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公开(公告)号：CN107002239A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580054331.6
申请日：2015-09-22
申请人： 应用材料公司
发明人： 罗伯特·B·穆尔 , 文森特·斯蒂芬·弗朗西斯赫特
CPC分类号： C23C16/0227 , C23C16/44 , C23C18/1619 , C23C18/163 , C23C18/1803 , C23C18/1851 , C25D5/34 , C25D17/001 , C25D17/06
摘要： 处理设备可包含面向下的处理腔室，该处理腔室对水平处于固定的锐角角度。平台上的夹具平板可由开启位置至平行位置枢转，其中该平台对处理腔室处于锐角角度，其中该平台与该处理腔室平行。夹具平板可接着线性移动而与处理腔室进入密封接合。可在平台上提供夹具支持器以维持夹具在位置上。水及真空连接进入处理腔室允许真空预先润湿半导体晶片处理。
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公开(公告)号：CN104451888A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410424658.5
申请日：2014-08-26
申请人： 应用材料公司
发明人： 文森特·斯特凡·弗朗西斯凯特 , 格雷戈里·J·威尔逊 , 凯尔·M·汉森 , 保罗·沃思 , 罗伯特·B·穆尔
IPC分类号： C30B33/02 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/677 , H01L21/67748
摘要： 用于退火半导体材料晶片和类似基板的退火模块降低颗粒污染和氧气进入，同时提供包括对于500℃的工艺的均匀加热。退火模块可包括形成在金属主体中的工艺腔室，所述金属主体具有内部冷却管线。热板具有基座，所述基座被支撑在主体上的热扼流器上。在热板之上的盖中的气体分布器将气体在晶片之上均匀地流动。传送机构移动环箍以将晶片在热板和冷板之间移位。
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公开(公告)号：CN108179450B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201711318432.7
申请日：2014-04-28
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C25D7/12 , C25D17/00 , C25D17/06 , H01L21/687 , H01L21/768
摘要： 在一种用于电镀半导体晶片与类似衬底的处理系统中，从电镀处理器的旋转器移除该处理器的接触环，并以先前褪镀的接触环予以替换。这使接触环能在系统的环件服务模块中被褪镀，同时该处理器继续工作。晶片处理量得以提升。该接触环可以附接至夹盘，该夹盘用于将该接触环移动于这些处理器和该环件服务模块之间，该夹盘可被快速地附接至该旋转器和从该旋转器释放。
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公开(公告)号：CN105144347B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201480022902.3
申请日：2014-04-28
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/687
CPC分类号： C25D17/06 , C25D7/12 , C25D17/001 , C25D17/005 , H01L21/68707 , H01L21/68721 , H01L21/68764 , H01L21/76879
摘要： 在一种用于电镀半导体晶片与类似衬底的处理系统中，从电镀处理器的旋转器移除该处理器的接触环，并以先前褪镀的接触环予以替换。这使接触环能在系统的环件服务模块中被褪镀，同时该处理器继续工作。晶片处理量得以提升。该接触环可以附接至夹盘，该夹盘用于将该接触环移动于这些处理器和该环件服务模块之间，该夹盘可被快速地附接至该旋转器和从该旋转器释放。
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公开(公告)号：CN107002239B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580054331.6
申请日：2015-09-22
申请人： 应用材料公司
发明人： 罗伯特·B·穆尔 , 文森特·斯蒂芬·弗朗西斯赫特
CPC分类号： C23C16/0227 , C23C16/44 , C23C18/1619 , C23C18/163 , C23C18/1803 , C23C18/1851 , C25D5/34 , C25D17/001 , C25D17/06
摘要： 处理设备可包含面向下的处理腔室，该处理腔室对水平处于固定的锐角角度。平台上的夹具平板可由开启位置至平行位置枢转，其中该平台对处理腔室处于锐角角度，其中该平台与该处理腔室平行。夹具平板可接着线性移动而与处理腔室进入密封接合。可在平台上提供夹具支持器以维持夹具在位置上。水及真空连接进入处理腔室允许真空预先润湿半导体晶片处理。
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公开(公告)号：CN104451888B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201410424658.5
申请日：2014-08-26
申请人： 应用材料公司
发明人： 文森特·斯特凡·弗朗西斯凯特 , 格雷戈里·J·威尔逊 , 凯尔·M·汉森 , 保罗·沃思 , 罗伯特·B·穆尔
IPC分类号： H01L21/324 , C30B33/02
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/677 , H01L21/67748
摘要： 用于退火半导体材料晶片和类似基板的退火模块降低颗粒污染和氧气进入，同时提供包括对于500℃的工艺的均匀加热。退火模块可包括形成在金属主体中的工艺腔室，所述金属主体具有内部冷却管线。热板具有基座，所述基座被支撑在主体上的热扼流器上。在热板之上的盖中的气体分布器将气体在晶片之上均匀地流动。传送机构移动环箍以将晶片在热板和冷板之间移位。
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公开(公告)号：CN108179450A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711318432.7
申请日：2014-04-28
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C25D7/12 , C25D17/00 , C25D17/06 , H01L21/687 , H01L21/768
摘要： 在一种用于电镀半导体晶片与类似衬底的处理系统中，从电镀处理器的旋转器移除该处理器的接触环，并以先前褪镀的接触环予以替换。这使接触环能在系统的环件服务模块中被褪镀，同时该处理器继续工作。晶片处理量得以提升。该接触环可以附接至夹盘，该夹盘用于将该接触环移动于这些处理器和该环件服务模块之间，该夹盘可被快速地附接至该旋转器和从该旋转器释放。
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公开(公告)号：CN105144347A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480022902.3
申请日：2014-04-28
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/687
CPC分类号： C25D17/06 , C25D7/12 , C25D17/001 , C25D17/005 , H01L21/68707 , H01L21/68721 , H01L21/68764 , H01L21/76879
摘要： 在一种用于电镀半导体晶片与类似衬底的处理系统中，从电镀处理器的旋转器移除该处理器的接触环，并以先前褪镀的接触环予以替换。这使接触环能在系统的环件服务模块中被褪镀，同时该处理器继续工作。晶片处理量得以提升。该接触环可以附接至夹盘，该夹盘用于将该接触环移动于这些处理器和该环件服务模块之间，该夹盘可被快速地附接至该旋转器和从该旋转器释放。
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