Patent search cpc:"H01L2224/0345" Page 1

1.

发明授权
用于制造并组装可印刷半导体元件的方法和设备有权

公开(公告)号：CN104716170B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201410647568.2

申请日：2005-06-02

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： R·G·纳佐 , J·A·罗杰斯 , E·梅纳德 , 李建宰 , 姜达荣 , 孙玉刚 , M·梅尔特 , 朱正涛

IPC: H01L29/41 , H01L33/36 , H01L31/0224 , H01L27/02 , H01L21/77 , H01L21/02 , H05K1/02 , H05K1/03 , H05K3/22 , H05K3/20 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B81B3/00

CPC classification number: H01L29/76 , B81C2201/0185 , B82Y10/00 , H01L21/02521 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L21/308 , H01L21/322 , H01L21/6835 , H01L23/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/12 , H01L29/78603 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L31/0392 , H01L31/03926 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1896 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2224/03 , H01L2224/0332 , H01L2224/0345 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/08225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/80 , H01L2224/80006 , H01L2224/80121 , H01L2224/80862 , H01L2224/80895 , H01L2224/83 , H01L2224/83005 , H01L2224/83121 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/97 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15159 , H01L2924/15162 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/707 , Y10S977/724 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装至基片表面上的方法。本发明的方法和设备组件能在含有聚合物材料的基片上产生多种柔性电子和光电子器件以及器件阵列。本发明还提供能在拉伸状态下具有良好性能的可拉伸半导体元件及可拉伸电子器件。

2.

发明授权
半导体装置及半导体装置的制造方法有权转让

公开(公告)号：CN106206420B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610121743.3

申请日：2016-03-03

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 内田健悟

IPC: H01L21/768 , H01L23/528

CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/03002 , H01L2224/03005 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/03831 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05017 , H01L2224/05018 , H01L2224/05027 , H01L2224/05155 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05644 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/014

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高晶片的上表面与支撑衬底的接合强度的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置(1)具备：半导体衬底(11)；元件层(12)，位于半导体衬底(11)的上表面；绝缘层(13)，位于元件层(12)上；以及贯通电极(143)，包含主体部(143b)及头部(143c)，且经由绝缘层(13)的贯通孔而与元件层(12)中的上层配线(121)电连接，该主体部(143b)位于设置在绝缘层(13)的贯通孔内，该头部(143c)位于绝缘层(13)上，且相比于主体部(143b)直径扩大；而且头部(143c)的下表面侧的轮廓(143e)的尺寸可小于头部(143c)的上表面侧的轮廓(143d)的尺寸。

3.

发明授权
非氰系电解镀金液有权复审申请

公开(公告)号：CN104540983B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201380041203.9

申请日：2013-09-19

Applicant: 日本电镀工程股份有限公司

Inventor： 露木纯子 , 伊东正浩

IPC: C25D3/48

CPC classification number: C25D3/48 , C25D3/62 , C25D5/022 , C25D5/50 , C25D7/12 , C25D7/123 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03848 , H01L2224/0401 , H01L2224/05644 , H01L2224/11462 , H01L2224/11848 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01077 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01081 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种非氰(non‑cyanogen)系电解镀金液，其即使在进行热处理时，也可形成可维持高硬度的镀敷覆膜。本发明的非氰系电解镀金液，其含有包含亚硫酸金碱盐或亚硫酸金铵的金源、及包含亚硫酸盐及硫酸盐的导电盐，且当中所含铱、钌、铑的任一种的1种以上的盐的金属浓度为1至3000mg/L。同时，以含结晶调整剂为佳，特别以铊更佳。

4.

