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公开(公告)号：CN102325739A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008541.9
申请日：2010-02-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B37/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , B32B15/04 , C04B35/6269 , C04B35/63424 , C04B37/028 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2237/343 , C04B2237/346 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/525 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , Y10T279/23 , Y10T428/31678
Abstract: 首先，准备板(22)、冷却板(28)和丙烯树脂制的两面粘着性的接合片(32)。接着，将接合片(32)贴付到冷却板(28)的上表面。接着，将贴付有接合片(32)的冷却板(28)放置于真空干燥机内，将干燥机内压力减压至2000Pa以下，以此状态进行预焙处理。预焙处理在120～130℃下进行15～40小时，之后在真空中进行自然冷却。预焙处理之后，进行层叠使得贴付于冷却板(28)的接合片(32)的上表面与板(22)的下表面一致，并在放入耐热树脂包袋中，之后放入压热器，在加压加热条件下进行数小时的处理，获得静电卡盘(20)。
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公开(公告)号：CN116264171A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211018546.0
申请日：2022-08-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H05B3/03 , H05B3/18
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，抑制导电过孔的发热。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，其具有晶片载放面(20a)；加热器电极(30)，其植入于陶瓷基材(20)；以及内部过孔(54)，其一端与加热器电极(30)连接。内部过孔(54)是将上方柱状部件(54a)及下方柱状部件(54b)沿着上下方向连结而得到的，上方柱状部件(54a)及下方柱状部件(54b)中的一者的连结面的面积大于另一者的连结面的面积。
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公开(公告)号：CN116744481A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211285014.3
申请日：2022-10-20
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种陶瓷加热器，其容易使整个晶片载放面的温度变得均匀。陶瓷加热器(20)具备：陶瓷板(21)，其表面具有晶片载放面；区段加热器，其与将陶瓷板(20)的表面分割为多个得到的区段分别对应地植入于陶瓷板；端子(27)，其借助陶瓷板(21)的内部配线而与区段加热器的端部连接；端子集中区域(F1～F7)，其中集中配置有多个端子(27)；端子空缺区域(E1～E17)，其中未配置端子。该陶瓷加热器(20)中，作为区段加热器，具备在与端子集中区域(F1～F7)对应的区段所设置的端子集中区域对应区段加热器、以及在与端子空缺区域(E1～E14)对应的区段所设置的端子空缺区域区段加热器。
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公开(公告)号：CN104285290B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480001113.1
申请日：2014-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/565
CPC classification number: F28F3/12 , B23K1/0008 , B23K1/19 , C04B35/5611 , C04B35/5615 , C04B35/565 , C04B35/58092 , C04B35/645 , C04B37/006 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/404 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , F28F21/086 , H01L21/6833 , Y10T428/249969
Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有氧化铝制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料中碳化硅的含量最多，并且含有硅化钛、钛碳化硅以及碳化钛。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间，以及在第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系或Al-Mg系的金属接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。
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公开(公告)号：CN119585859A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202280006007.7
申请日：2022-08-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷基材20，其具有晶片载放面20a；加热器电极30，其植入于陶瓷基材20；平面形状的上方跳线层40，其设置于有别于加热器电极30的另一层；内部导通柱42，其将上方跳线层40和加热器电极30的一端连接；以及供电导通柱46，其与上方跳线层40连接。上方跳线层40处的内部导通柱42和供电导通柱46的中心间距离为50mm以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104285290A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201480001113.1
申请日：2014-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/565
CPC classification number: F28F3/12 , B23K1/0008 , B23K1/19 , C04B35/5611 , C04B35/5615 , C04B35/565 , C04B35/58092 , C04B35/645 , C04B37/006 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/404 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , F28F21/086 , H01L21/6833 , Y10T428/249969 , C04B35/575 , H01L2221/683
Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有氧化铝制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料中碳化硅的含量最多，并且含有硅化钛、钛碳化硅以及碳化钛。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间，以及在第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系或Al-Mg系的金属接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。
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公开(公告)号：CN119908030A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202280035573.0
申请日：2022-10-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供能够在晶片载放台制造后调整载放面处的均热性的方法。进行以下工序：a)准备晶片载放台，该晶片载放台具备：陶瓷基体，其具备晶片的载放面且能够通电加热；以及冷却板，其接合于陶瓷基体，能够利用被供给到流路的冷媒进行冷却，并由流路所在的基部和相对于基部而装卸自如且通过自基部拆下而能够使流路敞开的盖部构成冷却板；b)将盖部安装于基部，一边进行通电加热和冷却，一边对温度分布进行测定；c)温度分布不满足规定的基准的情况下，将盖部拆下，对流路形状局部地进行调整；d)在将盖部安装于基部之后，一边进行通电加热和冷却，一边对被调整了流路形状的晶片载放台的温度分布进行再次测定，反复进行工序c)、d)，直至再次测定得到的温度分布满足规定的基准为止。
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公开(公告)号：CN104254913B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480001099.5
申请日：2014-03-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/565
CPC classification number: H01L21/67109 , B21D53/02 , B32B9/005 , B32B37/10 , B32B38/0012 , B32B2311/00 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , C04B35/5615 , C04B35/575 , C04B35/62635 , C04B37/006 , C04B2235/3826 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/708 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68757 , Y10T29/4935
Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有AlN制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板?卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料从含量多的起依次包含SiC、Ti3SiC2以及TiC。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间和第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al?Si?Mg系接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。
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公开(公告)号：CN104254913A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201480001099.5
申请日：2014-03-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/565
CPC classification number: H01L21/67109 , B21D53/02 , B32B9/005 , B32B37/10 , B32B38/0012 , B32B2311/00 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , C04B35/5615 , C04B35/575 , C04B35/62635 , C04B37/006 , C04B2235/3826 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/708 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68757 , Y10T29/4935
Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有AlN制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料从含量多的起依次包含SiC、Ti3SiC2以及TiC。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间和第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。
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公开(公告)号：CN102325739B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201080008541.9
申请日：2010-02-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B37/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , B32B15/04 , C04B35/6269 , C04B35/63424 , C04B37/028 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2237/343 , C04B2237/346 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/525 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , Y10T279/23 , Y10T428/31678
Abstract: 首先，准备板(22)、冷却板(28)和丙烯树脂制的两面粘着性的接合片(32)。接着，将接合片(32)贴付到冷却板(28)的上表面。接着，将贴付有接合片(32)的冷却板(28)放置于真空干燥机内，将干燥机内压力减压至2000Pa以下，以此状态进行预焙处理。预焙处理在120～130℃下进行15～40小时，之后在真空中进行自然冷却。预焙处理之后，进行层叠使得贴付于冷却板(28)的接合片(32)的上表面与板(22)的下表面一致，并在放入耐热树脂包袋中，之后放入压热器，在加压加热条件下进行数小时的处理，获得静电卡盘(20)。
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