械抛光(CMP)组合物自用于制造半导体器件的基底在铜存在于所述基底上而去除钽或氮化钽的选择性。
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公开(公告)号：CN104081501B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201380006888.3
申请日：2013-01-25
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/463 , H01L21/461
摘要： 提供了化学机械抛光组合物。所述组合物包含(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物；(B)蛋白质；和(C)水性介质。
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公开(公告)号：CN105555889B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201480051205.0
申请日：2014-07-08
申请人： 巴斯夫欧洲公司
发明人： M·劳特尔 , Y·李 , B·M·诺勒 , R·朗格 , R·赖夏特 , 兰永清 , V·博伊科 , A·克劳泽 , J·冯 , 塞耶尔 , S·A·奥斯曼 , 易卜拉欣 , M·西伯特 , K·哈特纳格尔 , J·登勒 , N·S·希勒沙姆
CPC分类号： C09G1/02 , C09D5/027 , C09D7/65 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
摘要： 本发明描述一种包含含氧化铈磨料粒子的化学机械抛光(CMP)组合物。
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公开(公告)号：CN103827235B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280038321.X
申请日：2012-07-30
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/30625 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/00 , H01L21/02024 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： 一种制造半导体装置的方法，其包括在化学机械抛光(CMP)组合物的存在下化学机械抛光元素锗及/或0.1≤x
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公开(公告)号：CN102640275B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201080053661.0
申请日：2010-11-25
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： H01L21/463 , C09G1/02
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要： 一种通过CMP从衬底去除本体材料层并使暴露表面平面化的方法，包括：(1)提供CMP试剂，其在未添加辅助材料的情况下在化学机械抛光结束时呈现：-与其开始时相同的SER和比其开始时更低的MRR，-比初始SER更低的SER以及与初始MRR相同或基本相同的MRR，或-比其开始时更低的SER和更低的MRR；(2)使所述本体材料层的表面与所述CMP试剂接触；(3)用所述CMP试剂对所述本体材料层进行CMP；(4)继续CMP直至从暴露表面去除所有材料残留物；以及一种CMP试剂及其在电和光学器件制造中的用途。
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公开(公告)号：CN102782066B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201180010318.2
申请日：2011-01-19
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C09G1/02
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： 本发明涉及一种化学-机械抛光组合物，其包含：(a)至少一种类型的磨料颗粒；(b)至少两种氧化剂；(c)至少一种pH调节剂；和(d)去离子水；(e)任选包含至少一种抗氧化剂，以及一种将含至少一个铜层、至少一个钌层和至少一个钽层的基材化学-机械平坦化的方法，其包括以下步骤：(1)提供所述化学-机械抛光组合物；(2)使待抛光的基材表面与所述化学-机械抛光组合物和抛光垫接触；和(3)通过相对基材移动抛光垫而将基材表面化学机械抛光。
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