公开(公告)号：CN101663736B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880012369.7

申请日：2008-04-11

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 威廉·蒂 ,  约翰·M·博迪 ,  弗里茨·C·雷德克 ,  耶兹迪·多尔迪 ,  约翰·帕克斯 ,  蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 ,  亚历山大·奥夫恰茨 ,  托德·巴力斯基 ,  克林特·托马斯 ,  雅各布·卫理 ,  艾伦·M·舍普

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： C23C18/1628 ,  Y10T137/87652

摘要： 化学制剂流体处理系统限定为提供若干化学制剂至混合歧管的若干流体输入。该化学制剂流体处理系统包括若干流体再循环回路，用于独立预处理和控制该多个化学制剂每个的供应。该流体再循环回路每个限定为除气、加热和过滤该多个化学制剂成分的具体一个。该混合歧管限定为混合该多个化学制剂以形成该无电镀溶液。该混合歧管包括连接到供应管线的流体输出。该供应管线连接以将该无电镀溶液供应至无电镀室内的溶槽。

公开(公告)号：CN105220129B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201510373832.2

申请日：2015-06-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 科林·F·史密斯 ,  哈拉尔德·特·妮珍惠斯 ,  杰弗里·E·洛雷利乐 ,  爱德华·宋 ,  凯文·马丁戈尔 ,  肖恩·M·汉密尔顿 ,  艾伦·M·舍普

IPC分类号： C23C16/448

CPC分类号： F22B1/28

摘要： 本发明提供了一种可配置的液态前体汽化器，更具体提供了一种用于使液态前体汽化的改进的汽化器。所述汽化器可以包括具有较大的壁面积与横截面流动面积比的一个或多个通道并且可以配有一个或多个加热器元件，所述一个或多个加热器元件被构造成加热所述通道到所述前体的汽化温度以上。至少一些通道可以加热到在所述汽化温度以上，但在所述前体的莱顿弗罗斯特温度以下的温度。在一些实施方式中，可以在大致横贯前体流的方向上高速引入载气，从而将前体机械地剪切成液滴。如果需要，多个汽化器可以串联结合在一起以实现完全汽化。所述汽化器可以容易拆卸以进行清洁和维护。

公开(公告)号：CN101663737B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200880012422.3

申请日：2008-04-11

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 威廉·蒂 ,  约翰·M·博迪 ,  弗里茨·C·雷德克 ,  耶兹迪·多尔迪 ,  约翰·帕克斯 ,  蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 ,  亚历山大·奥夫恰茨 ,  托德·巴力斯基 ,  克林特·托马斯 ,  雅各布·卫理 ,  艾伦·M·舍普

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C18/1619 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/6715

摘要： 一种半导体晶片无电镀设备包括压板和溶槽。该压板具有限定为支撑晶片的顶部表面，和从该顶部表面的边缘向下延伸至该压板的下表面的外部表面。该溶槽具有由内部表面限定的内部容积，以便在该内部容积内接收该压板和待支撑在其上的晶片。密封件围绕该溶槽的内部表面设置以便当啮合在该溶槽的该内部表面和该压板的该外部表面之间时形成液密密封阻挡。若干流体分配喷嘴设置为在该密封件上方、该溶槽内分配点入溶液，以便升高和淹没该该压板，由此当该晶片存在于该压板上时淹没该晶片。

公开(公告)号：CN101669198B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200880011266.9

申请日：2008-02-07

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 格雷戈里·S·塞克斯顿 ,  安德鲁·D·贝利三世 ,  艾伦·M·舍普 ,  约翰·D·博尼法

IPC分类号： H01L21/68

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32568

摘要： 在工艺室中建立位置关系。基座被配置有下电极表面以支撑晶片；而上电极具有下表面。装配在该基座上的驱动具有与该上电极连接的传动机构。置于该下表面上的夹具移动为该下电极的期望的定向。通过该上电极被该传动机构松散地连接至该驱动，该夹具将该期望的定向传递至该上电极。该传动机构变紧以维持该期望的定向，去除该夹具，并将工艺隔断插入部装配至该上电极。该驱动移动该上电极和该插入部，以在该上电极和该下电极上的该晶片之间限定非有效工艺区域，从而在围绕该中心区域的晶片边缘附近区域进行刻蚀时保护该晶片的中心区域。

公开(公告)号：CN101589458B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200880003247.1

申请日：2008-01-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 安德鲁·D·贝利三世 ,  艾伦·M·舍普 ,  格雷戈里·塞克斯顿 ,  安德拉斯·库蒂 ,  金允尚 ,  威廉·S·肯尼迪

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/0209 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/67069

