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公开(公告)号：CN113943923A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111217103.X
申请日：2021-10-19
Abstract: 本发明公开了一种基于特斯拉阀制备石墨烯复合材料的方法，包括如下步骤：从特斯拉阀管的逆向依次通入三氧化二铝、二氧化硅，通过物理气相沉积法制备形成基体材料；再从特斯拉阀管的正向依次通入石墨烯、二氧化硅、三氧化二铝，通过物理气相沉积法制备形成石墨烯复合材料。本发明利用特斯拉阀管的特殊的结构及性能，在其内壁制备出石墨烯复合材料，所制备得到的石墨烯复合材料具有优异的高温稳定性，且结构简单、重量轻，能耐高温氧化腐蚀及各种苛刻环境，适合各种电路等强电流环境。
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公开(公告)号：CN113073385B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110348420.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅还原炉布棒方法、环状布棒多晶硅及用途，硅棒排布呈圆环状排布，圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离为R；每一圆环形成的几何图形在底盘呈正n边形分布；圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离R可以表示为与硅棒形成的正多边形相关的几何参数的代数式。本发明的布棒方式在相同数目的情况下排列更紧密，硅棒布置符合工艺参数的要求，且应用该排布方式时降低还原炉造价成本，降低生产能耗，达到减少生产成本的目的；能够在不改变还原炉内硅棒数的基础上，减小多晶硅还原炉的直径，并降低生产电耗，降低设备制造成本和多晶硅生产成本。
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公开(公告)号：CN114870753A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210488567.2
申请日：2022-05-06
Applicant: 昆明理工大学 , 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种TiCl4氧化反应器气体分布器，属于化工冶金技术中TiO2生产领域。环道柱状壁面上设有与环道内部相通的TiCl4气体进气管，环道内部从外至圆心依次设有同心的双折流板整流环、气相反应道，双折流板整流环中的每个整流板柱面宽度一致，其中一个大的整流板贴紧环道一个柱面，另一个小的整流板贴紧环道另一个柱面，大的整流板和小的整流板过渡空间处形成“S”型环缝，气相反应道壁面中间位置设有若干均匀间隔分布的射流孔，气相反应道端面中间位置设有氧气进气管与气相反应道相通。本发明通过优化TiCl4气体分布器结构，采用双折流板整流环结构来改善反应物料混合状态，提高TiO2产品质量，减少氧化反应器结疤现象。
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公开(公告)号：CN118062889A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410140955.0
申请日：2024-02-01
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，公开了一种超声赋能‑微液氧化制备超细氧化锑的方法及系统，其方法包括：(1)将锑源置于液化炉中，升高温度熔化成锑液，所述锑液由熔体泵稳定进入雾化器；(2)在所述锑液流经雾化器管道时，对所述锑液进行超声赋能，赋能后，在雾化器的作用下将所述锑液雾化成微液，随后进入雾化塔中；(3)所述微液从所述加热区进入所述雾化塔，所述微液与流经预热区的高速热风对冲氧化，氧化后的所述微液随所述热风挥发进入冷却区冷却，得到氧化锑，随后进行收尘，得纳米氧化锑。本发明的生产设备简单；产量大、效率高；氧化锑粒度细、分布均匀；球形度好。
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公开(公告)号：CN118006936A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410075130.5
申请日：2024-01-18
Applicant: 昆明理工大学 , 云南驰宏国际锗业有限公司
Abstract: 本发明涉及锗材料制备技术领域，公开了一种基于旋转CVD反应器还原生产高纯锗的方法，包含下列步骤：将四氯化锗蒸汽与氢气从旋转CVD反应器的进气口通入到容器内部反应，吸附、分解和团聚的作用在容器底部的基体锗上沉积锗。本发明通过旋转的基体锗，加强了界面扰动，增加了化学反应速率和传质系数，使得单炉锗的产量增加，提高了经济效益；降低了高纯四氯化锗与高纯氢气的进气比例，减小尾气分离难度，节约成本。同时通过调节旋转的转速，增强基体表面的界面更新速率，提高反应的选择性，并减少杂质颗粒的生成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113073385A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110348420.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅还原炉布棒方法、环状布棒多晶硅及用途，硅棒排布呈圆环状排布，圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离为R；每一圆环形成的几何图形在底盘呈正n边形分布；圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离R可以表示为与硅棒形成的正多边形相关的几何参数的代数式。本发明的布棒方式在相同数目的情况下排列更紧密，硅棒布置符合工艺参数的要求，且应用该排布方式时降低还原炉造价成本，降低生产能耗，达到减少生产成本的目的；能够在不改变还原炉内硅棒数的基础上，减小多晶硅还原炉的直径，并降低生产电耗，降低设备制造成本和多晶硅生产成本。
