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公开(公告)号：CN101959820A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106555.1
申请日：2009-02-26
申请人： 旭硝子株式会社
CPC分类号： C03B19/1453 , C03B19/1415 , C03B2201/075 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03B2207/70 , C03B2207/81 , C03C3/06 , C03C3/076 , C03C2201/23 , C03C2201/42 , C03C2203/44 , C03C2203/52 , C03C2203/54 , Y02P40/57
摘要： 本发明提供了一种TiO2-SiO2玻璃，当用作EUVL用曝光工具的光学部件时，在使用EUV光辐照时的范围内，其线性热膨胀系数基本为零，并具有极高的表面平滑度。本发明涉及一种含TiO2的石英玻璃，所述石英玻璃的TiO2含量为7.5至12质量％，线性热膨胀系数为0ppb/℃时的温度处于40至110℃的范围内，并且条纹应力水平的标准偏差(σ)在至少一个面内的30mm×30mm的区域内为0.03MPa以下。
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公开(公告)号：CN101959817A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106333.X
申请日：2009-02-25
申请人： 旭硝子株式会社
CPC分类号： C03C3/06 , C03B19/1453 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03C2201/23 , C03C2203/44 , C03C2203/52 , C03C2203/54
摘要： 本发明提供一种TiO2-SiO2玻璃，其在用作EUVL用曝光工具的光学部件时，当用高EUV能量光辐照时，所述玻璃的线性热膨胀系数基本上为零。本发明涉及含TiO2的石英玻璃，所述石英玻璃的假想温度为1000℃以下，OH浓度为600ppm以上，线性温度系数为0ppb/℃时的温度处于40至110℃的范围内，且在20至100℃温度范围内的平均线性热膨胀系数为50ppb/℃以下。
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公开(公告)号：CN101959812A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106891.6
申请日：2009-02-27
申请人： 旭硝子株式会社
CPC分类号： C03B19/1453 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03B2201/075 , C03B2201/21 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C3/076 , C03C4/0071 , C03C4/0085 , C03C2201/21 , C03C2201/23 , C03C2201/42 , C03C2203/44 , C03C2203/52 , C03C2203/54 , G03F1/24 , G03F7/70958 , Y02P40/57
摘要： 本发明提供了一种TiO2-SiO2玻璃，其中当用作EUVL用曝光工具的光学部件时，在使用高EUV能量的光辐照时热膨胀系数基本为零，并且通过从玻璃中释出氢能够长时间保持多层的物理性能。本发明涉及一种含TiO2的石英玻璃，所述石英玻璃的假想温度为1100℃以下，氢分子浓度为1×1016分子/cm3以上，并且线性热膨胀系数为0ppb/℃时的温度处于40至110℃的范围内。
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公开(公告)号：CN102844858A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180019562.5
申请日：2011-04-14
申请人： 旭硝子株式会社
CPC分类号： H01L23/15 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2103/16 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , C03C3/091 , C03C3/093 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , Y10T428/24273 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供可显著地抑制α射线的发生，且能够进行激光加工、与硅制部件的亲和性高的、用于形成半导体器件贯通电极的玻璃基板。本发明涉及玻璃基板，其特征在于，其具有多个贯通孔，α计数为0.05c/cm2·h以下，包含40wt%以上的SiO2，且Li2O的含量（wt%）+Na2O的含量（wt%）+K2O的含量（wt%）的总和为6.0wt%以下，50℃~350℃下的平均热膨胀系数在20×10-7/K~40×10-7/K的范围。
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公开(公告)号：CN1930521A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580006953.8
申请日：2005-03-04
申请人： 旭硝子株式会社
CPC分类号： G03F7/70966 , C03B19/1453 , C03C3/06 , Y02P40/57 , Y10T428/31616
摘要： 提供了一种具有低的双折射、可以使用偏振辐照或进行浸没曝光的光掩模基片。一种由合成石英玻璃制成的光掩模基片，该基片用来使用具有最多约200纳米的曝光波长的光源制造半导体，该基片在曝光波长下的双折射最多为1纳米/6.35毫米，使用照度为13.2毫瓦/厘米2的Xe准分子灯辐照之前和辐照20分钟之后，该基片的透光度减少量，即波长217纳米处的透光度之差最多为1.0％。
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公开(公告)号：CN101959812B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200980106891.6
申请日：2009-02-27
申请人： 旭硝子株式会社
CPC分类号： C03B19/1453 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03B2201/075 , C03B2201/21 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C3/076 , C03C4/0071 , C03C4/0085 , C03C2201/21 , C03C2201/23 , C03C2201/42 , C03C2203/44 , C03C2203/52 , C03C2203/54 , G03F1/24 , G03F7/70958 , Y02P40/57
摘要： 本发明提供了一种TiO2-SiO2玻璃，其中当用作EUVL用曝光工具的光学部件时，在使用高EUV能量的光辐照时热膨胀系数基本为零，并且通过从玻璃中释出氢能够长时间保持多层的物理性能。本发明涉及一种含TiO2的石英玻璃，所述石英玻璃的假想温度为1100℃以下，氢分子浓度为1×1016分子/cm3以上，并且线性热膨胀系数为0ppb/℃时的温度处于40至110℃的范围内。
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公开(公告)号：CN102844857A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180019560.6
申请日：2011-04-14
申请人： 旭硝子株式会社
IPC分类号： H01L23/15
CPC分类号： H01L23/15 , H01L21/4807 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , Y10T428/24273 , Y10T428/24298 , H01L2924/00
摘要： 提供与现有的半导体器件贯通电极用的玻璃基板相比具有更加良好的强度的玻璃基板。本发明涉及玻璃基板，其特征在于，其为具有第1表面和第2表面，且具有从所述第1表面延伸到所述第2表面的贯通孔的半导体器件贯通电极用的玻璃基板，其中，所述第1表面和第2表面的至少一个进行了化学强化。
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公开(公告)号：CN101479206B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200780022562.4
申请日：2007-06-13
CPC分类号： C03C3/06 , C03C2201/02 , C03C2201/32 , C03C2201/50 , C30B7/10 , C30B29/18 , Y10T117/1008
摘要： 本发明的目的为提供一种人造石英部件，其使得被波长为200nm以下的激光长期照射引起的在激光波长范围内的透射率减少被抑制；以及一种制造所述人造石英部件的方法。本发明提供一种用作被波长为200nm以下的激光照射的光学元件的人造石英部件，其铝含量为200ppb以下。
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公开(公告)号：CN101959818A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107137.4
申请日：2009-02-27
申请人： 旭硝子株式会社
CPC分类号： C03B19/1461 , C03B19/1453 , C03B2201/12 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C2201/12 , C03C2203/46 , C03C2203/52 , C03C2203/54 , Y02P40/57
摘要： 本发明提供了一种TiO2-SiO2玻璃，其在使用高EUV能量的光辐照时的线性热膨胀系数基本为零，适合作为EUVL用曝光工具的光学部件。本发明涉及一种含TiO2的石英玻璃，所述石英玻璃的卤素含量为100ppm以上；假想温度为1100℃以下；在20至100℃范围内的平均线性热膨胀系数为30ppb/℃以下；线性热膨胀系数为0±5ppb/℃时的温度宽度ΔT为5℃以上；线性热膨胀系数为0ppb/℃时的温度处于30至150℃的范围内。
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