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1.

发明授权
半导体装置及半导体装置的制造方法有权转让

公开(公告)号：CN106206420B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610121743.3

申请日：2016-03-03

申请人： 东芝存储器株式会社

发明人： 内田健悟

IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528

CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/03002 , H01L2224/03005 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/03831 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05017 , H01L2224/05018 , H01L2224/05027 , H01L2224/05155 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05644 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/014

摘要： 本发明的实施方式提供一种能够提高晶片的上表面与支撑衬底的接合强度的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置(1)具备：半导体衬底(11)；元件层(12)，位于半导体衬底(11)的上表面；绝缘层(13)，位于元件层(12)上；以及贯通电极(143)，包含主体部(143b)及头部(143c)，且经由绝缘层(13)的贯通孔而与元件层(12)中的上层配线(121)电连接，该主体部(143b)位于设置在绝缘层(13)的贯通孔内，该头部(143c)位于绝缘层(13)上，且相比于主体部(143b)直径扩大；而且头部(143c)的下表面侧的轮廓(143e)的尺寸可小于头部(143c)的上表面侧的轮廓(143d)的尺寸。

2.

发明授权
半导体器件结构及制造方法有权

公开(公告)号：CN104916617B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410566501.6

申请日：2014-10-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李立国 , 刘永盛 , 刘宜臻 , 赖怡仁 , 陈俊仁 , 郑锡圭

IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48

CPC分类号： H01L24/14 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05013 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05558 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/11462 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13014 , H01L2224/13023 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/16058 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014

摘要： 本发明提供了半导体器件结构及制造方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的介电层。该半导体器件结构还包括位于介电层上方的导电迹线。该半导体器件结构还包括位于导电迹线上方的导电部件，并且导电部件的宽度基本上等于或大于导电迹线的最大宽度。另外，该半导体器件结构包括位于导电部件上方的导电凸块。

3.

发明授权
芯片集成模块、芯片封装结构及芯片集成方法有权

公开(公告)号：CN104157617B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201410366385.3

申请日：2014-07-29

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 符会利 , 高崧

IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/64 , H01L21/60

CPC分类号： H01L25/16 , H01G2/065 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/11 , H01L2224/1134 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/16268 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/92125 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

摘要： 本发明提供了一种芯片集成模块，包括管芯、无源器件及连接件，所述管芯设有管芯结合部，所述无源器件设有无源器件结合部，所述管芯的管芯结合部及无源器件的无源器件结合部相对设置，所述连接件设置于所述管芯结合部与所述无源器件结合部之间并连接于所述管芯结合部与所述无源器件结合部。本发明的芯片集成模块易于集成且成本较低；且由于管芯与无源器件互连路径更短，可提升无源器件性能。本发明还公开一种芯片封装结构及一种芯片集成方法。

4.

发明公开
晶圆级芯片尺寸封装及其形成方法无效

公开(公告)号：CN107180812A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201611140300.5

申请日：2016-12-12

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 季彦良 , 熊明仁

IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48

CPC分类号： H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/94 , H01L2224/0235 , H01L2224/02351 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05078 , H01L2224/05082 , H01L2224/05088 , H01L2224/05095 , H01L2224/05096 , H01L2224/05552 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/131 , H01L2224/94 , H01L23/49816 , H01L21/4853 , H01L23/49838

摘要： 本发明实施例提供了一种晶圆级芯片尺寸封装及其形成方法。其中该封装包括：半导体结构；接合垫，形成于该半导体结构上并且包括：多个导电片段；导电元件，形成于该半导体结构上，并且与该接合垫相邻；钝化层，形成于该半导体结构、该接合垫及该导电元件上，其中该钝化层露出该接合垫的导电片段的一部分；导电的重分布层，形成于该钝化层以及该接合垫的导电片段从该钝化层露出的部分上；平坦化层，形成于该钝化层和该导电的重分布层上，并且露出该导电的重分布层的一部分；凸块下金属层，形成于该平坦化层以及该导电的重分布层从该平坦化层露出的部分上；以及导电凸块，形成于该凸块下金属层上。本发明实施例，可以进一步降低封装的尺寸。

5.

