公开(公告)号：CN108475624A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079075.0

申请日：2016-02-29

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 中谷公彦 ,  镰仓司 ,  柄泽元 ,  原田和宏

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明具有至少在一定期间重合地进行下述工序从而在衬底上形成膜的工序：对衬底供给第一原料的工序，第一原料包含规定元素与氮的化学键或规定元素与碳的化学键、和规定元素与氢的化学键，并且不含氮与氢的化学键；和对衬底供给假催化剂的工序，假催化剂包含第13族元素、且不含氮与氢的化学键，在形成膜的工序中，不实施包含氮与氢的化学键的物质对所述衬底的供给。

公开(公告)号：CN105390378B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510416824.1

申请日：2015-07-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山本隆治 ,  镰仓司 ,  广濑义朗 ,  岛本聪

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02334 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67

Abstract: 一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制实施成膜处理后的处理室内产生颗粒，包括下述工序：将衬底搬入处理室内的工序；在处理室内，利用具有加热器的支承台支承衬底的工序；将支承着衬底的支承台配置于第一位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给处理气体、在衬底上形成膜的工序；将膜形成后的衬底从处理室内搬出的工序；将支承台配置于比第一位置更靠近处理室内的顶板部的第二位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给反应性气体的工序。

公开(公告)号：CN104183480B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201410139117.8

申请日：2014-03-31

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 岛本聪 ,  广濑义朗 ,  佐野敦 ,  镰仓司 ,  野田孝晓

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337

Abstract: 一种半导体设备制造方法，其包括通过执行预定次数的循环来在基材上形成含硅、氧、碳和指定的第III族或第V族元素的薄膜。所述循环包括：向基材供给含硅、碳和卤族元素并具有Si-C键的前体气体及第一催化气体；向基材供给氧化气体和第二催化气体；和向基材供给含指定的第III族或第V族元素的改性气体。

公开(公告)号：CN105374705A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510090136.0

申请日：2015-02-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 镰仓司

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。提供一种即使在利用排气缓冲室进行气体排气的情况下也能形成良好特性的膜的技术。衬底处理装置，包括：处理空间，对载置于衬底载置台的衬底载置面上的衬底进行处理；气体供给系统，从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体；排气缓冲室，其构成为至少具有连通孔和气流阻断壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸；以及第一加热部，设于所述气流阻断壁。

公开(公告)号：CN108122736A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711230835.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 花岛建夫 ,  佐佐木隆史 ,  平松宏朗 ,  镰仓司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质，能够控制在基板上形成的膜的面内膜厚分布。本发明的半导体装置的制造方法具有通过将不同时进行(a)工序和(b)工序的循环进行预定次数从而在基板上形成膜的工序，(a)工序为对于基板由第1喷嘴供应原料来形成第1层的工序，(b)工序为对于基板由与第1喷嘴不同的第2喷嘴供应反应体来形成第2层的工序，在(a)工序中，依次进行(a-1)在由第1喷嘴供应原料的状态下由第2喷嘴以比原料的流量小的第1流量来供应非活性气体的工序和(a-2)在由第1喷嘴供应原料的状态下由第2喷嘴以比原料的流量大的第2流量来供应非活性气体的工序。

公开(公告)号：CN105374705B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510090136.0

申请日：2015-02-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 镰仓司

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。提供一种即使在利用排气缓冲室进行气体排气的情况下也能形成良好特性的膜的技术。衬底处理装置，包括：处理空间，对载置于衬底载置台的衬底载置面上的衬底进行处理；气体供给系统，从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体；排气缓冲室，其构成为至少具有连通孔和气流阻断壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸；以及第一加热部，设于所述气流阻断壁。

公开(公告)号：CN105390378A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510416824.1

申请日：2015-07-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山本隆治 ,  镰仓司 ,  广濑义朗 ,  岛本聪

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02334 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67 ,  H01L21/22 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67207

Abstract: 一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制实施成膜处理后的处理室内产生颗粒，包括下述工序：将衬底搬入处理室内的工序；在处理室内，利用具有加热器的支承台支承衬底的工序；将支承着衬底的支承台配置于第一位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给处理气体、在衬底上形成膜的工序；将膜形成后的衬底从处理室内搬出的工序；将支承台配置于比第一位置更靠近处理室内的顶板部的第二位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给反应性气体的工序。

公开(公告)号：CN104952683A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410432212.7

申请日：2014-08-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 镰仓司 ,  龟田贤治

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，即使在利用排气缓冲室进行气体排气的情况下，也能够充分且良好地进行对于该排气缓冲室内的清洁处理。构成了一种衬底处理装置，其具有：处理空间，对载置在衬底载置面上的衬底进行处理；气体供给系统，从与衬底载置面相对的一侧向处理空间内供给气体；排气缓冲室，具有以包围处理空间的侧方外周的方式设置的空间，且以使被供给到处理空间内的气体流入空间内的方式构成；气体排气系统，对流入到排气缓冲室内的气体进行排气；清洁气体供给管，与构成排气缓冲室的空间连通且向排气缓冲室内供给清洁气体。

公开(公告)号：CN104183480A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410139117.8

申请日：2014-03-31

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 岛本聪 ,  广濑义朗 ,  佐野敦 ,  镰仓司 ,  野田孝晓

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337

Abstract: 一种半导体设备制造方法，其包括通过执行预定次数的循环来在基材上形成含硅、氧、碳和指定的第III族或第V族元素的薄膜。所述循环包括：向基材供给含硅、碳和卤族元素并具有Si-C键的前体气体及第一催化气体；向基材供给氧化气体和第二催化气体；和向基材供给含指定的第III族或第V族元素的改性气体。

公开(公告)号：CN105493248B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201380079276.7

申请日：2013-09-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 野田孝晓 ,  野原慎吾 ,  岛本聪 ,  芦原洋司 ,  花岛建夫 ,  广濑义朗 ,  镰仓司

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02318

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、衬底处理系统及记录介质。所述半导体器件的制造方法具有下述工序：将包括对衬底供给包含规定元素、碳及卤素且具有由规定元素和碳形成的化学键的原料气体的工序、对衬底供给氧化气体的工序、和对衬底供给催化剂气体的工序的循环进行规定次数，由此在衬底上形成包含规定元素、氧及碳的薄膜的工序；在比形成薄膜的工序中的衬底的温度高的第一温度下对薄膜进行热处理，由此从薄膜中除去第一杂质的工序；和在第一温度以上的第二温度下对薄膜进行热处理，由此从以第一温度进行了热处理后的薄膜中除去与第一杂质不同的第二杂质的工序。