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公开(公告)号：CN102918641B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180026046.5
申请日：2011-05-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67248 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/67109
摘要： 一种用于其上有在真空室中进行多步骤处理的半导体衬底的衬底支撑件的再循环系统，其包含衬底支撑件，其具有至少一个位于其底板中的液体流道、与流道流体连通的入口和出口、与该入口流体连通的供给管线和与该出口流体连通的回流管线；第一再循环装置，其与供给管线和回流管线流体连通，提供温度在T1的液体；第二再循环装置，其与供给管线和回流管线流体连通，提供温度在T2的液体，温度T2高于温度T1至少10℃；连接到入口和出口的提供温度在Tpc的液体的预冷却单元，温度Tpc比T1低至少10℃；连接到出口和入口的提供温度在Tph的液体的预加热单元，温度Tph比T2高至少10℃；控制器，其能操作地以选择性地操作该再循环系统的阀以在流道和第一再循环装置、第二再循环装置、预冷却单元或预加热单元之间再循环液体。
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公开(公告)号：CN102918641A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026046.5
申请日：2011-05-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67248 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/67109
摘要： 一种用于其上有在真空室中进行多步骤处理的半导体衬底的衬底支撑件的再循环系统，其包含衬底支撑件，其具有至少一个位于其底板中的液体流道、与流道流体连通的入口和出口、与该入口流体连通的供给管线和与该出口流体连通的回流管线；第一再循环装置，其与供给管线和回流管线流体连通，提供温度在T1的液体；第二再循环装置，其与供给管线和回流管线流体连通，提供温度在T2的液体，温度T2高于温度T1至少10℃；连接到入口和出口的提供温度在Tpc的液体的预冷却单元，温度Tpc比T1低至少10℃；连接到出口和入口的提供温度在Tph的液体的预加热单元，温度Tph比T2高至少10℃；控制器，其能操作地以选择性地操作该再循环系统的阀以在流道和第一再循环装置、第二再循环装置、预冷却单元或预加热单元之间再循环液体。
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公开(公告)号：CN101223000B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200680026277.5
申请日：2006-07-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： B23K31/02 , B65B53/00 , C23C16/00 , F16B4/00 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/68757 , H01L21/68785
摘要： 一种保护在适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的粘结层的方法。该方法包括利用粘结材料将基片支撑件的上部构件与基片支撑件的下部构件连接的步骤。粘结剂应用于该上部构件的外部周界和该下部构件的上部周界，以及保护环围绕该上部构件的外部周界和该下部构件的上部周界设置。该保护环最初制造为具有提供机械稳定性和可使用性的尺寸。然后将该保护环机械加工至与基片支撑件应用的设计一致的最终尺寸的确切设置。
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公开(公告)号：CN104471682B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201280046142.0
申请日：2012-09-17
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： F25B21/04 , H01L21/0201 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L35/34 , Y10T29/49083 , Y10T29/49165
摘要： 用于半导体等离子体处理装置中的衬底支撑组件的热板，其包括以可扩展多路复用布局方式排布的多个独立可控的平面加热器区以及独立地控制平面热区且对平面加热器区供电的电子装置。每个平面热区使用至少一个珀耳帖器件作为热电元件。并入有热板的衬底支撑组件包括静电箝位电极层和温度控制基板。用于制造热板的方法包括将具有平面热区、正线路、负线路和共用线路以及通孔的陶瓷或聚合物片材结合在一起。
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公开(公告)号：CN103026799B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180036642.1
申请日：2011-07-18
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H05H1/24 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01J37/32798 , H01L21/6833 , Y10T156/10
摘要： 在等离子体处理室的组件中的空隙中的寄生等离子体可以通过用套筒覆盖该空隙的内部中的导电表面而消除。该空隙可以是在室组件中的气孔、升降销孔、氦通路、管道和或增压室，该室组件例如上部电极和衬底支撑件。
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公开(公告)号：CN101223000A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200680026277.5
申请日：2006-07-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： B23K31/02 , B65B53/00 , C23C16/00 , F16B4/00 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/68757 , H01L21/68785
摘要： 一种保护在适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的粘结层的方法。该方法包括利用粘结材料将基片支撑件的上部构件与基片支撑件的下部构件连接的步骤。粘结剂应用于该上部构件的外部周界和该下部构件的上部周界，以及保护环围绕该上部构件的外部周界和该下部构件的上部周界设置。该保护环最初制造为具有提供机械稳定性和可使用性的尺寸。然后将该保护环机械加工至与基片支撑件应用的设计一致的最终尺寸的确切设置。
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公开(公告)号：CN110634726A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910836307.8
申请日：2017-02-24
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 本发明涉及利用低温晶片温度的离子束蚀刻。本文的实施方式涉及用于在半导体衬底中蚀刻特征的方法和装置。在许多情况下，可在形成自旋扭矩转移随机存取存储器(STT-RAM)装置的同时蚀刻特征。在各种实施方式中，在特定的处理步骤期间衬底可经由冷却的衬底支撑件被冷却到低温。冷却的衬底支撑件可在减少所得器件中扩散相关的损伤程度方面具有有益的影响。此外，在某些其它处理步骤期间使用未冷却的衬底支撑件同样可在减少扩散相关的损伤方面具有有益的影响，具体取决于特定步骤。在一些实施方式中，冷却的衬底支撑件可用于在衬底的某些部分上优先沉积材料(在一些情况下为反应物)的工艺中。所公开的实施方式可用于实现高质量的各向异性蚀刻结果。
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公开(公告)号：CN107123733B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710103518.1
申请日：2017-02-24
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 本发明涉及利用低温晶片温度的离子束蚀刻。本文的实施方式涉及用于在半导体衬底中蚀刻特征的方法和装置。在许多情况下，可在形成自旋扭矩转移随机存取存储器(STT‑RAM)装置的同时蚀刻特征。在各种实施方式中，在特定的处理步骤期间衬底可经由冷却的衬底支撑件被冷却到低温。冷却的衬底支撑件可在减少所得器件中扩散相关的损伤程度方面具有有益的影响。此外，在某些其它处理步骤期间使用未冷却的衬底支撑件同样可在减少扩散相关的损伤方面具有有益的影响，具体取决于特定步骤。在一些实施方式中，冷却的衬底支撑件可用于在衬底的某些部分上优先沉积材料(在一些情况下为反应物)的工艺中。所公开的实施方式可用于实现高质量的各向异性蚀刻结果。
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公开(公告)号：CN104471682A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201280046142.0
申请日：2012-09-17
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： F25B21/04 , H01L21/0201 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L35/34 , Y10T29/49083 , Y10T29/49165
摘要： 用于半导体等离子体处理装置中的衬底支撑组件的热板，其包括以可扩展多路复用布局方式排布的多个独立可控的平面加热器区以及独立地控制平面热区且对平面加热器区供电的电子装置。每个平面热区使用至少一个珀耳帖器件作为热电元件。并入有热板的衬底支撑组件包括静电箝位电极层和温度控制基板。用于制造热板的方法包括将具有平面热区、正线路、负线路和共用线路以及通孔的陶瓷或聚合物片材结合在一起。
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公开(公告)号：CN103026799A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036642.1
申请日：2011-07-18
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H05H1/24 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01J37/32798 , H01L21/6833 , Y10T156/10
摘要： 在等离子体处理室的组件中的空隙中的寄生等离子体可以通过用套筒覆盖该空隙的内部中的导电表面而消除。该空隙可以是在室组件中的气孔、升降销孔、氦通路、管道和或增压室，该室组件例如上部电极和衬底支撑件。
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