发明公开
半导体装置制造方法和半导体晶片有权

公开(公告)号：CN106920769A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201611118742.X

申请日：2016-12-08

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 太田祐一 , 喜多贤太郎 , 大浦雄大 , 吉田宏平

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L24/94 , H01L21/304 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L21/823814 , H01L21/823871 , H01L21/823892 , H01L23/544 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386 , H01L2223/5446 , H01L2224/0218 , H01L2224/0219 , H01L2224/02206 , H01L2224/02215 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0348 , H01L2224/03828 , H01L2224/0391 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05019 , H01L2224/05022 , H01L2224/05082 , H01L2224/05084 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05187 , H01L2224/05562 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/11464 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13026 , H01L2224/131 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/04941 , H01L2924/07025 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2221/68304 , H01L2221/68318

摘要： 本公开涉及半导体装置制造方法和半导体晶片。半导体装置制造方法提高了制造半导体装置的产率。提供了用于覆盖多个接合焊盘的绝缘膜、在绝缘膜上的第一保护膜和在第一保护膜上的第二保护膜。在半导体芯片中，多个电极层经由形成在绝缘膜中的第一开口和形成在第一保护膜中的第二开口电耦接到接合焊盘中的每个。多个突起电极经由形成在第二保护膜中的第三开口电耦接到电极层中的每个。在伪芯片中，第二开口形成在第一保护膜中，且第三开口形成在第二保护膜中。在与第三开口重合的第二开口的底部处暴露绝缘膜。保护带被施加到主平面以覆盖突起电极。

6.

发明授权
半导体裸片及形成导电元件的方法有权复审申请

公开(公告)号：CN102222647B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201010534192.6

申请日：2010-11-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄见翎 , 吴逸文 , 刘重希

IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03464 , H01L2224/03831 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13147 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体裸片，包括一基底；一接合垫，形成于基底上方，接合垫具有一第一宽度；一聚酰亚胺层，形成于基底和接合垫上方，聚酰亚胺层于接合垫上方具有一第一开口，第一开口有一第二宽度；一硅基保护层，位于聚酰亚胺层上，硅基保护层于接合垫上方具有一第二开口，第二开口有一第三宽度，其中第一开口和第二开口形成一具有侧壁的组合开口，暴露部分接合垫；一凸块下金属化层，位于组合开口的侧壁上方，且接触接合垫的暴露部分；及一导电元件，位于凸块下金属化层上。本发明各实施例可用来改进传统焊锡凸块工艺的缺点；在各实施例中，硅基保护层保护聚酰亚胺层，防止其受到后续等离子体清洁工艺的损伤；聚酰亚胺层中开口的宽度与硅基保护层中开口的宽度相对于接合垫的宽度的比例的适当范围可改进构件的良率。

7.

发明授权
具有穿透衬底互连的半导体构造以及形成穿透衬底互连的方法有权

公开(公告)号：CN103582933B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280027691.3

申请日：2012-05-03

申请人： 美光科技公司

发明人： 艾伦·G·伍德 , 菲利普·J·爱尔兰

IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/03444 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/03845 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05094 , H01L2224/05096 , H01L2224/05147 , H01L2224/05157 , H01L2224/05176 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2924/04953 , H01L2924/0496 , H01L2924/01074 , H01L2924/04941

摘要： 一些实施例包含形成穿过半导体衬底的互连的方法。开口可经形成以部分地延伸穿过半导体衬底，且互连的部分可形成于所述开口内。另一开口可经形成以从所述衬底的第二侧延伸到所述互连的第一部分，且所述互连的另一部分可形成于此开口内。一些实施例包含半导体构造，其具有：穿透衬底互连的第一部分，其从所述衬底的第一侧部分地延伸穿过半导体衬底；及所述穿透衬底互连的第二部分，其从所述衬底的第二侧延伸且具有全部延伸到所述互连的所述第一部分的多个单独导电指状部。