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公开(公告)号：CN1846312A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480024872.6
申请日：2004-08-18
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , G06K19/00 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/336
CPC分类号： H01L51/0541 , H01L27/124 , H01L27/1292 , H01L29/66765 , H01L29/78678 , H01L51/0021
摘要： 本发明将下部电极利用为光掩模，在绝缘膜上形成与下部电极大致同一图形形状的疏液区域和大致反转图形形状的亲液区域，在亲液区域内涂敷烧结导电性油墨，对下部电极自对准形成大致反转图形形状的上部电极，所以即使采用印刷法也不发生位置偏移。因此，可以用印刷法形成有源矩阵型薄膜晶体管基板等的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1776922A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510085583.3
申请日：2005-07-25
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L51/0012 , H01L51/0003 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要： 本发明提供廉价且容易实施的比以往有机TFT提高了沟道分子的定向性的TFT的制作方法。在基板上形成被亲液区域(14)围绕的亲液性TFT图案(19)，通过使其图案具有特征，对滴加到沟道部(12)的含有有机分子或纳米线材的流体产生自发性运动，通过该运动在沟道部定向有机分子或纳米线材。
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公开(公告)号：CN1099046C
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN95116615.8
申请日：1995-08-23
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： G02F1/134363 , G02F1/1368 , G09G3/3648 , G09G2300/0434 , G09G2310/06
摘要： 一种有源矩阵型液晶显示装置包括：具有形成矩阵形状的多个扫描电极和信号电极以及与各扫描电极和信号电极的交点相对应的多个具有增强型特性的半导体开关元件的第1基片；与第1基片相对设置的第2基片；以及在第1及第2基片间封入液晶组成物的液晶层；在由第1基片上的多个扫描电极和多个信号电极所包围的多个像素区域的各个上以梳形交替配置着与对应的半导体开关元件相连接的像素电极和与对应的扫描相连的对置电极。
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公开(公告)号：CN101162729A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710163065.8
申请日：2007-09-29
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L51/105 , H01L51/0545
摘要： 提供一种低成本地降低在使有机半导体进行p型动作时产生的电极与有机半导体的接触电阻的方法，和低成本地使原本易于作为p型动作的有机半导体进行n型动作的方法。而且，提供能使用这些方法低成本地制造的p型沟道FET、n型沟道FET、以及互补型MOS(CMOS)晶体管。通过将具有在CMOS中的p型沟道FET的部分，原样使用易于作为p型半导体进行的动作的有机半导体，在n型沟道FET的部分使相同的有机半导体作为n型进行动作的效果的单分子膜夹在电极与半导体之间，低成本地在同一衬底上做成p型区域和n型区域。
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公开(公告)号：CN1928679A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610126219.1
申请日：2006-08-28
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1337 , G02F1/133
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/133723 , G02F1/133784 , G02F2202/02
摘要： 本发明提供可以防止取向膜形成时的有机半导体膜的老化，采用高性能的有机薄膜晶体管的廉价的液晶显示装置。在该液晶显示装置中，包括：具有栅电极、栅绝缘膜、源·漏电极、半导体层的薄膜晶体管；以及，具有配线、像素电极的各构件的薄膜晶体管基板；在该基板间夹持液晶层的对向基板的液晶显示装置中，未插入具有控制半导体层与液晶层之间的液晶层分子取向的功能的取向膜。
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公开(公告)号：CN101295139B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810005560.0
申请日：2008-02-15
申请人： 株式会社日立制作所
摘要： 本发明涉及一种感光性SAM膜的曝光方法及半导体装置的制造方法。由于使用印刷法产生位置偏移，所以难以形成间隔绝缘膜使下部电极和上部电极良好对位的电极衬底。使用光掩模进行对位，大幅度降低成本。本发明公开的技术是感光性SAM膜的曝光方法，该方法在衬底上成膜具有感光性、感光前具有疏液性、感光后具有亲液性的自组织化单分子膜(感光性SAM膜)，在使该衬底的所述成膜面浸渍在液体中的状态下或使感光面朝下与液体接触的状态下，对所述衬底进行曝光，其特征在于，曝光光是紫外光、可见光或波长为350nm以上800nm以下的曝光光，所述液体是含有芳香环的有机溶剂、醇类、醚类或酮类有机溶剂中的至少一种。
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公开(公告)号：CN100580945C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710196847.1
申请日：2007-12-11
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L27/28 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/286 , G02F1/13454 , G09G3/3225 , G09G2300/0426 , G09G2380/02 , H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L27/3276 , H01L51/0545 , H01L2251/5338
摘要： 本发明提供一种图像显示装置，包括由多个像素构成的显示部和进行显示部的控制的外围集成电路，在对冲击和弯曲的耐久性高的支承基板上设置显示装置，由有机半导体薄膜晶体管构成像素电路，由低温多晶硅薄膜晶体管构成外围集成电路，除去制造该外围集成电路时的支承基板而设置在显示装置的支承基板，用相同布线连接像素电路和外围集成电路。由此，能够提高超薄超轻图像显示装置的对冲击和弯曲的耐久性，能够弯曲使用和曲面安装，并通过削减制造工序数来降低制造成本，易于大型化。
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公开(公告)号：CN100481510C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200480024872.6
申请日：2004-08-18
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , G06K19/00 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/336
CPC分类号： H01L51/0541 , H01L27/124 , H01L27/1292 , H01L29/66765 , H01L29/78678 , H01L51/0021
摘要： 本发明将下部电极利用为光掩模，在绝缘膜上形成与下部电极大致同一图形形状的疏液区域和大致反转图形形状的亲液区域，在亲液区域内涂敷烧结导电性油墨，对下部电极自对准形成大致反转图形形状的上部电极，所以即使采用印刷法也不发生位置偏移。因此，可以用印刷法形成有源矩阵型薄膜晶体管基板等的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101295139A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810005560.0
申请日：2008-02-15
申请人： 株式会社日立制作所
摘要： 本发明涉及一种感光性SAM膜的曝光方法及半导体装置的制造方法。由于使用印刷法产生位置偏移，所以难以形成间隔绝缘膜使下部电极和上部电极良好对位的电极衬底。使用光掩模进行对位，大幅度降低成本。本发明公开的技术是感光性SAM膜的曝光方法，该方法在衬底上成膜具有感光性、感光前具有疏液性、感光后具有亲液性的自组织化单分子膜(感光性SAM膜)，在使该衬底的所述成膜面浸渍在液体中的状态下或使感光面朝下与液体接触的状态下，对所述衬底进行曝光，其特征在于，曝光光是紫外光、可见光或波长为350nm以上800nm以下的曝光光，所述液体是含有芳香环的有机溶剂、醇类、醚类或酮类有机溶剂中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101083305A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710105443.7
申请日：2007-05-30
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L51/40 , H01L21/288
CPC分类号： H01L51/102 , H01L27/283 , H01L51/0022 , H01L51/0545
摘要： 由于使用印刷法产生位置偏移，所以无法形成介于绝缘膜使下部电极和上部电极良好对位的电极衬底。如果使用光掩模进行对位，则大幅度提高成本。在本发明中，由于自匹配地进行下部电极和上部电极的对位，所以，即使使用印刷法也不发生位置偏移。因此，能使用印刷法廉价地制造使用了有机半导体的挠性衬底等半导体器件。
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