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公开(公告)号：CN113302778A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202080009103.8
申请日：2020-01-14
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M10/42 , H01M10/44 , H01M10/48 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H02J7/02 , H02J7/10 , G01R31/36
摘要： 提供一种新颖结构的电池控制电路、新颖结构的电池保护电路以及包括该电池电路的蓄电装置。本发明提供一种半导体装置，在分别对应于一个二次电池的n组的单元平衡电路中，包括晶体管、比较电路、电容器，在n组的单元平衡电路的每一个中，电连接晶体管的源极和漏极中的一个与比较电路的反相输入端子及电容器的一个电极，对电容器的另一个电极供应接地电位，晶体管成为开启状态，对电容器的一个电极供应第一电位，晶体管成为关闭状态，电连接电容器的另一个电极与对应于单元平衡电路的每一个的二次电池的负极，对电容器的一个电极供应第一电位与对应于单元平衡电路的每一个的二次电池的负极的电位之和，以控制对应于单元平衡电路的每一个的二次电池的充电。
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公开(公告)号：CN113169382B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201980077100.5
申请日：2019-11-12
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M10/42 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H02J7/00
摘要： 提供一种功耗低的半导体装置。该半导体装置包括节点ND1、节点ND2、电阻器、电容器及比较电路，电阻器在二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间以串联连接的方式电连接。电阻器具有将流过二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间的电流转换为第一电压的功能。第一电压通过电容器加入节点ND2的电压。比较电路具有比较节点ND1的电压与节点ND2的电压的功能。当节点ND2的电压大于节点ND1的电压时，比较电路输出通知检测出过电流的信号。
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公开(公告)号：CN114175619A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080053606.5
申请日：2020-07-13
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H04N5/347 , H04N5/3745 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/146 , H01L29/786
摘要： 提供一种具有动作检测功能及图像处理功能的摄像装置。摄像装置可以检测出用作参考的帧图像与比较对象的帧图像之间的差分并可以在检测出明显差分时从动作检测模式切换到普通拍摄模式。动作检测模式以低帧率进行工作而可以抑制功耗。另外，摄像装置具有图像识别功能通过与动作检测功能组合可以在识别到特定图像时从动作检测模式切换到普通拍摄模式。
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公开(公告)号：CN105703760A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510941255.2
申请日：2015-12-16
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H03K19/003
CPC分类号： H03K19/018521 , H03K3/356104 , H03K19/0016 , H03K19/003
摘要： 本发明提供能够抑制电源电压上升之后高电平信号非意图地输出的半导体装置及电子设备。半导体装置包括：第一缓冲电路、电平转移电路及第二缓冲电路。通过对第一缓冲电路供给第一电位，并对电平转移电路及第二缓冲电路供给第二电位，来恢复到原来的状态。在供给第二电位之前供给第一电位。通过先对第一缓冲电路供给第一电位，来成为能控制电平转移电路及第二缓冲电路的工作的状态，由此抑制高电平信号非意图地输出到连接到第二缓冲电路的布线。
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公开(公告)号：CN110168642B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201880006239.6
申请日：2018-01-09
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 高效地降低半导体装置的功耗。半导体装置包括电源管理装置、单元阵列以及用来驱动单元阵列的外围电路。单元阵列包括字线、位线对、存储单元、备份存储单元的数据的备份电路。行电路及列电路设置在能够进行电源门控的第一电源定域，单元阵列设置在能够进行电源门控的第二电源定域。作为存储装置的工作模式设定其功耗比待机模式低的多个低功耗模式。电源管理装置从多个低功耗模式选择一个而进行用来将存储装置转移到所选择的低功耗模式的控制。
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公开(公告)号：CN111937074A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980023236.8
申请日：2019-03-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G11C11/408 , G11C11/405 , G11C11/4074 , H01L29/786
摘要： 提供一种数据的保持时间长且可靠性高的存储装置。存储装置包括驱动器电路及多个存储单元，存储单元包括晶体管及电容器，晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。晶体管包括第一栅极及第二栅极，在存储单元保持数据的期间，对晶体管的第一栅极及第二栅极施加负电位。
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公开(公告)号：CN110168642A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201880006239.6
申请日：2018-01-09
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 高效地降低半导体装置的功耗。半导体装置包括电源管理装置、单元阵列以及用来驱动单元阵列的外围电路。单元阵列包括字线、位线对、存储单元、备份存储单元的数据的备份电路。行电路及列电路设置在能够进行电源门控的第一电源定域，单元阵列设置在能够进行电源门控的第二电源定域。作为存储装置的工作模式设定其功耗比待机模式低的多个低功耗模式。电源管理装置从多个低功耗模式选择一个而进行用来将存储装置转移到所选择的低功耗模式的控制。
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公开(公告)号：CN106796918A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580055011.2
申请日：2015-09-29
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/8242 , G11C11/4097 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC分类号： G11C11/4091 , G11C5/025 , G11C7/02 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , G11C2213/71 , H01L27/10808
摘要： 本发明提供一种低功耗的半导体装置或者面积小的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一存储单元及第二存储单元的单元阵列；以及包括第一读出放大器及第二读出放大器的读出放大器电路，其中，单元阵列设置在读出放大器电路上，第一读出放大器通过第一布线BL与第一存储单元电连接，第二读出放大器通过第二布线BL与第二存储单元电连接，第一读出放大器及第二读出放大器与布线GBL电连接，并且，读出放大器电路选择第一布线BL的电位和第二布线BL的电位中的一个并将其输出到布线GBL。
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公开(公告)号：CN117519454A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311475196.5
申请日：2018-08-28
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G06F1/3293 , G06G7/60 , H10B10/00 , H10B12/00 , H10B41/35 , H10B43/35 , H01L29/786
摘要： 提供一种功耗小的运算装置及电子设备。提供一种能够进行高速工作的运算装置及电子设备。提供一种能够抑制发热的运算装置及电子设备。上述运算装置包括第一运算部及第二运算部。第一运算部包括第一CPU核心及第二CPU核心。第二运算部包括第一GPU核心及第二GPU核心。CPU核心具有进行电源门控的功能且包括连接于触发器的第一数据保持电路。第一GPU核心保持模拟值且包括能够作为2位以上的数字数据读出的第二数据保持电路。第二GPU核心保持数字值且包括能够作为1位数字数据读出的第三数据保持电路。第一至第三数据保持电路分别具有包括氧化物半导体的晶体管及电容器。
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公开(公告)号：CN113196606A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980082076.4
申请日：2019-12-18
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 二次电池随着反复充放电而发生劣化，这导致电池电压及电池容量的下降。防止二次电池由于劣化而以过度充电电流值被充电，并使二次电池长寿命化。通过考虑二次电池的劣化度控制充电来使二次电池长寿命化。在对二次电池进行充电时，由充电控制电路控制预定电流值，并且保护电路所包括的充电电流控制电路(具体而言，包括误差放大器的电路)决定流过二次电池的电流值。就是说，流过二次电池的电流值由充电控制电路和保护电路的一部分的充电电流控制电路的双方控制。
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