公开(公告)号：CN104285290B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201480001113.1

申请日：2014-03-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田佑司 ,  片居木俊 ,  天野真悟 ,  杉本博哉

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC classification number: F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有氧化铝制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料中碳化硅的含量最多，并且含有硅化钛、钛碳化硅以及碳化钛。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间，以及在第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系或Al-Mg系的金属接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。

公开(公告)号：CN107240568A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710193551.8

申请日：2017-03-28

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 天野真悟

IPC: H01L21/673

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68792 ,  H05B1/0233 ,  H01L21/673

Abstract: 本发明提供一种晶片载置装置。该晶片载置装置(30)具备：具有晶片载置面的陶瓷基体(32)、埋设于陶瓷基体(32)的加热电极(34)，以及从陶瓷基体(32)的与晶片载置面相反一侧的面电连接于加热电极(34)的Cu制的供电杆(36、37)。供电杆(36)优选在螺纹结合之前的状态下，将一端作为固定端，另一端作为自由端，求出在从固定端起向着自由端为50mm的位置施加的应力与该位置的应变的关系时，与应变1mm对应的应力落入5～10N的范围内。

公开(公告)号：CN107240568B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201710193551.8

申请日：2017-03-28

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 天野真悟

IPC: H01L21/673

Abstract: 本发明提供一种晶片载置装置。该晶片载置装置(30)具备：具有晶片载置面的陶瓷基体(32)、埋设于陶瓷基体(32)的加热电极(34)，以及从陶瓷基体(32)的与晶片载置面相反一侧的面电连接于加热电极(34)的Cu制的供电杆(36、37)。供电杆(36)优选在螺纹结合之前的状态下，将一端作为固定端，另一端作为自由端，求出在从固定端起向着自由端为50mm的位置施加的应力与该位置的应变的关系时，与应变1mm对应的应力落入5～10N的范围内。

公开(公告)号：CN104285290A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201480001113.1

申请日：2014-03-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田佑司 ,  片居木俊 ,  天野真悟 ,  杉本博哉

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC classification number: F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969 ,  C04B35/575 ,  H01L2221/683

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有氧化铝制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料中碳化硅的含量最多，并且含有硅化钛、钛碳化硅以及碳化钛。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间，以及在第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系或Al-Mg系的金属接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。

公开(公告)号：CN104254913B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480001099.5

申请日：2014-03-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田佑司 ,  片居木俊 ,  天野真悟 ,  杉本博哉

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC classification number: H01L21/67109 ,  B21D53/02 ,  B32B9/005 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0012 ,  B32B2311/00 ,  B32B2311/24 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62635 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/4935

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有AlN制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板?卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料从含量多的起依次包含SiC、Ti3SiC2以及TiC。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间和第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al?Si?Mg系接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。

公开(公告)号：CN104254913A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201480001099.5

申请日：2014-03-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田佑司 ,  片居木俊 ,  天野真悟 ,  杉本博哉

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC classification number: H01L21/67109 ,  B21D53/02 ,  B32B9/005 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0012 ,  B32B2311/00 ,  B32B2311/24 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62635 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/4935

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有AlN制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料从含量多的起依次包含SiC、Ti3SiC2以及TiC。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间和第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。