公开(公告)号：CN107210218A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680006272.X

申请日：2016-01-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山崎惠信 ,  村田慧 ,  森田慎也

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/318

Abstract: 课题在于抑制炉口部周围的副产物的附着。具有：反应管，其在内部具有处理衬底的衬底处理区域；以及炉口部，其配置于反应管的下部，反应管具有：突出部，其向反应管的下方的外周侧突出；以及延伸部，其从反应管的下端向下方延伸，比与衬底处理区域对应的位置处的反应管的厚度形成得更厚，覆盖炉口部的内周面。

公开(公告)号：CN1701417A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200480000982.9

申请日：2004-02-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  谷山智志 ,  宇波博志 ,  前田喜世彦 ,  森田慎也 ,  高岛义和 ,  久门佐多雄

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4409 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/08

Abstract: 化学汽相淀积装置具有用于处理晶片(1)的反应炉(39)；用于气密地密封反应炉的密封罩(20)；密封罩(20)对面的隔离凸缘(42)；由密封罩(20)、隔离凸缘(42)和反应炉(39)壁表面形成的小室(43)；用于给小室(43)供给第一气体的供给管(19b)；小室(43)提供的流出通道(42a)，用于使第一气体流入反应炉(39)；和从流出通道(42a)下游向反应炉(39)供给第二气体的供给管(19a)。阻止诸如NH4Cl的副产品附着于诸如炉口的低温部分，并因此提高了半导体器件制造的合格率。

公开(公告)号：CN105981140B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201580008398.6

申请日：2015-02-16

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 高木康祐 ,  森田慎也 ,  赤江尚德 ,  山崎惠信

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67126

Abstract: 提供一种能够抑制副生成物的附着且能够抑制产生微粒的技术。具有：反应管，其处理衬底；炉口部，其设置在反应管的下端，在炉口部的上表面的内周面侧，遍及一周地形成有凹陷部和鼓出部，该鼓出部形成有将凹陷部与内周面连通的至少一个缺口；罩，其从炉口部的内周面隔开规定间隔地设置，并覆盖炉口部的至少所述内周面；和至少一个气体供给部，其向炉口部的凹陷部供给气体。

公开(公告)号：CN105981140A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580008398.6

申请日：2015-02-16

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 高木康祐 ,  森田慎也 ,  赤江尚德 ,  山崎惠信

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67126

Abstract: 提供一种能够抑制副生成物的附着且能够抑制产生微粒的技术。具有：反应管，其处理衬底；炉口部，其设置在反应管的下端，在炉口部的上表面的内周面侧，遍及一周地形成有凹陷部和鼓出部，该鼓出部形成有将凹陷部与内周面连通的至少一个缺口；罩，其从炉口部的内周面隔开规定间隔地设置，并覆盖炉口部的至少所述内周面；和至少一个气体供给部，其向炉口部的凹陷部供给气体。

公开(公告)号：CN1701417B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200480000982.9

申请日：2004-02-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  谷山智志 ,  宇波博志 ,  前田喜世彦 ,  森田慎也 ,  高岛义和 ,  久门佐多雄

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4409 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/08

Abstract: 化学汽相淀积装置具有用于处理晶片(1)的反应炉(39)；用于气密地密封反应炉的密封罩(20)；密封罩(20)对面的隔离凸缘(42)；由密封罩(20)、隔离凸缘(42)和反应炉(39)壁表面形成的小室(43)；用于给小室(43)供给第一气体的供给管(19b)；小室(43)提供的流出通道(42a)，用于使第一气体流入反应炉(39)；和从流出通道(42a)下游向反应炉(39)供给第二气体的供给管(19a)。阻止诸如NH4C1的副产品附着于诸如炉口的低温部分，并因此提高了半导体器件制造的合格率。

公开(公告)号：CN304380764S

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201730127927.6

申请日：2017-04-17

Applicant: 株式会社日立国际电气 ,  东邦化成株式会社

Designer： 村田慧 ,  森田慎也 ,  铃木正志

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：半导体制造装置用密封材料。
2．本外观设计产品的用途：本产品为一种密封材料，其用于密封半导体制造装置的基板处理空间内的气体，使弯曲半径较小的尖端侧与既定部件接触，可以将两个部件进行密封。
3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。

公开(公告)号：CN303933656S

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201630281380.0

申请日：2016-06-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 冈田裕巳 ,  森田慎也 ,  相泽聪 ,  南政克 ,  奥田和幸 ,  山田正行

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：石英样式晶圆。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于在半导体制造装置中，承载在对作为处理对象的半导体基板（晶圆）进行保持的基板保持具（又叫做晶圆保持具或船具）上，在进行成膜处理时使用的适配器。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：A部立体图。5．省略视图：左视图与右视图对称省略左视图，俯视图与仰视图对称省略俯视图。

公开(公告)号：CN303169595S

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201430294439.0

申请日：2014-08-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 山崎惠信 ,  森田慎也 ,  高木康祐

Abstract: 1.本外观设计产品的名称为衬底处理装置用进气部。2.本外观设计产品在用于处理晶片的衬底处理装置中，设置在反应管的下端，用于使反应气体流入到反应管的反应室内。3.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状，尤其在于C-C部放大图所示的产品的形状。4.指定主视图为最能表明设计要点的视图。

公开(公告)号：CN303384331S

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201530059752.0

申请日：2015-03-19

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 三宅正浩 ,  高岛义和 ,  森田慎也 ,  高木康祐 ,  寺崎昌人 ,  赤江尚德

Abstract: 1.本外观设计产品的名称为弹簧式分体喷嘴固定部件。2.本外观设计产品是用于将在处理衬底的衬底处理装置中使用的气体供给喷嘴固定的部件，通过俯仰视图所示的具有与气体供给喷嘴的管径大致相同的曲面部围绕气体供给喷嘴的规定部分，使主视图中左右侧设置的突起嵌合于气体供给喷嘴，由此固定气体供给喷嘴。3.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。4.指定立体图为最能表明设计要点的视图。

公开(公告)号：CN303169596S

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201430294440.3

申请日：2014-08-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 山崎惠信 ,  森田慎也 ,  高木康祐

Abstract: 1.本外观设计产品的名称为衬底处理装置用进气盖。2.本外观设计产品在用于处理晶片的衬底处理装置中，设置在进气部的内侧壁面上来使用，覆盖进气部的内侧壁面以抑制在进气部的金属部件上附着副产物。3.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。4.指定主视图为最能表明设计要点的视图。