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公开(公告)号：CN104183480A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410139117.8
申请日：2014-03-31
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/314 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02126 , C23C16/401 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02321 , H01L21/02337
Abstract: 一种半导体设备制造方法，其包括通过执行预定次数的循环来在基材上形成含硅、氧、碳和指定的第III族或第V族元素的薄膜。所述循环包括：向基材供给含硅、碳和卤族元素并具有Si-C键的前体气体及第一催化气体；向基材供给氧化气体和第二催化气体；和向基材供给含指定的第III族或第V族元素的改性气体。
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公开(公告)号：CN1762044A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007523.3
申请日：2004-03-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/50 , H01F19/08 , H01J37/32082 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置和器件的制造方法。该衬底处理装置能将远程等离子体和在整个处理室产生的等离子体的优点结合起来，实现良好的处理。该衬底处理装置具有：从外侧包围处理空间(1)地设置的、连接在地线上的导电性构件(10)和设置于上述导电性构件内侧的一对电极(4)。绝缘变压器(7)的初级线圈电连接在上述高频电源部(14)上，次级线圈电连接在上述电极(4)上。在连接次级线圈和电极(4)的连接线上连接有切换开关(13)。通过使用切换开关(13)切换连接线与地线的连接/非连接，能切换处理空间(1)中的等离子体产生区域。
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公开(公告)号：CN104249070B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410139146.4
申请日：2014-03-31
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/02049 , C23C16/4405 , H01L21/02126
Abstract: 用于在处理室中的基材上形成含碳膜后清洁处理室内部的方法，包括执行预定次数的循环。该循环包括供应改性气体到处理室中以改性沉积在处理室中的元件表面上的包括含碳膜的沉积物和供应蚀刻气体到处理室中以通过热化学反应除去改性的沉积物。
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公开(公告)号：CN102312213A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110196970.X
申请日：2011-07-08
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/04 , C23C16/24 , C23C16/22 , H01L21/205 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C16/24 , C23C16/4583 , H01L21/02381 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/67781
Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法和衬底处理装置，该方法包括：将第一衬底和第二衬底以第二衬底被布置成面对第一衬底的相对表面的状态运输输送到处理腔中，该第一衬底提供有拥有具有绝缘体区域和暴露在绝缘体区域之间的半导体区域的相对表面，该第二衬底提供有拥有朝向第一衬底的相对表面而暴露的绝缘体表面；以及通过对处理腔的内部进行加热和向处理腔中供应至少含硅气体和含氯气体，至少在第一衬底的相对表面的半导体区域上选择性地形成具有平整表面的含硅膜。
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公开(公告)号：CN105493248B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201380079276.7
申请日：2013-09-30
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/401 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02208 , H01L21/02211 , H01L21/02318
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、衬底处理系统及记录介质。所述半导体器件的制造方法具有下述工序：将包括对衬底供给包含规定元素、碳及卤素且具有由规定元素和碳形成的化学键的原料气体的工序、对衬底供给氧化气体的工序、和对衬底供给催化剂气体的工序的循环进行规定次数，由此在衬底上形成包含规定元素、氧及碳的薄膜的工序；在比形成薄膜的工序中的衬底的温度高的第一温度下对薄膜进行热处理，由此从薄膜中除去第一杂质的工序；和在第一温度以上的第二温度下对薄膜进行热处理，由此从以第一温度进行了热处理后的薄膜中除去与第一杂质不同的第二杂质的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105493248A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201380079276.7
申请日：2013-09-30
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/401 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02208 , H01L21/02211 , H01L21/02318
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、衬底处理系统及记录介质。所述半导体器件的制造方法具有下述工序：将包括对衬底供给包含规定元素、碳及卤素且具有由规定元素和碳形成的化学键的原料气体的工序、对衬底供给氧化气体的工序、和对衬底供给催化剂气体的工序的循环进行规定次数，由此在衬底上形成包含规定元素、氧及碳的薄膜的工序；在比形成薄膜的工序中的衬底的温度高的第一温度下对薄膜进行热处理，由此从薄膜中除去第一杂质的工序；和在第一温度以上的第二温度下对薄膜进行热处理，由此从以第一温度进行了热处理后的薄膜中除去与第一杂质不同的第二杂质的工序。
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公开(公告)号：CN104249070A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410139146.4
申请日：2014-03-31
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/02049 , C23C16/4405 , H01L21/02126
Abstract: 用于在处理室中的基材上形成含碳膜后清洁处理室内部的方法，包括执行预定次数的循环。该循环包括供应改性气体到处理室中以改性沉积在处理室中的元件表面上的包括含碳膜的沉积物和供应蚀刻气体到处理室中以通过热化学反应除去改性的沉积物。
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公开(公告)号：CN102312213B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201110196970.X
申请日：2011-07-08
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/04 , C23C16/24 , C23C16/22 , H01L21/205 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C16/24 , C23C16/4583 , H01L21/02381 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/67781
Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法和衬底处理装置，该方法包括：将第一衬底和第二衬底以第二衬底被布置成面对第一衬底的相对表面的状态运输输送到处理腔中，该第一衬底提供有拥有具有绝缘体区域和暴露在绝缘体区域之间的半导体区域的相对表面，该第二衬底提供有拥有朝向第一衬底的相对表面而暴露的绝缘体表面；以及通过对处理腔的内部进行加热和向处理腔中供应至少含硅气体和含氯气体，至少在第一衬底的相对表面的半导体区域上选择性地形成具有平整表面的含硅膜。
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公开(公告)号：CN104823268B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201380061435.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/316 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/0262 , C23C16/401 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/28506 , H01L21/28562 , H01L21/32051
Abstract: 包括通过进行规定次数的包括如下工序的循环而在衬底上形成膜的工序，所述循环包括如下工序：对处理室内的衬底供给原料气体；将残留于处理室内的原料气体排出；对处理室内的衬底供给反应气体；将残留于处理室内的反应气体排出，在供给原料气体的工序中，在实质上停止了处理室内的排气的状态下，向处理室内供给原料气体，其后，在实质上停止了处理室内的排气及原料气体的供给的状态下，向处理室内供给惰性气体。
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公开(公告)号：CN104183480B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410139117.8
申请日：2014-03-31
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/314 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02126 , C23C16/401 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02321 , H01L21/02337
Abstract: 一种半导体设备制造方法，其包括通过执行预定次数的循环来在基材上形成含硅、氧、碳和指定的第III族或第V族元素的薄膜。所述循环包括：向基材供给含硅、碳和卤族元素并具有Si-C键的前体气体及第一催化气体；向基材供给氧化气体和第二催化气体；和向基材供给含指定的第III族或第V族元素的改性气体。
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