公开(公告)号：CN103827752B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201280045182.3

申请日：2012-10-02

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 志垣修平 ,  谷口博昭 ,  坂本力丸 ,  何邦庆

IPC分类号： G03F7/11 ,  H01L21/027

摘要： 本发明的课题是提供一种EUV抗蚀剂的曝光灵敏度提高，用EUV光曝光时释气发生少的光刻用抗蚀剂下层膜和用于形成该下层膜的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，该水解性硅烷包含四甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷的组合，该芳基三烷氧基硅烷由下述式(1)表示：(式(1)中，R1表示由苯环或萘环构成的芳香族环、或者包含异氰脲酸结构的环，R2为芳香族环的氢原子的取代基，为卤原子或碳原子数1～10的烷氧基，X为碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的酰氧基或卤基。)(R2)n2‑R1‑(CH2)n1‑si(X)3 (1)。

公开(公告)号：CN108055851A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201680049334.5

申请日：2016-08-26

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 志垣修平 ,  谷口博昭 ,  中岛诚

IPC分类号： C08G77/38 ,  C09D7/65 ,  C09D183/04 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC分类号： C08G77/38 ,  C09D7/40 ,  C09D183/04 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

摘要： 本发明的课题是提供高低差基板的平坦化用组合物。作为解决手段是一种在抗蚀剂图案上涂布的组合物，其包含：由水解性硅烷的水解缩合物构成的聚硅氧烷所具有的硅烷醇基的一部分被封端的改性聚硅氧烷、和溶剂，该改性聚硅氧烷中的硅烷醇基相对于全部Si原子的比例为40摩尔％以下。通过上述聚硅氧烷所具有的硅烷醇基与醇的反应来调整该比例。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上形成抗蚀剂膜的工序(1)；将抗蚀剂膜进行曝光接着进行显影而形成抗蚀剂图案的工序(2)；在显影中或显影后的抗蚀剂图案上涂布上述组合物的工序(3)；通过蚀刻来除去抗蚀剂图案而使图案反转的工序(4)。在工序(3)之后，包含将涂膜表面进行回蚀而露出抗蚀剂图案的表面的工序(3-1)。

公开(公告)号：CN107966879A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711347297.9

申请日：2013-02-22

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 志垣修平 ,  谷口博昭 ,  柴山亘 ,  坂本力丸 ,  何邦庆

IPC分类号： G03F7/09 ,  H01L21/308 ,  G03F7/075 ,  C09D183/08 ,  C09D183/04 ,  C08K5/548 ,  C08K5/5455

CPC分类号： H01L21/3081 ,  C08G77/26 ,  C08G77/388 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/3086 ,  C08K5/548 ,  C08K5/5455

摘要： 本发明的目的在于提供抗蚀剂形状良好的极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物。于是，提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷A和水解性硅烷化合物b，所述聚硅氧烷A含有水解性硅烷a的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。还提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷B，所述聚硅氧烷B含有水解性硅烷a与水解性硅烷化合物b的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。聚硅氧烷(A)是四烷氧基硅烷和烷基三烷氧基硅烷和芳基三烷氧基硅烷的共水解缩合物。

公开(公告)号：CN106715619A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580049091.0

申请日：2015-09-18

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 西田登喜雄 ,  志垣修平 ,  藤谷德昌 ,  远藤贵文 ,  坂本力丸

IPC分类号： C09D201/00 ,  C08F212/12 ,  C09D5/00 ,  C09D7/00 ,  C09D183/04 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

摘要： 本发明的课题在于提供一种新型的抗蚀剂图案被覆用涂布液。本发明涉及抗蚀剂图案被覆用涂布液以及使用该涂布液的抗蚀剂图案或反转图案的形成方法，所述抗蚀剂图案被覆用涂布液包含：A成分：含有至少1个羟基或羧基的聚合物；B成分：A‑SO3H(式中，A表示碳原子数1～16的直链状或支链状的烷基或氟代烷基、具有至少1个该烷基或氟代烷基作为取代基的芳香族基团、或可以具有取代基的碳原子数4～16的脂环式基团。)表示的磺酸；以及C成分：包含R1‑O‑R2及/或R1‑C(＝O)‑R2(式中，R1表示碳原子数3～16的直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基，R2表示碳原子数1～16的直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基。)表示的醚或酮化合物的、可溶解上述聚合物的有机溶剂。

公开(公告)号：CN103827752A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280045182.3

申请日：2012-10-02

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 志垣修平 ,  谷口博昭 ,  坂本力丸 ,  何邦庆

IPC分类号： G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/311 ,  B05D3/0272 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/80 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/3081

摘要： 本发明的课题是提供一种EUV抗蚀剂的曝光灵敏度提高，用EUV光曝光时释气发生少的光刻用抗蚀剂下层膜和用于形成该下层膜的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，该水解性硅烷包含四甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷的组合，该芳基三烷氧基硅烷由下述式(1)表示：(式(1)中，R1表示由苯环或萘环构成的芳香族环、或者包含异氰脲酸结构的环，R2为芳香族环的氢原子的取代基，为卤原子或碳原子数1～10的烷氧基，X为碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的酰氧基或卤基。)。(R2)n2-R1-(CH2)n1-si(X)3？？？(1)

公开(公告)号：CN115016230A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210831769.2

申请日：2015-07-10

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 柴山亘 ,  志垣修平 ,  中岛诚 ,  武田谕 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