发明授权
晶片封装体及其制造方法失效

公开(公告)号：CN104835793B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201510071815.3

申请日：2015-02-11

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 郑家明 , 刘沧宇 , 廖季昌 , 黄玉龙

IPC: H01L23/14 , H01L21/56 , H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3185 , H01L23/3114 , H01L23/3178 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/94 , H01L29/0657 , H01L2224/0224 , H01L2224/02245 , H01L2224/02255 , H01L2224/0226 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05571 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/06165 , H01L2224/10135 , H01L2224/10145 , H01L2224/94 , H01L2224/03

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一半导体基底；一凹口，位于半导体基底内，其中半导体基底具有至少一间隔部，该至少一间隔部突出于凹口的一底部；以及一导线，设置于半导体基底上，且延伸至凹口内。本发明能够降低与导线电性连接的导电结构的高度，进而有效降低晶片封装体的整体尺寸，且可避免导线发生短路的问题，进而提升晶片封装体的可靠度。

5.

发明公开
半导体结构无效

公开(公告)号：CN107731782A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710946975.7

申请日：2014-09-09

Applicant: 联发科技股份有限公司

Inventor： 林子闳 , 洪建州

IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L23/66 , H01L49/02 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60

CPC classification number: H01L28/10 , H01L23/5227 , H01L23/53238 , H01L23/66 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2223/6677 , H01L2224/02181 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/08123 , H01L2224/08265 , H01L2224/11019 , H01L2224/1134 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/4502 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/85007 , H01L2924/19011 , H01L2924/19042 , H01L2924/19051 , H01L2924/19103 , H01L2924/19104 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/014

Abstract: 本发明公开一种半导体结构。半导体结构包括：基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；导电结构，设置于所述导电垫上；被动元件，设置于所述导电垫上，其中所述被动元件具有位于所述第二钝化层上的第一部分以及穿过所述第二钝化层的第二部分；可焊性保护膜，覆盖所述被动元件的所述第一部分；第一凸块下金属层，覆盖所述被动元件的所述第二部分；以及第二凸块下金属层，覆盖所述导电结构的一部分；其中，所述第一凸块下金属层与所述有机可焊性保护膜一起将所述被动元件包围起来；其中，所述第一凸块下金属层延伸至所述第二钝化层的上表面，并且所述有机可焊性保护膜不与所述第二钝化层相接触。本发明所公开的半导体结构，有机可焊性保护膜可以防止表面效应的发生，此外，能够减小电阻并具有较高的品质因数。

6.

发明授权
半导体器件结构及制造方法有权

公开(公告)号：CN104916617B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410566501.6

申请日：2014-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李立国 , 刘永盛 , 刘宜臻 , 赖怡仁 , 陈俊仁 , 郑锡圭

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

CPC classification number: H01L24/14 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05013 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05558 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/11462 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13014 , H01L2224/13023 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/16058 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了半导体器件结构及制造方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的介电层。该半导体器件结构还包括位于介电层上方的导电迹线。该半导体器件结构还包括位于导电迹线上方的导电部件，并且导电部件的宽度基本上等于或大于导电迹线的最大宽度。另外，该半导体器件结构包括位于导电部件上方的导电凸块。

7.

发明公开
金属垫结构无效

公开(公告)号：CN107689358A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710284396.0

申请日：2017-04-27

Applicant: 胡迪群

Inventor： 胡迪群

IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H05K1/11

CPC classification number: H01L24/06 , H01L21/4853 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03602 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05571 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/06102 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/16111 , H01L2224/16237 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L21/4846 , H01L23/49838 , H05K1/111

Abstract: 本发明涉及一种金属垫结构，第一金属垫和第二金属垫配置在封装基材的顶表面上；所述第一金属垫的顶表面与所述第二金属垫的顶表面呈现非平面配置；第一平整金属配置在所述第一金属垫的顶表面上；第二平整金属设置在所述第二金属垫的顶表面上；所述第一平整金属的顶表面与所述第二平整金属的顶表面呈现共平面配置。本发明在所述第一金属垫的顶面上配置有第一平整金属，并且在所述第二金属垫的顶面上配置第二平整金属；第一平整金属和第二平整金属的顶表面，呈现共平面结构，能有效克服不同材料间的热膨胀系数不匹配或是制程误差而导致封装基材弯曲，进而引起焊接不良的问题。本发明还公开了该金属垫结构的制造方法。