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公开(公告)号:CN103890987B
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201380003348.X
申请日:2013-04-10
申请人: 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号: H01L41/187 , B41J2/045 , B41J2/055 , C23C14/34 , C30B29/32 , G01C19/5628 , H01L41/047 , H01L41/09 , H01L41/113 , H02N2/18
CPC分类号: H01L41/1878 , B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , C30B23/02 , C30B29/32 , G01C19/56 , G01C19/5621 , G01C19/5628 , H01L41/0477 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1136 , H01L41/187 , H01L41/316 , H02N2/18 , Y10T428/12493
摘要: 本发明的目的在于提供具有高结晶取向性和高强介电特性的NBT‑BT非铅压电体膜。本发明的压电体膜具备仅具有(001)取向的(1‑α)(Bi,Na,Ba)TiO3―αBiQO3层。(1‑α)(Bi,Na,Ba)TiO3―αBiQO3层形成在NaxM1‑x层之上,M表示Pt、Ir或PtIr,Q表示Fe、Co、Zn0.5Ti0.5或Mg0.5Ti0.5,x表示0.002以上0.02以下的值,而且,α表示0.20以上0.50以下的值。
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公开(公告)号:CN109119530B
公开(公告)日:2023-10-17
申请号:CN201810642504.1
申请日:2018-06-21
申请人: 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号: H10N30/85 , H10N30/50 , H10N30/074 , H10N30/076 , C30B29/16 , C30B25/02
摘要: 本发明提供薄膜结构体及其制造方法。在蓝宝石基板上直接地使外延氧化物薄膜生长的以往方法中,外延氧化物薄膜不具有{100}面主面,而是具有{110}或{111}面主面。本发明涉及一种制造薄膜结构体的方法,该方法具备在作为蓝宝石基板的第1基板的主面上使第1外延薄膜生长的工序。所述蓝宝石基板的主面为{11‑26}面,因此所述第1外延薄膜具有{100}面主面。
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公开(公告)号:CN104868047A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201410602402.9
申请日:2014-10-31
申请人: 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号: B41J2/1433 , B41J2/14201 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1136 , H01L41/1873 , H01L41/1878
摘要: 提供一种具有更高的退极化温度Td的压电体膜。本发明的压电体膜具备:仅具有(001)取向的(Nax1,Biy1)TiO0.5x1+1.5y1+2﹣BaTiO3层(14);和仅具有(001)取向的(Nax2,Biy2)TiO0.5x2+1.5y2+2﹣BaTiO3层(15),其中,0.28≤x1≤0.43、0.49≤y1≤0.60、0.30≤x2≤0.46、0.51≤y2≤0.63。(Nax1,Biy1)TiO0.5x1+1.5y1+2﹣BaTiO3层(14)含有镍,并且具有0.02以上的Ni/Ti摩尔比。
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公开(公告)号:CN109119530A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810642504.1
申请日:2018-06-21
申请人: 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号: H01L41/18 , H01L41/083 , H01L41/314 , H01L41/316 , C30B29/16 , C30B25/02
CPC分类号: C30B29/68 , C30B23/025 , C30B29/16 , C30B29/20 , C30B29/26 , C30B29/32 , H01F41/18 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/312 , H01L41/313 , H01L41/316 , H01L41/319 , H01L41/18 , C30B25/02 , H01L41/083 , H01L41/314
摘要: 本发明提供薄膜结构体及其制造方法。在蓝宝石基板上直接地使外延氧化物薄膜生长的以往方法中,外延氧化物薄膜不具有{100}面主面,而是具有{110}或{111}面主面。本发明涉及一种制造薄膜结构体的方法,该方法具备在作为蓝宝石基板的第1基板的主面上使第1外延薄膜生长的工序。所述蓝宝石基板的主面为{11-26}面,因此所述第1外延薄膜具有{100}面主面。
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公开(公告)号:CN104868047B
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201410602402.9
申请日:2014-10-31
申请人: 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号: B41J2/1433 , B41J2/14201 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1136 , H01L41/1873 , H01L41/1878
摘要: 提供一种具有更高的退极化温度Td的压电体膜。本发明的压电体膜具备:仅具有(001)取向的(Nax1,Biy1)TiO0.5x1+1.5y1+2﹣BaTiO3层(14);和仅具有(001)取向的(Nax2,Biy2)TiO0.5x2+1.5y2+2﹣BaTiO3层(15),其中,0.28≤x1≤0.43、0.49≤y1≤0.60、0.30≤x2≤0.46、0.51≤y2≤0.63。(Nax1,Biy1)TiO0.5x1+1.5y1+2﹣BaTiO3层(14)含有镍,并且具有0.02以上的Ni/Ti摩尔比。
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公开(公告)号:CN109983592B
