中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

17 records (took 0.027 seconds)

    基板处理装置及半导体装置的制造方法
    2.
    发明公开
    基板处理装置及半导体装置的制造方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN101010447A

    公开(公告)日：2007-08-01

    申请号：CN200580029573.6

    申请日：2005-10-14

    Applicant: 株式会社日立国际电气

    Inventor： 板谷秀治 ,  野内英博 ,  堀井贞义 ,  佐野敦

    IPC: C23C16/455

    CPC classification number: C23C16/4412

    Abstract: 一种基板处理装置，通过减小接触气体面积来抑制粒子的产生，通过减小流路容积提高净化效率。其具有用于对基板(2)进行处理的处理室(1)；被设置在处理室(1)侧面、将基板(2)相对于处理室(1)内搬入搬出的基板搬送口(10)；被可升降地设置在处理室(1)内、对基板(2)进行保持的保持机构；与保持机构相比被设置在上方，向处理室(1)内供给气体的供给口(3、4)；被设置在保持机构的周围、排出被供给到处理室内的气体的排气通道(35)；与在基板处理时的排气通道的上面相比被设置在下方，用于将由排气通道排出的气体向处理室外排出的排气口(5)，其中构成排气通道(35)的部件的至少一部分被构成为可以升降。

    基板处理装置和基板处理方法
    4.
    发明授权
    基板处理装置和基板处理方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN101673667B

    公开(公告)日：2011-11-02

    申请号：CN200910173141.2

    申请日：2009-09-11

    Applicant: 株式会社日立国际电气

    Inventor： 高桥哲 ,  野内英博 ,  坂田雅和

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677

    CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01L21/67703

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够同时实现高吞吐量化和省占地面积化这样相反的条件。本发明的基板处理装置具有输送室和处理基板的处理室，所述输送室具有将基板从该输送室向所述处理室输送的第1基板输送部件，所述处理室具有：与所述输送室邻接的、具有第1基板载置台的第1处理部；与所述第1处理部中的所述输送室一侧不同侧邻接的、具有第2基板载置台的第2处理部；在所述第1处理部和所述第2处理部之间输送基板的第2基板输送部件；至少控制所述第2基板输送部件的控制部。

    衬底处理装置以及半导体器件的制造方法
    5.
    发明公开
    衬底处理装置以及半导体器件的制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN1943019A

    公开(公告)日：2007-04-04

    申请号：CN200580011707.1

    申请日：2005-06-15

    Applicant: 株式会社日立国际电气

    Inventor： 板谷秀治 ,  堀井贞义 ,  野内英博

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

    CPC classification number: C23C16/45546 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/31691

    Abstract: 本发明的衬底处理装置既可以在成膜时使衬底上的压力为一定、又可以在净化时高效率地去除反应气体。衬底(8)在处理室(1)内通过基座(保持件)(3)被保持。衬底的周围设置有平板(2)。平板被基座(3)支承。气体供给口(19、20)设置在衬底的侧方、较平板(2)更位于上方，从平板的更上方的空间(34)对衬底供给气体。在平板的至少与衬底(8)相比的上游侧和下游侧设置排出口(11)，将气体向平板的更下方的空间(33)排出。将对处理室(1)进行排气的排气口(16)与排出口连通，在隔着衬底(8)与气体供给口(19、20)相反一侧、设置在平板(2)的下方。排出口(11)的传导构成为在气流的上游侧(11A)大于下游侧(11B)。

    衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
    6.
    发明公开
    衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 无效

    公开(公告)号：CN105981135A

    公开(公告)日：2016-09-28

    申请号：CN201580007784.3

    申请日：2015-03-25

    Applicant: 株式会社日立国际电气

    Inventor： 柳泽爱彦 ,  野内英博

    IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683 ,  C23C16/44

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/68742

    Abstract: 本发明提供一种结构，具有：处理室，其对至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底进行处理；升降机构，其使载置上述衬底的衬底载置部升降；第1气体供给系统，其将含卤族元素的处理气体向上述衬底供给；第2气体供给系统，其将非活性气体向上述衬底供给，其中非活性气体用于将上述处理气体向上述处理室外排出；排气部，其为了对上述处理气体及上述非活性气体进行排气而设在上述处理室的侧壁附近；和控制部，其以如下方式对上述升降机构、上述第1气体供给系统及上述第2气体供给系统进行控制：在调整了上述衬底载置部和上述排气部的高度的状态下，供给上述处理气体，在供给了上述处理气体后，将上述非活性气体从上述衬底的上部向上述衬底的中心部供给，使上述非活性气体在上述衬底的表面上从上述衬底的中心部呈放射状流动至上述衬底的端部，经由上述排气部被排出到上述处理室外。

    基板处理装置及基板处理方法
    9.
    发明公开
    基板处理装置及基板处理方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN101677059A

    公开(公告)日：2010-03-24

    申请号：CN200910173142.7

    申请日：2009-09-11

    Applicant: 株式会社日立国际电气

    Inventor： 野内英博 ,  坂田雅和 ,  高桥哲

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677

    CPC classification number: H01L21/67748 ,  H01L21/6719

    Abstract: 本发明的基板处理装置能够同时实现高吞吐量化和省占地面积化这样相反的条件，并能够确保晶片的保护层剥离均匀性。本发明的基板处理装置具有：对基板进行处理的处理室；内置在所述处理室中的基板载置台；能够在所述基板载置台的上方使基板临时待机的基板输送部件；以包围所述基板载置台的方式设置的排气孔；在连结所述排气孔和所述基板载置台的上端部的线、和所述基板载置台之间使所述基板输送部件退避的退避空间。

    基板处理装置和基板处理方法
    10.
    发明公开
    基板处理装置和基板处理方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN101673667A

    公开(公告)日：2010-03-17

    申请号：CN200910173141.2

    申请日：2009-09-11

    Applicant: 株式会社日立国际电气

    Inventor： 高桥哲 ,  野内英博 ,  坂田雅和

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677

    CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01L21/67703

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够同时实现高吞吐量化和省占地面积化这样相反的条件。本发明的基板处理装置具有输送室和处理基板的处理室，所述输送室具有将基板从该输送室向所述处理室输送的第1基板输送部件，所述处理室具有：与所述输送室邻接的、具有第1基板载置台的第1处理部；与所述第1处理部中的所述输送室一侧不同侧邻接的、具有第2基板载置台的第2处理部；在所述第1处理部和所述第2处理部之间输送基板的第2基板输送部件；至少控制所述第2基板输送部件的控制部。

Patent Agency Ranking