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公开(公告)号：CN104517819B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201410468894.7
申请日：2014-09-15
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/22
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/45542 , C23C16/52 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01J37/32862 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 在使用了缓冲空间的单片式装置中，也能够抑制缓冲空间的副产物发生。为解决上述课题，提供一种半导体器件的制造方法，具有：将衬底送入处理室的工序；通过喷头的缓冲室将含第一元素气体供给到载置在所述处理室内的衬底的含第一元素气体供给工序；通过所述缓冲室将含第二元素气体供给到所述衬底的含第二元素气体供给工序；和在所述含第一元素气体供给工序和含第二元素气体供给工序之间进行的排气工序，所述排气工序具有：对所述缓冲室内的环境气体进行排气的缓冲室排气工序；和在所述缓冲室排气工序之后对所述处理室内的环境气体进行排气的处理室排气工序。
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公开(公告)号：CN104517792A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410066971.6
申请日：2014-02-26
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/405 , C23C16/452 , C23C16/45542 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01L21/02186 , H01L21/02263 , H01L21/0228 , H01L21/67017
Abstract: 一种基板处理装置，向处理容器交替地供给第1处理气体和等离子化的第2处理气体来处理基板，该基板处理装置具有：供给上述第1处理气体的第1气体供给系统；供给上述第2处理气体的第2气体供给系统；配置在上述处理容器的上游且至少使上述第2处理气体等离子化的等离子体单元；和控制部，该控制部以交替地供给上述第1处理气体和上述第2处理气体的方式控制上述第1气体供给系统和上述第2气体供给系统，并且，以在开始供给上述第2处理气体之前执行上述第2处理气体的等离子化所需要的电力施加的方式控制上述等离子体单元。
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公开(公告)号：CN1886829A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480034610.8
申请日：2004-11-29
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/67309 , C23C16/4583 , H01L21/67109 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于消除因构成基板保持器的支柱和基板承载部等影响造成的基板上的膜厚不均匀部分，提高基板的膜厚均匀性。在基板处理装置中，将由舟(基板保持器)保持的多片晶片(基板)收纳在处理室内，将处理气体提供给已被加热的处理室，对晶片进行成膜处理。舟具有：大致垂直设置的至少3个支柱(15)；分多层地被设置在支柱上并按照规定间隔大致水平地承载多片晶片的多个晶片支承部(基板承载部)(16)；被设置在支柱(15)上并相对于被支承在晶片支承部(16)上的晶片而言按照规定间隔大致水平地设置的多个环状板(13)。
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公开(公告)号：CN104517792B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410066971.6
申请日：2014-02-26
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/405 , C23C16/452 , C23C16/45542 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01L21/02186 , H01L21/02263 , H01L21/0228 , H01L21/67017
Abstract: 一种基板处理装置，向处理容器交替地供给第1处理气体和等离子化的第2处理气体来处理基板，该基板处理装置具有：供给上述第1处理气体的第1气体供给系统；供给上述第2处理气体的第2气体供给系统；配置在上述处理容器的上游且至少使上述第2处理气体等离子化的等离子体单元；和控制部，该控制部以交替地供给上述第1处理气体和上述第2处理气体的方式控制上述第1气体供给系统和上述第2气体供给系统，并且，以在开始供给上述第2处理气体之前执行上述第2处理气体的等离子化所需要的电力施加的方式控制上述等离子体单元。
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公开(公告)号：CN105869979A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510461468.5
申请日：2015-07-30
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/4408 , C23C16/4409 , C23C16/45582 , C23C16/4585
Abstract: 衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法，抑制衬底的温度分布变得不均匀且处理均匀性下降。具有：处理衬底的处理室；衬底载置台，设置于处理室内，并载置衬底；加热衬底的加热部；气体整流部，向衬底供给处理气体；密封部，设置于气体整流部；隔热部，设置于密封部与气体整流部的上游侧表面之间；以及第一压力调整部，与隔热部连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105869979B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510461468.5
申请日：2015-07-30
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/4408 , C23C16/4409 , C23C16/45582 , C23C16/4585
Abstract: 衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法，抑制衬底的温度分布变得不均匀且处理均匀性下降。具有：处理衬底的处理室；衬底载置台，设置于处理室内，并载置衬底；加热衬底的加热部；气体整流部，向衬底供给处理气体；密封部，设置于气体整流部；隔热部，设置于密封部与气体整流部的上游侧表面之间；以及第一压力调整部，与隔热部连接。
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公开(公告)号：CN104517793B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201410466295.1
申请日：2014-09-12
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/345 , C23C16/4408 , C23C16/45523 , C23C16/45542 , C23C16/45557 , H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，能够使在衬底上形成的膜的特性提高，并且能够使生产能力提高。具有以下工序：向衬底供给原料气体的工序；向等离子体生成区域供给反应气体的工序；向上述等离子体生成区域供给高频电力的工序；以及使供给上述反应气体之前的上述等离子体生成区域内的压力为第一压力，并在供给有上述反应气体和上述高频电力的状态下，调整至比上述第一压力低的第二压力来生成上述反应气体的等离子体的工序。
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公开(公告)号：CN104517819A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410468894.7
申请日：2014-09-15
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/22
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/45542 , C23C16/52 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01J37/32862 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 在使用了缓冲空间的单片式装置中，也能够抑制缓冲空间的副产物发生。为解决上述课题，提供一种半导体器件的制造方法，具有：将衬底送入处理室的工序；通过喷头的缓冲室将含第一元素气体供给到载置在所述处理室内的衬底的含第一元素气体供给工序；通过所述缓冲室将含第二元素气体供给到所述衬底的含第二元素气体供给工序；和在所述含第一元素气体供给工序和含第二元素气体供给工序之间进行的排气工序，所述排气工序具有：对所述缓冲室内的环境气体进行排气的缓冲室排气工序；和在所述缓冲室排气工序之后对所述处理室内的环境气体进行排气的处理室排气工序。
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公开(公告)号：CN104517793A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410466295.1
申请日：2014-09-12
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/345 , C23C16/4408 , C23C16/45523 , C23C16/45542 , C23C16/45557 , H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，能够使在衬底上形成的膜的特性提高，并且能够使生产能力提高。具有以下工序：向衬底供给原料气体的工序；向等离子体生成区域供给反应气体的工序；向上述等离子体生成区域供给高频电力的工序；以及使供给上述反应气体之前的上述等离子体生成区域内的压力为第一压力，并在供给有上述反应气体和上述高频电力的状态下，调整至比上述第一压力低的第二压力来生成上述反应气体的等离子体的工序。
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公开(公告)号：CN100435312C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200480034610.8
申请日：2004-11-29
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/67309 , C23C16/4583 , H01L21/67109 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于消除因构成基板保持器的支柱和基板承载部等影响造成的基板上的膜厚不均匀部分，提高基板的膜厚均匀性。在基板处理装置中，将由舟(基板保持器)保持的多片晶片(基板)收纳在处理室内，将处理气体提供给已被加热的处理室，对晶片进行成膜处理。舟具有：大致垂直设置的至少3个支柱(15)；分多层地被设置在支柱上并按照规定间隔大致水平地承载多片晶片的多个晶片支承部(基板承载部)(16)；被设置在支柱(15)上并相对于被支承在晶片支承部(16)上的晶片而言按照规定间隔大致水平地设置的多个环状板(13)。
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