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公开(公告)号：CN105470194B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201510644832.1
申请日：2015-09-30
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及用核化抑制的特征填充，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。使用预抑制和后抑制治疗来调节抑制效应，从而促进使用跨越宽的工艺窗口来抑制特征填充。本文所述的方法可用于填充垂直特征，诸如钨通孔，以及水平特征，诸如垂直NAND(VNANA)字元线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字元线填充、垂直集成存储栅极和字元线填充、以及使用通硅通孔的3‑D集成。
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公开(公告)号：CN118339642A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280072590.1
申请日：2022-10-27
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 卡尔·弗雷德里克·利瑟 , 迈克尔·达内克 , 本杰明·艾伦·哈斯凯尔 , 卡普·瑟里什·雷迪 , 保罗·弗兰岑 , 崎山行则 , 卡皮尔·索拉尼
摘要： 例如相机传感器之类的多像素传感器可被配置成捕获处理室或其他制造工具的内部的二维和/或三维图像。这些传感器可被配置成在室中处理衬底之前、期间和/或之后从这样的处理室内部捕获经像素化的电磁辐射强度信息。这样的传感器也可用于控制、预测和/或诊断应用。
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公开(公告)号：CN111357083A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880074995.2
申请日：2018-11-19
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 约瑟亚·科林斯 , 格里芬·肯尼迪 , 汉娜·班诺克尔 , 迈克尔·达内克 , 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 帕特里克·A·范克莱姆普特 , 戈鲁恩·布泰尔
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/44
摘要： 本文提供了用于在半导体衬底上形成金属膜(如钨(W)及钼(Mo)膜)的方法和装置。所述方法涉及形成还原剂层，然后将该还原剂层暴露于金属前体以将该还原剂层转换为金属层。在某些实施方案中，该还原剂层为含有硅(Si-)和硼(B-)的层。所述方法可涉及：在第一衬底温度下形成还原剂层，将衬底温度升高至第二衬底温度，然后在该第二衬底温度下将该还原剂层暴露于该金属前体中。在某些实施方案中，该方法可用于形成无氟钨或钼膜。还提供用于执行所述方法的装置。
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公开(公告)号：CN109906498A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201780064178.4
申请日：2017-09-29
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 威廉·T·李 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 大卫·查尔斯·史密斯 , 迈克尔·达内克 , 帕特里克·A·范克利蒙布特 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉
摘要： 在直接沉积具有很多层的OMOM叠层时，在单个工具中，甚至在单个工艺室中，高效集成顺序沉积电介质和导体的交替层，例如氧化物/金属或金属氮化物，例如SiO2/TiN的交替层提高了产量而不影响质量。可以实现在相同处理工具或室中至少20个导体/电介质膜对的叠层的导体和电介质膜沉积，而不破坏膜沉积之间的真空，使得导体和电介质膜沉积之间没有实质的交叉污染。
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公开(公告)号：CN107768304A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710700258.6
申请日：2017-08-16
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L21/28562 , H01L21/28568 , H01L21/76816 , H01L21/76879 , H01L27/10891 , H01L21/76877 , H01L27/10844 , H01L2221/1068
摘要： 本发明涉及用于在金属填充工艺期间防止线弯曲的方法，具体提供了用于减少线弯曲的方法和装置：在将诸如钨、钼、钌或钴等金属沉积到衬底上的特征中时，在原子层沉积、化学气相沉积或顺序化学气相沉积期间将特征周期性地暴露于氮、氧或氨，以便减少沉积在特征侧壁上的金属之间的相互作用。方法适合于沉积到V形特征内。
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公开(公告)号：CN109906498B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201780064178.4
申请日：2017-09-29
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 威廉·T·李 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 大卫·查尔斯·史密斯 , 迈克尔·达内克 , 帕特里克·A·范克利蒙布特 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉
摘要： 在直接沉积具有很多层的OMOM叠层时，在单个工具中，甚至在单个工艺室中，高效集成顺序沉积电介质和导体的交替层，例如氧化物/金属或金属氮化物，例如SiO2/TiN的交替层提高了产量而不影响质量。可以实现在相同处理工具或室中至少20个导体/电介质膜对的叠层的导体和电介质膜沉积，而不破坏膜沉积之间的真空，使得导体和电介质膜沉积之间没有实质的交叉污染。
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公开(公告)号：CN107424955A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710337590.0
申请日：2017-05-15
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 黎照健 , 罗郑硕 , 拉什纳·胡马雍 , 迈克尔·达内克 , 凯寒·阿比迪·阿施蒂尼
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明涉及用于钴的锰阻挡层和粘附层。本发明提供了形成导电钴(Co)互连和Co特征的方法。所述方法包括在电介质上沉积含锰(Mn)的薄膜，随后在含Mn膜上沉积钴。含Mn膜可以沉积在诸如二氧化硅之类的含硅电介质上，并且退火以形成硅酸锰。
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