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公开(公告)号：CN100481510C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200480024872.6
申请日：2004-08-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G06K19/00 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/124 , H01L27/1292 , H01L29/66765 , H01L29/78678 , H01L51/0021
Abstract: 本发明将下部电极利用为光掩模，在绝缘膜上形成与下部电极大致同一图形形状的疏液区域和大致反转图形形状的亲液区域，在亲液区域内涂敷烧结导电性油墨，对下部电极自对准形成大致反转图形形状的上部电极，所以即使采用印刷法也不发生位置偏移。因此，可以用印刷法形成有源矩阵型薄膜晶体管基板等的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1373389A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN01125152.2
申请日：2001-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134363
Abstract: 一种不会引起配线信号延迟或液晶驱动电压上升,象素孔径率大、高亮度、成品率优良的横向电场方式液晶显示装置。图象信号配线DL或扫描信号配线GL的至少一方信号配线和共用信号电极CE,其一部分介以层间绝缘膜PAS重叠,重叠的部分上形成电容,在该配置构造中,对应于象素电极PX上的至少一部分区域选择性形成层间绝缘膜PAS所含有的绝缘膜之中至少一层OIL1。
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公开(公告)号：CN101271924B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810004599.0
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社日立制作所 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/161 , H01L29/38 , H01L29/04 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/78684 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L27/1214 , H01L27/3262 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种薄膜晶体管以及使用该薄膜晶体管的有机EL显示装置。在薄膜晶体管中使用了含有Si、Ge的半导体层(4)，该半导体层(4)的Ge浓度在绝缘基板(1)侧高，半导体层(4)的结晶取向在离绝缘基板(1)侧20nm的区域为随机取向，而在半导体层(4)的膜表面侧显示(111)、(110)或(100)优先取向性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101271924A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810004599.0
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社日立制作所 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/161 , H01L29/38 , H01L29/04 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/78684 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L27/1214 , H01L27/3262 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种薄膜晶体管以及使用该薄膜晶体管的有机EL显示装置。在薄膜晶体管中使用了含有Si、Ge的半导体层(4)，该半导体层(4)的Ge浓度在绝缘基板(1)侧高，半导体层(4)的结晶取向在离绝缘基板(1)侧20nm的区域为随机取向，而在半导体层(4)的膜表面侧显示(111)、(110)或(100)优先取向性。
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公开(公告)号：CN1846312A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480024872.6
申请日：2004-08-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G06K19/00 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/124 , H01L27/1292 , H01L29/66765 , H01L29/78678 , H01L51/0021
Abstract: 本发明将下部电极利用为光掩模，在绝缘膜上形成与下部电极大致同一图形形状的疏液区域和大致反转图形形状的亲液区域，在亲液区域内涂敷烧结导电性油墨，对下部电极自对准形成大致反转图形形状的上部电极，所以即使采用印刷法也不发生位置偏移。因此，可以用印刷法形成有源矩阵型薄膜晶体管基板等的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1261805C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN01125152.2
申请日：2001-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134363
Abstract: 一种不会引起配线信号延迟或液晶驱动电压上升，象素孔径率大、高亮度、成品率优良的横向电场方式液晶显示装置。图象信号配线DL或扫描信号配线GL的至少一方信号配线和共用信号电极CE，其一部分介以层间绝缘膜PAS重叠，重叠的部分上形成电容，在该配置构造中，对应于象素电极PX上的至少一部分区域选择性形成层间绝缘膜PAS所含有的绝缘膜之中至少一层OIL1。
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公开(公告)号：CN1153313A
公开(公告)日：1997-07-02
申请号：CN96102587.5
申请日：1996-01-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/1345 , G02F1/1362 , G02F2001/13629
Abstract: 本发明的目的是提供一种制作过程简单、成品率高而显示特性好的液晶显示器件。本发明的液晶显示器件包括一块衬底表面带有多条漏极引线、在矩阵阵列中与多条漏极引线交叉的多条栅极引线、位于每一个交点附近的多个薄膜晶体管以及与每一个薄膜晶体管连接的多个像素电极；与上述衬底相对而放的衬底和夹在上述两块衬底之间的液晶层，这些漏极引线和栅极引线的每个端部的结构为在金属薄膜上覆盖透明的导电薄膜。
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公开(公告)号：CN1075201C
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN96102587.5
申请日：1996-01-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/1345 , G02F1/1362 , G02F2001/13629
Abstract: 本发明的目的是提供一种制作过程简单、成品率高而显示特性好的液晶显示器件。本发明的液晶显示器件包括一块衬底表面带有多条漏极引线、在矩阵阵列中与多条漏极引线交叉的多条栅极引线、位于每一个交点附近的多个薄膜晶体管以及与每一个薄膜晶体管连接的多个像素电极；与上述衬底相对而放的衬底和夹在上述两块衬底之间的液晶层，这些漏极引线和栅极引线的每个端部的结构为在金属薄膜上覆盖透明的导电薄膜。
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