一种比例-积分控制器的最优参数获取方法

    公开(公告)号:CN112162483B

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202011008383.9

    申请日:2020-09-23

    IPC分类号: G05B13/04

    摘要: 本发明涉及工业过程控制技术领域,更具体地,涉及一种比例‑积分控制器的最优参数获取方法。一种比例‑积分控制器的最优参数获取方法,具体包括以下步骤:S1:建立黑箱过程Z‑N模型的传递函数;S2:建立PI控制器的传递函数;S3:根据黑箱过程Z‑N模型的传递函数以及PI控制器的传递函数,建立PI控制器与黑箱过程Z‑N模型的开环系统频域函数;S4:设置PI控制器的传递函数以及开环系统频域函数的预设参数;S5:对PI控制器的最优参数进行搜索。本发明中,黑箱过程Z‑N模型是一种黑箱过程的工程建模,没有复杂繁琐的中间过程,依据黑箱过程Z‑N模型和开环系统频域函数的相位裕度能够高效地获取PI控制器的最优参数,避免了传统PI控制器存在着跟踪常值扰动效率不高的问题。

    一种光催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113522313A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110968949.0

    申请日:2021-08-23

    IPC分类号: B01J23/89

    摘要: 本申请提供了一种光催化剂及其制备方法和应用;其中,光催化剂包括铜基复合材料和金,铜基复合材料为纳米线结构,金包覆所述铜基复合材料;纳米线结构具有聚光的性质,能够聚集比普通太阳光强度大数倍的光照强度,因此,与常规结构的铜基复合材料相比,本申请要求保护的光催化剂利用纳米线结构聚光的原理,提高了金原子的激发效应以生成更多的自由电子和空穴,从而达到提高光催化剂催化性能的技术效果;且随着光照强度的增加,金原子的激发效应也随之增加,从而达到了生成高碳产物的技术效果。本申请提供了一种光催化剂及其制备方法和应用,解决了现有铜基复合材料催化剂作为光催化剂催化性能有待提高,且催化产物单一的技术问题。

    一种比例-积分控制器的最优参数获取方法

    公开(公告)号:CN112162483A

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN202011008383.9

    申请日:2020-09-23

    IPC分类号: G05B13/04

    摘要: 本发明涉及工业过程控制技术领域,更具体地,涉及一种比例‑积分控制器的最优参数获取方法。一种比例‑积分控制器的最优参数获取方法,具体包括以下步骤:S1:建立黑箱过程Z‑N模型的传递函数;S2:建立PI控制器的传递函数;S3:根据黑箱过程Z‑N模型的传递函数以及PI控制器的传递函数,建立PI控制器与黑箱过程Z‑N模型的开环系统频域函数;S4:设置PI控制器的传递函数以及开环系统频域函数的预设参数;S5:对PI控制器的最优参数进行搜索。本发明中,黑箱过程Z‑N模型是一种黑箱过程的工程建模,没有复杂繁琐的中间过程,依据黑箱过程Z‑N模型和开环系统频域函数的相位裕度能够高效地获取PI控制器的最优参数,避免了传统PI控制器存在着跟踪常值扰动效率不高的问题。

    一种三阶控制器的最优参数获取方法

    公开(公告)号:CN112099358A

    公开(公告)日:2020-12-18

    申请号:CN202011008378.8

    申请日:2020-09-23

    IPC分类号: G05B13/04

    摘要: 本发明涉及工业过程控制技术领域,更具体地,涉及一种三阶控制器的最优参数获取方法。一种三阶控制器的最优参数获取方法,包括以下步骤:S1:建立黑箱过程Z‑N模型的传递函数;S2:建立三阶控制器的传递函数;S3:根据黑箱过程Z‑N模型的传递函数以及三阶控制器的传递函数,建立三阶控制器与黑箱过程Z‑N模型的开环系统频域函数;S4:设置三阶控制器的传递函数以及开环系统频域函数的预设参数;S5:对三阶控制器的最优参数进行搜索。本发明依据黑箱过程Z‑N模型和开环系统的相位裕度获取三阶控制器的最优参数,克服了现有技术中PI控制器存在着跟踪常值扰动效率不高的问题。