公开(公告)号：CN109906498B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201780064178.4

申请日：2017-09-29

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 威廉·T·李 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  大卫·查尔斯·史密斯 ,  迈克尔·达内克 ,  帕特里克·A·范克利蒙布特 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 在直接沉积具有很多层的OMOM叠层时，在单个工具中，甚至在单个工艺室中，高效集成顺序沉积电介质和导体的交替层，例如氧化物/金属或金属氮化物，例如SiO2/TiN的交替层提高了产量而不影响质量。可以实现在相同处理工具或室中至少20个导体/电介质膜对的叠层的导体和电介质膜沉积，而不破坏膜沉积之间的真空，使得导体和电介质膜沉积之间没有实质的交叉污染。

公开(公告)号：CN104009018A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410067968.6

申请日：2014-02-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 亨苏克·A·尹 ,  威廉·T·李

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有自形成阻挡物的互连件，具体而言，本发明提供了一种使用包含铜或铜合金的填充物填充双镶嵌结构内的通孔和沟槽的方法。提供了使用包含铜或铜合金的通孔填充物来对所述通孔进行无电沉积填充。使用包括Mn或Al的沟槽阻挡层在所述通孔填充物之上形成沟槽阻挡层。在使所述沟槽阻挡层的组分进入所述通孔填充物的温度下对所述沟槽阻挡层进行退火处理。用包含铜或铜合金的沟槽填充物填充所述沟槽。

公开(公告)号：CN109906498A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201780064178.4

申请日：2017-09-29

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 威廉·T·李 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  大卫·查尔斯·史密斯 ,  迈克尔·达内克 ,  帕特里克·A·范克利蒙布特 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 在直接沉积具有很多层的OMOM叠层时，在单个工具中，甚至在单个工艺室中，高效集成顺序沉积电介质和导体的交替层，例如氧化物/金属或金属氮化物，例如SiO2/TiN的交替层提高了产量而不影响质量。可以实现在相同处理工具或室中至少20个导体/电介质膜对的叠层的导体和电介质膜沉积，而不破坏膜沉积之间的真空，使得导体和电介质膜沉积之间没有实质的交叉污染。

公开(公告)号：CN105609471B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201510744991.9

申请日：2015-11-05

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 威廉·T·李

IPC分类号： H01L27/11517

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/11582

摘要： 本发明涉及用于垂直NAND孔蚀刻的镀覆金属硬掩模。本文的实施方案涉及到用于形成高深宽比的凹陷特征的方法、装置和系统。通常，这些特征在制造垂直的NAND(VNAND)存储器设备的背景中形成。各种公开的实施方案涉及的工艺流程是涉及：在覆盖下伏的材料堆叠的金属种子层上沉积牺牲柱并使牺牲柱成形，在牺牲柱周围电镀或化学镀覆金属硬掩模材料，去除牺牲柱，蚀刻下伏的材料堆叠，以形成高深宽比的凹陷特征。

公开(公告)号：CN104009018B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410067968.6

申请日：2014-02-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 亨苏克·A·尹 ,  威廉·T·李

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有自形成阻挡物的互连件，具体而言，本发明提供了一种使用包含铜或铜合金的填充物填充双镶嵌结构内的通孔和沟槽的方法。提供了使用包含铜或铜合金的通孔填充物来对所述通孔进行无电沉积填充。使用包括Mn或Al的沟槽阻挡层在所述通孔填充物之上形成沟槽阻挡层。在使所述沟槽阻挡层的组分进入所述通孔填充物的温度下对所述沟槽阻挡层进行退火处理。用包含铜或铜合金的沟槽填充物填充所述沟槽。

公开(公告)号：CN102971840B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180032025.4

申请日：2011-06-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿尔图尔·科利奇 ,  威廉·T·李 ,  弗里茨·雷德克

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/04 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 一种制备电子器件的方法，在一种实施方式中该方法包括：提供衬底，在衬底的至少一部分上无电沉积阻挡金属，并使用如无电沉积等湿法化学过程以在该阻挡金属上沉积具有焊料浸润性的基本不含金的浸润层。一种电子器件，在一种实施方式中，该电子器件包括金属化叠层。该金属化叠层包括无电沉积的阻挡金属以及沉积在该阻挡金属层上的基本不含金的浸润层，并且该浸润层对焊料是可浸润的。

公开(公告)号：CN105609471A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510744991.9

申请日：2015-11-05

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 威廉·T·李

IPC分类号： H01L21/8247

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11517

摘要： 本发明涉及用于垂直NAND孔蚀刻的镀覆金属硬掩模。本文的实施方案涉及到用于形成高深宽比的凹陷特征的方法、装置和系统。通常，这些特征在制造垂直的NAND(VNAND)存储器设备的背景中形成。各种公开的实施方案涉及的工艺流程是涉及：在覆盖下伏的材料堆叠的金属种子层上沉积牺牲柱并使牺牲柱成形，在牺牲柱周围电镀或化学镀覆金属硬掩模材料，去除牺牲柱，蚀刻下伏的材料堆叠，以形成高深宽比的凹陷特征。

公开(公告)号：CN102971840A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180032025.4

申请日：2011-06-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿尔图尔·科利奇 ,  威廉·T·李 ,  弗里茨·雷德克

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/04 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 一种制备电子器件的方法，在一种实施方式中该方法包括：提供衬底，在衬底的至少一部分上无电沉积阻挡金属，并使用如无电沉积等湿法化学过程以在该阻挡金属上沉积具有焊料浸润性的基本不含金的浸润层。一种电子器件，在一种实施方式中，该电子器件包括金属化叠层。该金属化叠层包括无电沉积的阻挡金属以及沉积在该阻挡金属层上的基本不含金的浸润层，并且该浸润层对焊料是可浸润的。