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公开(公告)号：CN106463362A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580025098.9
申请日：2015-04-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
摘要： 本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。
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公开(公告)号：CN117198935A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311176344.3
申请日：2015-04-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/54 , C23C16/56
摘要： 本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。
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公开(公告)号：CN110828346B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201911127078.9
申请日：2015-04-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/56
摘要： 本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。
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公开(公告)号：CN106463362B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201580025098.9
申请日：2015-04-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
摘要： 本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。
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公开(公告)号：CN110494967A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880024330.0
申请日：2018-04-10
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/73 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本申请描述了用于使用远程等离子体来蚀刻基板的方法和系统。远程激发的蚀刻剂被形成在远程等离子体中，并通过喷头流入基板处理区域以蚀刻基板。从基板正上方的基板处理区域获取光学发射光谱。光学发射光谱可用于确定蚀刻的终点，确定蚀刻速率或以其他方式表征蚀刻工艺。弱等离子体可存在于基板处理区域中。弱等离子体可能相较于远程等离子体具有低得多的强度。在蚀刻工艺中于基板上方不使用偏压等离子体的情况下，可以在靠近基板处理区域一侧所设置的视口附近点燃弱等离子体以表征蚀刻剂。
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公开(公告)号：CN110494967B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201880024330.0
申请日：2018-04-10
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/73 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本申请描述了用于使用远程等离子体来蚀刻基板的方法和系统。远程激发的蚀刻剂被形成在远程等离子体中，并通过喷头流入基板处理区域以蚀刻基板。从基板正上方的基板处理区域获取光学发射光谱。光学发射光谱可用于确定蚀刻的终点，确定蚀刻速率或以其他方式表征蚀刻工艺。弱等离子体可存在于基板处理区域中。弱等离子体可能相较于远程等离子体具有低得多的强度。在蚀刻工艺中于基板上方不使用偏压等离子体的情况下，可以在靠近基板处理区域一侧所设置的视口附近点燃弱等离子体以表征蚀刻剂。
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公开(公告)号：CN114787999A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080084805.2
申请日：2020-11-04
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/11524 , H01L27/11556
摘要： 形成半导体结构的示例性方法可包括形成覆盖半导体基板的第一氧化硅层。此方法可包括形成覆盖第一氧化硅层的第一硅层。此方法可包括形成覆盖第一硅层的氮化硅层。此方法可包括形成覆盖氮化硅层的第二硅层。此方法可包括形成覆盖第二硅层的第二氧化硅层。此方法可包括移除氮化硅层。此方法可包括移除第一硅层和第二硅层。此方法可包括形成在第一氧化硅层和第二氧化硅层中的每一者之间并接触第一氧化硅层和第二氧化硅层中的每一者的金属层。
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公开(公告)号：CN107533945B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201680008395.7
申请日：2016-01-20
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 晶片夹具组件包括圆盘、杆、及基座。该圆盘包括电气绝缘材料，该电气绝缘材料界定该圆盘的顶表面，多个电极嵌入在该电气绝缘材料内。该圆盘也包括内圆盘元件，该内圆盘元件形成热交换流体的一个或多个通道，且与该电气绝缘材料热连通，且导电板材被设置与该内圆盘元件邻近。该杆包括与该板材及多个连接器电性耦接的导电杆壳体，且包括多个连接器，该多个连接器包括该电极的电气连接器。该基座包括与该杆壳体电性耦接的导电基座壳体、被设置在该基座壳体内的电气绝缘终端块，该多个连接器穿行通过该终端块。
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公开(公告)号：CN107533945A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680008395.7
申请日：2016-01-20
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 晶片夹具组件包括圆盘、杆、及基座。该圆盘包括电气绝缘材料，该电气绝缘材料界定该圆盘的顶表面，多个电极嵌入在该电气绝缘材料内。该圆盘也包括内圆盘元件，该内圆盘元件形成热交换流体的一个或多个通道，且与该电气绝缘材料热连通，且导电板材被设置与该内圆盘元件邻近。该杆包括与该板材及多个连接器电性耦接的导电杆壳体，且包括多个连接器，该多个连接器包括该电极的电气连接器。该基座包括与该杆壳体电性耦接的导电基座壳体、被设置在该基座壳体内的电气绝缘终端块，该多个连接器穿行通过该终端块。
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公开(公告)号：CN105580118A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480050763.5
申请日：2014-07-31
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F4/00
CPC分类号： H01L21/02205 , H01J37/32357 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116
摘要： 描述了蚀刻经图案化的异质结构上的氮化硅的方法，并且所述方法包括由含氟前体以及含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。使来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在所述基板处理区域中，等离子体流出物与氮化硅反应。等离子体流出物与经图案化的异质结构反应，以便选择性地去除氮化硅，同时非常缓慢地去除硅(诸如，多晶硅)。氮化硅的选择性部分地源于使用相异的(但可能重叠的)等离子体路径而引入含氟前体以及含氮和氧的前体，所述相异的等离子体路径可以是串联的或并联的。
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