公开(公告)号：CN105580118B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201480050763.5

申请日：2014-07-31

申请人： 应用材料公司

发明人： Z·陈 ,  Z·李 ,  A·王 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉曼

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F4/00

摘要： 描述了蚀刻经图案化的异质结构上的氮化硅的方法，并且所述方法包括由含氟前体以及含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。使来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在所述基板处理区域中，等离子体流出物与氮化硅反应。等离子体流出物与经图案化的异质结构反应，以便选择性地去除氮化硅，同时非常缓慢地去除硅(诸如，多晶硅)。氮化硅的选择性部分地源于使用相异的(但可能重叠的)等离子体路径而引入含氟前体以及含氮和氧的前体，所述相异的等离子体路径可以是串联的或并联的。

公开(公告)号：CN106449472A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610637513.2

申请日：2016-08-05

申请人： 应用材料公司

发明人： L·徐 ,  Z·陈 ,  A·王 ,  S·T·恩古耶

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

摘要： 本技术的实施方式可以包括一种对基板进行蚀刻的方法。所述方法可以包括触发等离子体区域中的等离子体放电。所述方法还可包括使含氟的前驱物流入所述等离子体区域中，以便形成等离子体出流。所述等离子体出流可流入混合区域中。所述方法可进一步包括将含氢和氧的化合物引入所述混合区域中，而不首先使所述含氢和氧的化合物进入所述等离子体区域中。另外，所述方法可以包括使所述含氢和氧的化合物与所述等离子体出流在所述混合区域中反应，以便形成反应产物。所述反应产物可以通过隔板中的多个开口流向基板处理区域。所述方法还可包括在所述基板处理区域中利用所述反应产物蚀刻所述基板。

公开(公告)号：CN104641455A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048351.3

申请日：2013-08-26

申请人： 应用材料公司

发明人： Z·陈 ,  J·张 ,  C-M·徐 ,  S·朴 ,  A·王 ,  N·K·英格尔

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32357

摘要： 描述一种在图案化异质结构上蚀刻暴露的氧化硅的方法，且该方法包括从含氟前体所形成的远端等离子体蚀刻。来自该远端等离子体的等离子体流出物流进基板处理区域，在该基板处理区域中该等离子体流出物与含氮和氢前体组合。在该基板于相较于典型的SiconiTM工艺为高温时，从而产生的反应物以高氧化硅选择性蚀刻该图案化异质结构。该蚀刻进行不会在该基板表面上产生残余物。该方法可用以在移除极少量或不移除硅、多晶硅、氮化硅或氮化钛的同时移除氧化硅。

公开(公告)号：CN110112053B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201910130024.1

申请日：2014-03-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44

摘要： 本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN106449472B

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN201610637513.2

申请日：2016-08-05

申请人： 应用材料公司

发明人： L·徐 ,  Z·陈 ,  A·王 ,  S·T·恩古耶

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3065

摘要： 公开了氧化物蚀刻选择性系统。本技术的实施方式可以包括一种对基板进行蚀刻的方法。所述方法可以包括引燃等离子体区域中的等离子体放电。所述方法还可包括使含氟的前驱物流入所述等离子体区域中，以便形成等离子体流出物。所述等离子体流出物可流入混合区域中。所述方法可进一步包括将含氢和氧的化合物引入所述混合区域中，而不首先使所述含氢和氧的化合物进入所述等离子体区域中。另外，所述方法可以包括使所述含氢和氧的化合物与所述等离子体流出物在所述混合区域中反应，以便形成反应产物。所述反应产物可以通过隔板中的多个开口流到基板处理区域。所述方法还可包括在所述基板处理区域中利用所述反应产物蚀刻所述基板。

公开(公告)号：CN104641455B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201380048351.3

申请日：2013-08-26

申请人： 应用材料公司

发明人： Z·陈 ,  J·张 ,  C-M·徐 ,  S·朴 ,  A·王 ,  N·K·英格尔

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32357

摘要： 描述一种在图案化异质结构上蚀刻暴露的氧化硅的方法，且该方法包括从含氟前体所形成的远端等离子体蚀刻。来自该远端等离子体的等离子体流出物流进基板处理区域，在该基板处理区域中该等离子体流出物与含氮和氢前体组合。在该基板于相较于典型的SiconiTM工艺为高温时，从而产生的反应物以高氧化硅选择性蚀刻该图案化异质结构。该蚀刻进行不会在该基板表面上产生残余物。该方法可用以在移除极少量或不移除硅、多晶硅、氮化硅或氮化钛的同时移除氧化硅。

公开(公告)号：CN110112053A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910130024.1

申请日：2014-03-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44

摘要： 本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN105580118A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480050763.5

申请日：2014-07-31

申请人： 应用材料公司

发明人： Z·陈 ,  Z·李 ,  A·王 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉曼

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F4/00

CPC分类号： H01L21/02205 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

摘要： 描述了蚀刻经图案化的异质结构上的氮化硅的方法，并且所述方法包括由含氟前体以及含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。使来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在所述基板处理区域中，等离子体流出物与氮化硅反应。等离子体流出物与经图案化的异质结构反应，以便选择性地去除氮化硅，同时非常缓慢地去除硅(诸如，多晶硅)。氮化硅的选择性部分地源于使用相异的(但可能重叠的)等离子体路径而引入含氟前体以及含氮和氧的前体，所述相异的等离子体路径可以是串联的或并联的。

公开(公告)号：CN105103266A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480018007.4

申请日：2014-03-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/324 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/263 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6831

摘要： 提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN205984911U

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201620844868.4

申请日：2016-08-05

申请人： 应用材料公司

发明人： L·徐 ,  Z·陈 ,  A·王 ,  S·T·恩古耶

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

摘要： 公开了氧化物蚀刻选择性系统。揭示了一种基板处理系统，所述系统包括：第一气体入口；基座，配置成支撑基板；喷淋头，定位在所述第一气体入口与所述基座之间，所述喷淋头包括限定有第一多个开口的导电板；隔板，定位在所述基座与所述喷淋头之间，所述隔板限定第二多个开口；第二气体入口，定位在所述喷淋头处，或定位在所述喷淋头与所述隔板之间；等离子体区域，限定在所述第一气体入口与所述喷淋头之间；基本无等离子体的区域，限定在所述喷淋头与所述隔板之间；基板处理区域，限定在所述隔板与所述基座之间；以及电源，配置成引燃所述等离子体区域中的等离子体放电。