摘要： 本发明的课题是提供在将上层抗蚀剂曝光并利用碱性显影液、有机溶剂进行显影时形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜及其形成用组合物。本发明的解决方法是一种含有脂肪族多环结构的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，脂肪族多环结构是式(1)(式(1)中，R1是含有脂肪族多环结构且通过Si‑C键与Si原子结合的有机基团。R3表示乙氧基。a表示1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。)所示的水解性硅烷具有的结构、或者以可具有双键、羟基、或环氧基的脂肪族多环化合物、脂肪族多环式二羧酸、或脂肪族多环式二羧酸酐的形式添加的化合物中包含的结构。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) 式(1)。

公开(公告)号：CN107533302B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201680028092.1

申请日：2016-05-20

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 柴山亘 ,  中岛诚 ,  志垣修平 ,  谷口博昭 ,  坂本力丸

IPC分类号： G03F7/40 ,  C08G77/26 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

摘要： 本发明提供用于涂布于抗蚀剂图案，利用蚀刻速度差来进行图案的反转的组合物。作为解决本发明课题的方法为一种涂布于抗蚀剂图案的组合物，其包含下述(A)成分和(B)成分，(A)成分：选自金属氧化物(a1)、多酸(a2)、多酸盐(a3)、水解性硅烷(a4)、上述水解性硅烷的水解物(a5)和上述水解性硅烷的水解缩合物(a6)中的至少1种化合物；(B)成分：水性溶剂，上述水解性硅烷(a4)为包含具有氨基的有机基团的水解性硅烷(i)、包含具有离子性官能团的有机基团的水解性硅烷(ii)、包含具有羟基的有机基团的水解性硅烷(iii)或包含具有能够转化为羟基的官能团的有机基团的水解性硅烷(iv)。

公开(公告)号：CN108055851B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201680049334.5

申请日：2016-08-26

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 志垣修平 ,  谷口博昭 ,  中岛诚

IPC分类号： C08G77/38 ,  C09D7/65 ,  C09D183/04 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

摘要： 本发明的课题是提供高低差基板的平坦化用组合物。作为解决手段是一种在抗蚀剂图案上涂布的组合物，其包含：由水解性硅烷的水解缩合物构成的聚硅氧烷所具有的硅烷醇基的一部分被封端的改性聚硅氧烷、和溶剂，该改性聚硅氧烷中的硅烷醇基相对于全部Si原子的比例为40摩尔％以下。通过上述聚硅氧烷所具有的硅烷醇基与醇的反应来调整该比例。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上形成抗蚀剂膜的工序(1)；将抗蚀剂膜进行曝光接着进行显影而形成抗蚀剂图案的工序(2)；在显影中或显影后的抗蚀剂图案上涂布上述组合物的工序(3)；通过蚀刻来除去抗蚀剂图案而使图案反转的工序(4)。在工序(3)之后，包含将涂膜表面进行回蚀而露出抗蚀剂图案的表面的工序(3‑1)。

公开(公告)号：CN105940348B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201580006193.4

申请日：2015-01-30

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 梅嵜真纪子 ,  柄泽凉 ,  志垣修平 ,  水落龙太

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08L33/04 ,  C08L101/00 ,  C08L101/04

摘要： 本发明提供一种在被膜的周边部产生的边缘凸起得以减少的被膜及其形成方法，所述边缘凸起导致产生即使通过蚀刻工序也不会被除去的不需要的残渣。本发明提供一种用于光刻工序的膜形成用组合物，所述膜形成用组合物包含表面活性剂，所述表面活性剂包含具有碳原子数3～5的全氟烷基部分结构的聚合物和低聚物。全氟烷基部分结构的碳原子数优选为4。上述全氟烷基部分结构可进一步包含烷基部分结构，上述聚合物及低聚物优选为(甲基)丙烯酸酯聚合物及低聚物。上述表面活性剂的含量为膜形成用组合物的全部固态成分的0.0001～1.5质量％。膜形成用组合物还包含涂膜树脂，该树脂为酚醛清漆树脂、缩合环氧系树脂、(甲基)丙烯酸树脂、聚醚系树脂或含硅树脂等。所形成的膜可作为抗蚀剂下层膜或抗蚀剂上层膜使用。

公开(公告)号：CN104412370B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201380035843.9

申请日：2013-07-08

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 佐佐卓 ,  志垣修平

IPC分类号： H01L21/304 ,  B08B9/027 ,  H01L21/027

CPC分类号： C11D11/0041 ,  C11D3/042 ,  C11D3/2044 ,  C11D3/2068 ,  C11D3/2096 ,  C11D3/43 ,  C11D7/08 ,  C11D7/5004 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31 ,  H01L21/6704

摘要： 本发明的课题是提供用于在半导体元件制造工序中，预先防止抗蚀剂图案形成后或半导体基板加工后产生的半导体基板上所产生的缺陷，为了在光刻工序中，在光刻用药液向半导体制造装置内通液之前，除去药液通液部分所存在的金属杂质等，而用于有效地进行这些杂质的除去的洗涤液。作为解决本发明的课题的方法是一种洗涤液，其用于对制造半导体的光刻工序中所使用的半导体制造装置内的光刻用药液的通液部分进行洗涤，所述洗涤液包含无机酸、水和亲水性有机溶剂。该洗涤液中的无机酸的浓度基于洗涤液的总量优选为0.0001质量％～60质量％。