公开(公告)号：CN103403842A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010663.0

申请日：2012-08-03

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 崔成伯 ,  横川俊哉 ,  井上彰 ,  山田笃志

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50

CPC分类号： H01L33/18 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/20 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225

摘要： 本申请公开的氮化物半导体层生长用结构具备以m面为生长面的蓝宝石基板、在蓝宝石基板的生长面上形成的多个脊状的氮化物半导体层，在多个脊状的氮化物半导体层的各自之间配置的凹部的底面为蓝宝石基板的m面，多个脊状的氮化物半导体层的生长面为m面，多个脊状的氮化物半导体层的延伸方向与蓝宝石基板的c轴所成的角度的绝对值为0度以上且35度以下。

公开(公告)号：CN102007610B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201080001394.2

申请日：2010-03-17

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 大屋满明 ,  横川俊哉 ,  山田笃志 ,  矶崎瑛宏

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/28 ,  H01L33/40

摘要： 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)、和形成在Zn层(32)之上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。

公开(公告)号：CN102804415A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080026102.0

申请日：2010-06-09

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 岩永顺子 ,  横川俊哉 ,  山田笃志

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/38

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382

摘要： 本发明的发光二极管元件具有主面(7a)是m面的n型GaN基板(7)和在基板(7)的主面(7a)上设置的层叠结构。该层叠结构具有：n型半导体层(2)；位于n型半导体层(2)的上表面的第一区域(2a)上的活性层(3)、p型半导体层(4)、阳极电极层(5)；以及在n型半导体层(2)的上表面的第二区域(2b)上形成的阴极电极层(6)。n型半导体层(2)、活性层(3)以及p型半导体层(4)都是通过m面生长而形成的外延生长层。基板(7)以及n型半导体层(2)中的n型杂质的浓度设定在1×1018cm-3以下。当从与主面(7a)垂直的方向观察时，阳极电极层(5)与阴极电极层(6)的间隔为4μm以下，在从阴极电极层(6)的边缘中的与阳极电极层(5)相对置的部分起相距的距离为45μm以下的区域内配置有阳极电极层(5)。

公开(公告)号：CN102696122A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201180004173.5

申请日：2011-03-15

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 横川俊哉 ,  大屋满明 ,  山田笃志 ,  矶崎瑛宏

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/042 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01L21/02609 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L24/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型半导体区域的半导体层叠构造(20)；和设置于p型半导体区域上的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包含Zn层(32)，Zn层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面相接触。

公开(公告)号：CN102511086A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201180003898.2

申请日：2011-03-25

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 横川俊哉 ,  大屋满明 ,  山田笃志 ,  矶崎瑛宏

IPC分类号： H01L33/40

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L21/28575 ,  H01L24/14 ,  H01L29/045 ,  H01L29/452 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体元件具备：半导体叠层构造(20)，其具有表面(12)相对于m面倾斜了1°以上5°以下角度的p型半导体区域；和电极(30)，其设置在p型半导体区域上。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包含Zn层(32)和形成在Zn层(32)上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层构造(20)中的p型半导体区域的表面(12)接触。

公开(公告)号：CN103003963A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180035160.4

申请日：2011-08-05

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 矶崎瑛宏 ,  井上彰 ,  山田笃志 ,  横川俊哉

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0083

摘要： 本发明的半导体发光元件包括：n型氮化物半导体层(21)；p型氮化物半导体层(23)；具有m面氮化物半导体层，且被夹在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的活性层区域(22)；与n型氮化物半导体层电连接的n型电极(30)；与p型氮化物半导体层电连接的p型电极(40)；将在活性层区域产生的偏振光提取到外部的射出面；以及在射出面设置的条状结构(50)，该条状结构(50)具有向与m面氮化物半导体层的a轴方向成5°以上80°以下、或-80°以上-5°以下的角度的方向延伸的多个凸部。

公开(公告)号：CN102007576B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201080001395.7

申请日：2010-03-17

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 大屋满明 ,  横川俊哉 ,  山田笃志 ,  矶崎瑛宏

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。氮化物系半导体发光元件(100)包括：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)包含Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。

公开(公告)号：CN102356477A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN200980158076.4

申请日：2009-07-09

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 横川俊哉 ,  井上彰 ,  藤金正树 ,  大屋满明 ,  山田笃志 ,  矢野正

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L25/0753 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的照明装置，是至少具有第一和第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，第一和第二氮化物系半导体发光元件分别具有半导体芯片(45)，该半导体芯片含有由AlxInyGazN(x+y+z＝1、x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成的氮化物系半导体层叠结构(20)，并且氮化物系半导体层叠结构(20)含有其m面为界面的活性层区域(24)，第一和第二氮化物系半导体发光元件均从活性层区域(24)出射偏振光，在将第一和第二氮化物系半导体发光元件出射的偏振光的波长分别设为λ1和λ2、第一和第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片(45)的厚度分别设为d1和d2时，满足λ1＜λ2且d1＜d2的关系。

公开(公告)号：CN102007576A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201080001395.7

申请日：2010-03-17

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 大屋满明 ,  横川俊哉 ,  山田笃志 ,  矶崎瑛宏

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。氮化物系半导体发光元件(100)包括：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)包含Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。

公开(公告)号：CN101971364A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980101726.1

申请日：2009-06-04

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 横川俊哉 ,  大屋满明 ,  山田笃志 ,  加藤亮

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/16 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法。氮化物类半导体发光元件(100)具备：以m面(12)作为表面的GaN类基板(10)、在GaN类基板(10)的m面(12)之上形成的半导体层叠构造(20)、和在半导体层叠构造(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面相接触。