公开(公告)号：CN104285290B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201480001113.1

申请日：2014-03-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田佑司 ,  片居木俊 ,  天野真悟 ,  杉本博哉

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC classification number: F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有氧化铝制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料中碳化硅的含量最多，并且含有硅化钛、钛碳化硅以及碳化钛。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间，以及在第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系或Al-Mg系的金属接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。

公开(公告)号：CN105392758A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201580001225.1

申请日：2015-03-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 片居木俊 ,  谷村昂

IPC: C04B37/02 ,  B23K1/19 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  B23K3/00 ,  B23K2103/18 ,  B23K2103/52 ,  C04B37/02 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/80 ,  H01L21/68785

Abstract: 半导体制造装置用部件具备作为AlN制陶瓷板的基座10和与基座10接合的气体导入管20。在基座10中与气体导入管20的凸缘22相对的位置上，形成有环状的管接合用倾斜部14。此外，在凸缘22与管接合用倾斜部14之间，形成有管钎焊部24。凸缘22的宽度为3mm以上，厚度为0.5mm以上2mm以下。管接合用倾斜部14的高度优选为0.5mm以上，与凸缘22的外缘相对置的角的倒角在为C倒角时优选为C0.3以上，在为R倒角时优选为R0.3以上。

公开(公告)号：CN104064494B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201410100477.7

申请日：2014-03-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 大场教磨 ,  川尻哲也 ,  片居木俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67 ,  B32B7/12 ,  B32B15/04 ,  B32B18/00 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/31522

Abstract: 本发明的课题是提供一种半导体制造装置用部件，其为将陶瓷零件与金属零件通过热固化片进行接合的半导体制造装置用部件，其能够充分耐受在高温时的应用。本发明的半导体制造装置用部件（10）为将氧化铝制的静电卡盘（12）与铝制的冷却板（14）通过热固化片（16）进行接合的半导体制造装置用部件。热固化片（16）是使环氧‑丙烯酸系混合的粘结剂固化而成的热固化片。粘结剂含有（A）能够进行氢转移型加聚的环氧树脂、（B）丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的聚合物、（C）固化剂。

公开(公告)号：CN104285290A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201480001113.1

申请日：2014-03-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田佑司 ,  片居木俊 ,  天野真悟 ,  杉本博哉

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC classification number: F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969 ,  C04B35/575 ,  H01L2221/683

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有氧化铝制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料中碳化硅的含量最多，并且含有硅化钛、钛碳化硅以及碳化钛。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间，以及在第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系或Al-Mg系的金属接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。

公开(公告)号：CN104254913B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480001099.5

申请日：2014-03-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田佑司 ,  片居木俊 ,  天野真悟 ,  杉本博哉

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC classification number: H01L21/67109 ,  B21D53/02 ,  B32B9/005 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0012 ,  B32B2311/00 ,  B32B2311/24 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62635 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/4935

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有AlN制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板?卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料从含量多的起依次包含SiC、Ti3SiC2以及TiC。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间和第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al?Si?Mg系接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。

公开(公告)号：CN104254913A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201480001099.5

申请日：2014-03-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田佑司 ,  片居木俊 ,  天野真悟 ,  杉本博哉

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC classification number: H01L21/67109 ,  B21D53/02 ,  B32B9/005 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0012 ,  B32B2311/00 ,  B32B2311/24 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62635 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/4935

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有AlN制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料从含量多的起依次包含SiC、Ti3SiC2以及TiC。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间和第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。

公开(公告)号：CN110770891B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201880041614.0

申请日：2018-10-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  森冈育久 ,  片居木俊 ,  相川贤一郎

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

Abstract: 一种静电卡盘(20)，其具备：圆板状的陶瓷基体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(28a)的外侧具有比晶片载置面(28a)低的环状台阶面(24a)，且具有能够发挥库仑力的体积电阻率；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷基体(22)的内部中与晶片载置面(28a)相对的位置；聚焦环吸附用电极(38)，其在陶瓷基体(22)的环状台阶面(24a)上与晶片吸附用电极(32)独立地设置；以及喷镀膜(28)，其被覆设置有聚焦环吸附用电极(38)的环状台阶面(24a)，具有能够发挥约翰逊‑拉别克力的体积电阻率。喷镀膜(28)的上表面为用于载置聚焦环的聚焦环载置面(28a)。

公开(公告)号：CN110770891A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201880041614.0

申请日：2018-10-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  森冈育久 ,  片居木俊 ,  相川贤一郎

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

Abstract: 一种静电卡盘(20)，其具备：圆板状的陶瓷基体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(28a)的外侧具有比晶片载置面(28a)低的环状台阶面(24a)，且具有能够发挥库仑力的体积电阻率；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷基体(22)的内部中与晶片载置面(28a)相对的位置；聚焦环吸附用电极(38)，其在陶瓷基体(22)的环状台阶面(24a)上与晶片吸附用电极(32)独立地设置；以及喷镀膜(28)，其被覆设置有聚焦环吸附用电极(38)的环状台阶面(24a)，具有能够发挥约翰逊-拉别克力的体积电阻率。喷镀膜(28)的上表面为用于载置聚焦环的聚焦环载置面(28a)。

公开(公告)号：CN105392758B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201580001225.1

申请日：2015-03-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 片居木俊 ,  谷村昂

IPC: C04B37/02 ,  B23K1/19 ,  H01L21/683

Abstract: 半导体制造装置用部件具备作为AlN制陶瓷板的基座10和与基座10接合的气体导入管20。在基座10中与气体导入管20的凸缘22相对的位置上，形成有环状的管接合用倾斜部14。此外，在凸缘22与管接合用倾斜部14之间，形成有管钎焊部24。凸缘22的宽度为3mm以上，厚度为0.5mm以上2mm以下。管接合用倾斜部14的高度优选为0.5mm以上，与凸缘22的外缘相对置的角的倒角在为C倒角时优选为C0.3以上，在为R倒角时优选为R0.3以上。

公开(公告)号：CN104064494A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410100477.7

申请日：2014-03-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 大场教磨 ,  川尻哲也 ,  片居木俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67 ,  B32B7/12 ,  B32B15/04 ,  B32B18/00 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/31522

Abstract: 本发明的课题是提供一种半导体制造装置用部件，其为将陶瓷零件与金属零件通过热固化片进行接合的半导体制造装置用部件，其能够充分耐受在高温时的应用。本发明的半导体制造装置用部件（10）为将氧化铝制的静电卡盘（12）与铝制的冷却板（14）通过热固化片（16）进行接合的半导体制造装置用部件。热固化片（16）是使环氧-丙烯酸系混合的粘结剂固化而成的热固化片。粘结剂含有（A）能够进行氢转移型加聚的环氧树脂、（B）丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的聚合物、（C）固化剂。