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    电阻变化型非易失性存储装置
    2.
    发明授权
    电阻变化型非易失性存储装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN102918600B

    公开(公告)日：2014-11-19

    申请号：CN201280001064.2

    申请日：2012-05-30

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 池田雄一郎 ,  岛川一彦 ,  东亮太郎 ,  河合贤

    IPC分类号： G11C13/00

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72

    摘要： 本发明的电阻变化型非易失性存储装置（100）具备配置在多个第一信号线与多个第二信号线之间的交叉点上的多个存储单元（10），多个存储单元（10）分别包括电阻变化元件（1）以及与电阻变化元件（1）串联连接的电流控制元件（2），电阻变化型非易失性存储装置（100）具备写入电路（105）、行选择电路（103）及列选择电路（104），写入电路（105）按以下顺序依次选择块（120），并对所选择的块（120）中包含的多个存储单元（10）进行初始击穿，该顺序为：从配置在与行选择电路（103）及列选择电路（104）中的一方电路远的位置上的块（120）向配置在与上述一方电路近的位置上的块（120）的顺序。

    半导体存储装置
    7.
    发明授权
    半导体存储装置 失效

    公开(公告)号：CN1291415C

    公开(公告)日：2006-12-20

    申请号：CN03104214.7

    申请日：2003-01-31

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 东亮太郎

    IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C7/24 ,  G11C11/34

    CPC分类号： G11C5/145

    摘要： 本发明的半导体存储装置是一种具有存储阵列的半导体存储装置，包括：具有读出放大器和数据锁存储器的读出装置；升压泵；差动放大器，当内部数据选通信号有效时被启动；第1电压检测器，控制升压泵的升压，当内部数据选通信号有效时被启动；第2电压检测器，响应基准电压而输出检测信号，当内部数据选通信号有效时被启动；和读出脉冲发生器，输出读出脉冲信号来控制读出装置，响应检测信号的激活而被激活，并在检出后经过给定时间时被去激活。根据该结构，半导体存储装置的用于给存储单元提供电压的升压期间缩短至必要的最小限度使之与读出动作的期间相吻合，所以与将升压期间徒劳地设定得较长相比，降低了电流消费。

    非易失性半导体存储装置及其读出方法
    10.
    发明公开
    非易失性半导体存储装置及其读出方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN103003884A

    公开(公告)日：2013-03-27

    申请号：CN201280001452.0

    申请日：2012-07-11

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 岛川一彦 ,  辻清孝 ,  东亮太郎

    IPC分类号： G11C13/00 ,  G11C11/15

    CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C7/14 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/77

    摘要： 本发明提供一种交叉点型非易失性存储装置，能够抑制由于潜行电流而引起的存储单元中包含的存储元件的电阻值的检测灵敏度低下。交叉点型非易失性存储装置具有：多个位线，与多个字线垂直；由存储单元构成的交叉点单元阵列（1），根据在其立体交差点配置的电信号以可逆的方式在2个以上的状态下使电阻值变化；偏移检测单元阵列（2E），构成为包括偏移检测单元，该偏移检测单元的字线共通，具有比存储单元的高电阻状态下的电阻值高的电阻值；读出电路（读出放大器（7）等），利用在交叉点单元阵列（1）的选择位线中流过的电流判别选择存储单元的电阻状态；以及电流源（6），在读出动作的期间内，对偏移检测单元阵列供给电流。