-
公开(公告)号：CN101427365B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200780014506.6
申请日：2007-08-27
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L23/02 , G01P15/08 , G01P15/12 , H01L21/306 , H01L29/84
CPC classification number: G01P15/125 , B81C1/00873 , G01C19/5719 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种通过MEMS技术制造的半导体传感器件，其中加工技术和/或材料技术与用于检测和测量各个物理量的半导体技术结合。在该半导体传感器件中，盖芯片和模制树脂中产生的破裂被消除，并保证半导体传感器芯片和盖芯片之间的气密性。通过使盖芯片的周围侧表面作为湿法蚀刻表面，可以由于消除切割时施加的震动而引起的破裂。此外，通过用绝缘保护膜包覆盖芯片侧表面来保证绝缘。
-
公开(公告)号：CN101765776A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880100793.7
申请日：2008-06-25
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: G01P15/18 , G01P15/123 , G01P2015/0842 , H01L24/45 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明实现一种灵敏度等特性相对于施加在传感器芯片上的干扰力难以变动的加速度传感器。加速度传感器具有经由支承框和挠性梁支承在支承框内的重锤、设置于梁的半导体压阻元件、将它们连接起来的配线，根据压阻元件的电阻变化来检测加速度。在梁的形成有压阻元件的部分以外的部分设有应力缓冲部。应力缓冲部关于梁的长度中心线和宽度中心线对称。即使干扰力沿梁整体延伸的方向施加于传感器元件，也可以由应力缓冲部来吸收干扰力。由于梁整体延伸的方向的应力难以变化，因此梁的易变形度也难以变化，能够降低干扰力的影响造成的灵敏度变化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101427365A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014506.6
申请日：2007-08-27
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L23/02 , G01P15/08 , G01P15/12 , H01L21/306 , H01L29/84
CPC classification number: G01P15/125 , B81C1/00873 , G01C19/5719 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种通过MEMS技术制造的半导体传感器件，其中加工技术和/或材料技术与用于检测和测量各个物理量的半导体技术结合。在该半导体传感器件中，盖芯片和模制树脂中产生的破裂被消除，并保证半导体传感器芯片和盖芯片之间的气密性。通过使盖芯片的周围侧表面作为湿法蚀刻表面，可以由于消除切割时施加的震动而引起的破裂。此外，通过用绝缘保护膜包覆盖芯片侧表面来保证绝缘。
-
公开(公告)号：CN101765776B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200880100793.7
申请日：2008-06-25
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: G01P15/18 , G01P15/123 , G01P2015/0842 , H01L24/45 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明实现一种灵敏度等特性相对于施加在传感器芯片上的干扰力难以变动的加速度传感器。加速度传感器具有经由支承框和挠性梁支承在支承框内的重锤、设置于梁的半导体压阻元件、将它们连接起来的配线，根据压阻元件的电阻变化来检测加速度。在梁的形成有压阻元件的部分以外的部分设有应力缓冲部。应力缓冲部关于梁的长度中心线和宽度中心线对称。即使干扰力沿梁整体延伸的方向施加于传感器元件，也可以由应力缓冲部来吸收干扰力。由于梁整体延伸的方向的应力难以变化，因此梁的易变形度也难以变化，能够降低干扰力的影响造成的灵敏度变化。
-
公开(公告)号：CN101261964B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810008696.7
申请日：2008-02-05
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L23/02 , H01L23/04 , H01L23/488 , H01L21/52 , H01L21/60 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , B81C3/00
CPC classification number: B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种功能元件封装，是利用焊接对功能元件进行晶片级气密密封的封装结构，本发明中采用具有在内部表面实施金属化膜的凹部的第1 Si基板，和在所述凹部相对的位置上实施金属化膜的第2 Si基板，在所述第1 Si基板的所述凹部的内表面实施的金属化膜，和所述第2 Si基板的与所述凹部相对的位置上实施金属化膜，通过熔融焊料来进行连接，将所述功能元件气密密封在该第1 Si基板和第2 Si基板之间。这样，能够提高焊料对2个Si基板的润湿性，增强Si基板之间的接合性，提高封装的制造成品率。
-
公开(公告)号：CN101261964A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810008696.7
申请日：2008-02-05
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L23/02 , H01L23/04 , H01L23/488 , H01L21/52 , H01L21/60 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , B81C3/00
CPC classification number: B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种功能元件封装，是利用焊接对功能元件进行晶片级气密密封的封装结构，本发明中采用具有在内部表面实施金属化膜的凹部的第1Si基板，和在所述凹部相对的位置上实施金属化膜的第2Si基板，在所述第1Si基板的所述凹部的内表面实施的金属化膜，和所述第2Si基板的与所述凹部相对的位置上实施金属化膜，通过熔融焊料来进行连接，将所述功能元件气密密封在该第1Si基板和第2Si基板之间。这样，能够提高焊料对2个Si基板的润湿性，增强Si基板之间的接合性，提高封装的制造成品率。
-
公开(公告)号：CN101122611A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140744.3
申请日：2007-08-09
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 公开了一种多量程三轴加速度传感器装置，其中多个三轴加速度传感器元件在其间没有轴偏差的情况下形成于单个硅芯片中并具有不同的加速度测量量程。多个传感器元件中每个都包括配重、围绕配重的框架、以及连接配重与框架的由梁或隔膜构成的挠性构件。多个传感器元件中每个都产生彼此不同的对单位加速度的输出电压。多个传感器元件中的第一三轴加速度传感器元件使其它传感器元件形成在第一三轴加速度传感器元件的框架中，并产生比其它传感器元件大的对单位加速度的输出电压。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.02 seconds)