摘要： 一种清洁半导体基片斜缘的装置。该装置包括具有顶部表面并适于支撑该基片的下电极总成以及具有相对该顶部表面的底部表面的上电极总成。该上和下电极总成生成等离子，用以在运行期间清洁设在该顶部和底部表面之间的该基片的斜缘。该装置还包括将该上电极总成悬置在该下部支撑件上方并且调节该底部表面相对该顶部表面的倾角和水平位移的机构。

公开(公告)号：CN101589458A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880003247.1

申请日：2008-01-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 安德鲁·D·贝利三世 ,  艾伦·M·舍普 ,  格雷戈里·塞克斯顿 ,  安德拉斯·库蒂 ,  金允尚 ,  威廉·S·肯尼迪

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/0209 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/67069

摘要： 一种清洁半导体基片斜缘的装置。该装置包括具有顶部表面并适于支撑该基片的下电极总成以及具有相对该顶部表面的底部表面的上电极总成。该上和下电极总成生成等离子，用以在运行期间清洁设在该顶部和底部表面之间的该基片的斜缘。该装置还包括将该上电极总成悬置在该下部支撑件上方并且调节该底部表面相对该顶部表面的倾角和水平位移的机构。

公开(公告)号：CN114365044A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202080060616.1

申请日：2020-06-22

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 布奇·伯尼 ,  艾伦·M·舍普 ,  蒂莫西·威廉·威德曼 ,  凯文·利·顾 ,  吴呈昊 ,  卡蒂·林恩·纳尔迪 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  克林特·爱德华·托马斯 ,  撒德·尼科尔森

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

摘要： 讨论了用于极紫外线敏感(EUV敏感)光致抗蚀剂层的干式沉积的系统和技术。在一些这样的系统中，可以提供特征在于多充气部喷头的处理室，所述多充气部喷头被配置成在一个充气部中接收汽化有机金属前体以及在另一充气部中接收其汽化逆反应物。这两种汽化反应物可以被输送至在处理室内且在支撑该衬底的晶片支撑件上的反应空间。

公开(公告)号：CN105762060B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201511027151.7

申请日：2015-12-31

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 索斯藤·利尔 ,  伊凡·L·贝瑞三世 ,  沈美华 ,  艾伦·M·舍普 ,  大卫·J·赫姆科尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 本发明氧化硅和氧化锗的各向同性原子层蚀刻，提供了用于以原子级精度可控地各向同性蚀刻氧化硅和氧化锗层的方法。该方法利用无水HF与氧化物的活化表面的反应，重点是去除反应中生成的水。在某些实施方式中，所述氧化表面首先通过吸附含OH物质(例如，醇)或通过使用含氢等离子体形成OH键进行改性。活化的氧化物然后通过单独引入的无水HF蚀刻，同时随着反应的进行或者在反应过程中或之后的任何时间将反应中生成的水从衬底表面去除。这些方法可用在互连预清洁应用、栅极电介质处理、存储器装置的制造或希望精确去除一个或更多个材料原子层的任何其他应用中。

公开(公告)号：CN105762060A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201511027151.7

申请日：2015-12-31

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 索斯藤·利尔 ,  伊凡·L·贝瑞三世 ,  沈美华 ,  艾伦·M·舍普 ,  大卫·J·赫姆科尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 本发明氧化硅和氧化锗的各向同性原子层蚀刻，提供了用于以原子级精度可控地各向同性蚀刻氧化硅和氧化锗层的方法。该方法利用无水HF与氧化物的活化表面的反应，重点是去除反应中生成的水。在某些实施方式中，所述氧化表面首先通过吸附含OH物质(例如，醇)或通过使用含氢等离子体形成OH键进行改性。活化的氧化物然后通过单独引入的无水HF蚀刻，同时随着反应的进行或者在反应过程中或之后的任何时间将反应中生成的水从衬底表面去除。这些方法可用在互连预清洁应用、栅极电介质处理、存储器装置的制造或希望精确去除一个或更多个材料原子层的任何其他应用中。

公开(公告)号：CN101669198A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880011266.9

申请日：2008-02-07

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 格雷戈里·S·塞克斯顿 ,  安德鲁·D·贝利三世 ,  艾伦·M·舍普 ,  约翰·D·博尼法

IPC分类号： H01L21/68

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32568

摘要： 在工艺室中建立位置关系。基座被配置有下电极表面以支撑晶片；而上电极具有下表面。装配在该基座上的驱动具有与该上电极连接的传动机构。置于该下表面上的夹具移动为该下电极的期望的定向。通过该上电极被该传动机构松散地连接至该驱动，该夹具将该期望的定向传递至该上电极。该传动机构变紧以维持该期望的定向，去除该夹具，并将工艺隔断插入部装配至该上电极。该驱动移动该上电极和该插入部，以在该上电极和该下电极上的该晶片之间限定非有效工艺区域，从而在围绕该中心区域的晶片边缘附近区域进行刻蚀时保护该晶片的中心区域。