公开(公告)号：CN105556645A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480051294.9

申请日：2014-09-17

申请人： 德卡技术股份有限公司

发明人： W.B.罗杰斯 ,  W.G.M.范登霍克

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/02118 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05575 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明描述了一种半导体器件及制造所述半导体器件的方法。提供半导体裸片。在所述半导体裸片上形成聚合物层。在所述聚合物层中形成通孔。在第一工艺中使所述聚合物层交联。在第二工艺中使所述聚合物层热固化。所述聚合物层可包含聚苯并唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)或硅氧烷基聚合物。可通过UV烘烤使所述聚合物层的表面交联以在后续固化期间控制所述通孔的倾斜度。所述第二工艺还可包括使用传导加热、对流加热、红外加热或微波加热使所述聚合物层热固化。可通过以大于或等于10摄氏度/分钟的速率升高所述聚合物的温度，使所述聚合物层热固化，并且所述聚合物层可在小于或等于60分钟内完全固化。

公开(公告)号：CN107949902A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201680051785.2

申请日：2016-07-08

申请人： 德卡技术股份有限公司

发明人： T.L.奥尔森 ,  W.B.罗杰斯 ,  F.阿尔达斯

IPC分类号： H01L21/308

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67784 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/19 ,  H01L24/75 ,  H01L24/76 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75651 ,  H01L2224/7665 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/214

摘要： 本发明题为“用于材料移除的半导体装置处理方法”。本发明公开了一种从半导体基材上方移除材料层的至少一部分的方法，该方法可包括将蚀刻溶液分配在半导体基材上方以在材料层上形成蚀刻溶液池，其中蚀刻溶液池的覆盖区小于半导体基材的覆盖区。蚀刻溶液池以及半导体基材可相对于彼此移动。可用至少一个空气刀在半导体基材上限定蚀刻溶液池的池边界，使得蚀刻溶液池在蚀刻溶液池的覆盖区内蚀刻半导体基材上方的材料层。蚀刻溶液以及由蚀刻溶液池蚀刻的材料层的至少一部分可用至少一个空气刀移除。

公开(公告)号：CN105556645B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201480051294.9

申请日：2014-09-17

申请人： 德卡技术股份有限公司

发明人： W.B.罗杰斯 ,  W.G.M.范登霍克

IPC分类号： H01L21/312

摘要： 本发明描述了一种半导体器件及制造所述半导体器件的方法。提供半导体裸片。在所述半导体裸片上形成聚合物层。在所述聚合物层中形成通孔。在第一工艺中使所述聚合物层交联。在第二工艺中使所述聚合物层热固化。所述聚合物层可包含聚苯并唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)或硅氧烷基聚合物。可通过UV烘烤使所述聚合物层的表面交联以在后续固化期间控制所述通孔的倾斜度。所述第二工艺还可包括使用传导加热、对流加热、红外加热或微波加热使所述聚合物层热固化。可通过以大于或等于10摄氏度/分钟的速率升高所述聚合物的温度，使所述聚合物层热固化，并且所述聚合物层可在小于或等于60分钟内完全固化。