公开(公告)号：CN104425313B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201410139097.4

申请日：2014-03-31

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 野田孝晓 ,  岛本聪 ,  野原慎吾 ,  广濑义朗 ,  前田喜世彦

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32559 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234

Abstract: 制造半导体设备的方法，包括：通过执行预定次数的循环，在基材上形成含有硅、氧和碳的薄膜或含有硅、氧、碳和氮的薄膜，所述循环包括：将作为硅源和碳源的前体气体或作为硅源而非碳源的前体气体和第一催化气体供应给所述基材；将氧化气体和第二催化气体供应给所述基材；以及将含有选自碳和氮中至少一种的改性气体供应给所述基材。

公开(公告)号：CN104425313A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410139097.4

申请日：2014-03-31

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 野田孝晓 ,  岛本聪 ,  野原慎吾 ,  广濑义朗 ,  前田喜世彦

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32559 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234

Abstract: 制造半导体设备的方法，包括：通过执行预定次数的循环，在基材上形成含有硅、氧和碳的薄膜或含有硅、氧、碳和氮的薄膜，所述循环包括：将作为硅源和碳源的前体气体或作为硅源而非碳源的前体气体和第一催化气体供应给所述基材；将氧化气体和第二催化气体供应给所述基材；以及将含有选自碳和氮中至少一种的改性气体供应给所述基材。

公开(公告)号：CN105493248B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201380079276.7

申请日：2013-09-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 野田孝晓 ,  野原慎吾 ,  岛本聪 ,  芦原洋司 ,  花岛建夫 ,  广濑义朗 ,  镰仓司

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02318

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、衬底处理系统及记录介质。所述半导体器件的制造方法具有下述工序：将包括对衬底供给包含规定元素、碳及卤素且具有由规定元素和碳形成的化学键的原料气体的工序、对衬底供给氧化气体的工序、和对衬底供给催化剂气体的工序的循环进行规定次数，由此在衬底上形成包含规定元素、氧及碳的薄膜的工序；在比形成薄膜的工序中的衬底的温度高的第一温度下对薄膜进行热处理，由此从薄膜中除去第一杂质的工序；和在第一温度以上的第二温度下对薄膜进行热处理，由此从以第一温度进行了热处理后的薄膜中除去与第一杂质不同的第二杂质的工序。

公开(公告)号：CN105493248A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201380079276.7

申请日：2013-09-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 野田孝晓 ,  野原慎吾 ,  岛本聪 ,  芦原洋司 ,  花岛建夫 ,  广濑义朗 ,  镰仓司

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02318

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、衬底处理系统及记录介质。所述半导体器件的制造方法具有下述工序：将包括对衬底供给包含规定元素、碳及卤素且具有由规定元素和碳形成的化学键的原料气体的工序、对衬底供给氧化气体的工序、和对衬底供给催化剂气体的工序的循环进行规定次数，由此在衬底上形成包含规定元素、氧及碳的薄膜的工序；在比形成薄膜的工序中的衬底的温度高的第一温度下对薄膜进行热处理，由此从薄膜中除去第一杂质的工序；和在第一温度以上的第二温度下对薄膜进行热处理，由此从以第一温度进行了热处理后的薄膜中除去与第一杂质不同的第二杂质的工序。

公开(公告)号：CN104249070A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410139146.4

申请日：2014-03-31

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 野田孝晓 ,  野原慎吾 ,  广濑义朗

IPC: B08B7/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02049 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02126

Abstract: 用于在处理室中的基材上形成含碳膜后清洁处理室内部的方法，包括执行预定次数的循环。该循环包括供应改性气体到处理室中以改性沉积在处理室中的元件表面上的包括含碳膜的沉积物和供应蚀刻气体到处理室中以通过热化学反应除去改性的沉积物。

公开(公告)号：CN104249070B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201410139146.4

申请日：2014-03-31

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 野田孝晓 ,  野原慎吾 ,  广濑义朗

IPC: B08B7/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02049 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02126

Abstract: 用于在处理室中的基材上形成含碳膜后清洁处理室内部的方法，包括执行预定次数的循环。该循环包括供应改性气体到处理室中以改性沉积在处理室中的元件表面上的包括含碳膜的沉积物和供应蚀刻气体到处理室中以通过热化学反应除去改性的沉积物。