一种自调节喷嘴装置以及多晶硅还原炉系统

    公开(公告)号:CN118145650A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410449544.X

    申请日:2024-04-15

    Abstract: 本发明公开一种自调节喷嘴装置以及多晶硅还原炉系统,该自调节喷嘴装置包括:壳体和芯体。壳体设有内腔、进气口和喷口,内腔位于进气口和喷口之间,其两端分别与进气口和喷口连通。芯体容置于内腔中,芯体包括第一芯部和第二芯部,第一芯部的外侧壁与内腔的内侧壁之间密封设置有第一腔体,第一芯部通过第一弹性件与内腔的内侧壁连接;第二芯部的外侧壁与内腔的内侧壁之间密封设置有第二腔体,第二芯部通过第二弹性件与内腔的内侧壁连接。第一芯部与第二芯部之间形成进气通道,进气通道用于供原料气体通过,在原料气体通过时,第一弹性件和第二弹性件调节第一芯部与第二芯部之间的间距。因此,本装置能够提高还原炉内的流场均匀性。

    高沸氯化炉及高沸物处理系统
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117920072A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410055191.5

    申请日:2024-01-12

    Abstract: 本发明公开了一种高沸氯化炉及高沸物处理系统,用于使高沸氯化炉中的氯气和气相高沸物混合均匀,改善气相高沸物出现冷凝而堵塞氯气的进气管道的情况。该高沸氯化炉包括炉体(1)、气体分布器(2)、第一多孔介质(4)、气体预混空腔(5)和高沸入口装置(3)。气体分布器(2)固定在炉体(1)的底部。第一多孔介质(4)设置在内腔内,且位于气体分布器(2)的上方。气体预混空腔(5)位于第一多孔介质(4)的上方。气体分布板(6)和第一多孔介质(4)之间具有空隙,内腔位于气体分布板(6)和第一多孔介质(4)之间的部分,形成气体预混空腔(5)。高沸入口装置(3)固定在炉体(1)的底部。

    一种多晶硅还原炉的评价方法及装置

    公开(公告)号:CN118966051A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202410973800.5

    申请日:2024-07-18

    Abstract: 本发明提供一种多晶硅还原炉的评价方法及装置,该方法包括:根据多晶硅还原炉的几何模型,进行流场试验仿真模拟,得到待评价的流场数据;与预设的评价指标体系进行比较,得到流场评价结果;在几何模型的基础上耦合电热模型,并进行能耗试验仿真模拟,得到待评价的能耗数据;与预设的评价指标体系进行比较,得到能耗评价结果;根据控电方式进行控电试验仿真模拟,得到待评价的控电方式数据;与预设的评价指标体系进行比较,得到控电方式评价结果;根据流场评价结果、能耗评价结果以及控电方式评价结果,确定多晶硅还原炉是否设计合理。本发明能够对多晶硅还原炉进行合理有效的评价,达到提高产能和运行稳定性,降低成本,提高产品质量的目的。

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