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN201780071648.X
申请日:2017-12-11
申请人: 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号: H10N30/853 , H10N30/20 , H10N30/079
摘要: 压电功能膜包含基底层和压电体层。压电体层包含添加铌的锆钛酸铅。基底层包含:添加铌的钛酸铅、或者添加(铌、镧)的钛酸铅、或者添加(铌、镧、镁)的钛酸铅的任意一种。
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公开(公告)号:CN109983592A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201780071648.X
申请日:2017-12-11
申请人: 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号: H01L41/187 , B41J2/14 , H01L41/09 , H01L41/319
摘要: 压电功能膜包含基底层和压电体层。压电体层包含添加铌的锆钛酸铅。基底层包含:添加铌的钛酸铅、或者添加(铌、镧)的钛酸铅、或者添加(铌、镧、镁)的钛酸铅的任意一种。
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公开(公告)号:CN104868049B
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:CN201410602181.5
申请日:2014-10-31
申请人: 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号: H01L41/187 , B41J2/14
CPC分类号: G01P9/04 , C23C14/088 , C30B25/06 , C30B29/22 , G01C19/5607 , H01L41/0926 , H01L41/1873 , H01L41/1878
摘要: 提供一种具有更高的退极化温度的NBT‑BT膜。本发明为一种[(Na,Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜,该[(Na,Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜仅具有(001)取向,该[(Na,Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜具有0.390纳米以上且0.395纳米以下的a轴长,该[(Na,Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜具有0.399纳米以上且0.423纳米以下的c轴长,x表示0以上且1以下的值,该[(Na,Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜具有摄氏389度以上的退极化温度。
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公开(公告)号:CN103348501B
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201380000444.9
申请日:2013-01-16
申请人: 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号: H01L41/187 , B41J2/045 , B41J2/055 , G01C19/5628 , H01L41/09 , H01L41/107 , H01L41/39
CPC分类号: H02N2/18 , B32B18/00 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/14233 , C04B35/462 , C04B35/468 , C04B35/475 , C04B35/50 , C04B2235/3201 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/787 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C30B23/02 , C30B29/22 , G01C19/56 , G01C19/5607 , G01C19/5628 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/113 , H01L41/1132 , H01L41/1136 , H01L41/1871 , H01L41/1873 , H01L41/1878 , H01L41/316 , H02N2/186 , Y10T428/12667
摘要: 本发明提供一种具有高结晶取向性、低介质损耗、高极化消失温度、高压电常数以及施加电场与变形量之间的高线性的非铅压电体膜。本发明是具备以下部分的压电体膜。本发明的压电体膜包括:仅具有(001)面取向的NaxLa1?x+yNyO3?x层;和仅具有(001)面取向的(1?α)(Bi,Na,Ba)TiO3?αBiQO3层。上述(1?α)(Bi,Na,Ba)TiO3?αBiQO3层形成在上述NaxLa1?x+yNi1?yO3?x层上。Q表示Fe、Co、Zn0.5Ti0.5或者Mg0.5Ti0.5。x表示0.01以上0.05以下的值。y表示0.05以上0.20以下的值。α表示0.20以上0.50以下的值。
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公开(公告)号:CN104868049A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201410602181.5
申请日:2014-10-31
申请人: 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号: H01L41/187 , B41J2/14
CPC分类号: G01P9/04 , C23C14/088 , C30B25/06 , C30B29/22 , G01C19/5607 , H01L41/0926 , H01L41/1873 , H01L41/1878
摘要: 提供一种具有更高的退极化温度的NBT-BT膜。本发明为一种[(Na,Bi)1-xBax]TiO3晶体压电体膜,该[(Na,Bi)1-xBax]TiO3晶体压电体膜仅具有(001)取向,该[(Na,Bi)1-xBax]TiO3晶体压电体膜具有0.390纳米以上且0.395纳米以下的a轴长,该[(Na,Bi)1-xBax]TiO3晶体压电体膜具有0.399纳米以上且0.423纳米以下的c轴长,x表示0以上且1以下的值,该[(Na,Bi)1-xBax]TiO3晶体压电体膜具有摄氏389度以上的退极化温度。
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