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公开(公告)号：CN111268682A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010183466.5
申请日：2020-03-16
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/035 , H01L29/16 , H01L31/0368
Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域，公开了一种制备多晶硅的原料组合物、制备方法及制备系统，制备多晶硅的组合物由SiCl4(STC)和SiHCl3(TCS)组成，按质量比例STC：TCS＝(20％～50％):(80％～50％)。制备多晶硅的方法包括：以STC和TCS按质量比例混合为原料，并根据原料混合比例确定Cl/H的进料配比，在温度1323-1473K，压强0.1-0.6MPa的制备条件下，进行多晶硅的制备。本发明为降低TCS和STC彻底分离带来的高成本问题，进行了温度、压强以及进料配比对硅沉积率影响的分析，在硅原料中TCS所占比例为80％～50％，Cl/H为0.04-0.1时，硅产率可达到35％以上。
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公开(公告)号：CN115896466A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310011446.3
申请日：2023-01-05
Applicant: 昆明理工大学 , 个旧市沙甸永和冶炼厂
Abstract: 本发明提供了一种处理复杂有色金属二次物料的方法，涉及有色金属冶金技术领域，本发明通过富氧侧吹—还原底吹冶炼一体炉对复杂有色金属二次物料进行富氧熔炼和烟化挥发，配合离心机加硫除铜、结晶机分离锡、铅，可有效对复杂有色金属二次物料进行综合处理，提高资源综合利用效率，降低成本，富氧侧吹—还原底吹冶炼一体炉不同位置设置三个通风口，满足实现不同冶炼过程的燃料、气氛与温度的需要，设置两个系统收尘，减轻后续资源利用压力，能提高富氧侧吹—还原底吹冶炼一体炉的功能。
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公开(公告)号：CN114700077A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210433021.7
申请日：2022-04-24
Applicant: 昆明理工大学 , 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司
IPC: B01J23/745 , B01J21/06 , B01J35/10 , B01J37/03 , B01J37/02 , C02F1/30 , C02F101/34
Abstract: 本发明涉及一种三氧化二铁掺杂双相二氧化钛催化剂的制备方法及其应用，属于催化剂制备技术领域。首先将三嵌段共聚物置于水溶液中磁力搅拌，然后加入异丙醇钛盐，在温度为90℃下剧烈连续搅拌30‑50min，然后过滤分离得到白色凝胶，用C2H5OH和H2O洗涤，真空干燥，最后煅烧，得到锐钛矿‑板钛矿TiO2；将得到的锐钛矿‑板钛矿TiO2加入C2H5OH，磁力搅拌，然后加入Fe(NO3)3⋅9H2O搅拌，最后加入NaBH4，搅拌混合12h，离心分离得到粉末，用水洗涤后干燥，得到Fe2O3‑双相TiO2催化剂。本发明的使得Fe2O3在表面进行均匀的分布，从而提高催化剂的光催化活性，以及提高降解能力。
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公开(公告)号：CN104357661B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410595856.8
申请日：2014-10-30
Applicant: 云南铜业股份有限公司 , 昆明理工大学
CPC classification number: Y02P10/234 , Y02P10/236
Abstract: 本发明公开一种从铅冰铜中综合回收铜、铟的方法，其中，包括步骤：A、将铅冰铜块料破碎，然后球磨得到铅冰铜粉料；B、将球磨后得到的铅冰铜粉料在高压釜内用硫酸浸出，浸出过程中不断通入氧气；C、浸出后进行固液分离，得到浸出渣和含铜离子和铟离子的浸出液；D、用ZJ988选择性萃取浸出液中的铜离子，用硫酸‑硫酸铜溶液反萃负载有机相得到硫酸铜富集液，将硫酸铜富集液作为电积沉铜的电解液，经硫酸铜电积工艺得到阴极电铜；E、用P204选择性萃取铟离子，然后用盐酸溶液反萃负载有机相得到氯化铟富集液，用锌板或铝板置换所述氯化铟富集液得到海绵铟。本发明实现铅冰铜中的铜和铟的完全分离，有价金属回收率高，环境友好。
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