离子束装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103733296B

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201280040502.6

    申请日:2012-05-28

    摘要: 在现有的气体离子化室中,存在为了避免辉光放电,只使气压下降,无法通过提高气体导入压力,增大离子电流之类的课题。本发明的目的在于通过提高气体导入压力,增大离子电流,并且防止由离子化引起的离子束散乱。通过从GND电位的结构体供给气体,不在气压更高的离子化气体的导入口附近施加高电压。另外,通过从构成加速集束透镜的透镜电极的透镜开口部进行差压排气,优先减少位于离子束通过的区域的离子化气体。

    带电粒子束装置及其真空排气方法

    公开(公告)号:CN107430972A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201580078052.3

    申请日:2015-04-15

    IPC分类号: H01J37/18 H01J37/16

    摘要: 本发明的带电粒子束装置在将试样室(18)设为高真空状态时,从涡轮分子泵的主吸气口(11)对带电粒子枪室(1)和所述试样室进行真空排气,在将所述试样室设为低真空状态时,通过主吸气口对所述带电粒子枪室进行真空排气,并且,通过涡轮分子泵的中间吸气口(13)对所述试样室进行真空排气。进行所述涡轮分子泵的背压排气的油回转泵(7)不对所述带电粒子枪室、所述试样室进行真空排气。由此,无论是高真空状态时以及低真空状态时均能够抑制装置内部的污染,因此可以防止观察试样的污染,并可以降低到达真空度的经年劣化。

    离子束装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103733296A

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201280040502.6

    申请日:2012-05-28

    摘要: 在现有的气体离子化室中,存在为了避免辉光放电,只使气压下降,无法通过提高气体导入压力,增大离子电流之类的课题。本发明的目的在于通过提高气体导入压力,增大离子电流,并且防止由离子化引起的离子束散乱。通过从GND电位的结构体供给气体,不在气压更高的离子化气体的导入口附近施加高电压。另外,通过从构成加速集束透镜的透镜电极的透镜开口部进行差压排气,优先减少位于离子束通过的区域的离子化气体。

    带电粒子束装置及其真空排气方法

    公开(公告)号:CN107430972B

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201580078052.3

    申请日:2015-04-15

    IPC分类号: H01J37/18 H01J37/16

    摘要: 本发明的带电粒子束装置在将试样室(18)设为高真空状态时,从涡轮分子泵的主吸气口(11)对带电粒子枪室(1)和所述试样室进行真空排气,在将所述试样室设为低真空状态时,通过主吸气口对所述带电粒子枪室进行真空排气,并且,通过涡轮分子泵的中间吸气口(13)对所述试样室进行真空排气。进行所述涡轮分子泵的背压排气的油回转泵(7)不对所述带电粒子枪室、所述试样室进行真空排气。由此,无论是高真空状态时以及低真空状态时均能够抑制装置内部的污染,因此可以防止观察试样的污染,并可以降低到达真空度的经年劣化。

    离子注入装置以及离子注入装置的控制方法

    公开(公告)号:CN104810231B

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201410808396.2

    申请日:2014-12-22

    IPC分类号: H01J37/317

    摘要: 本发明提供一种离子注入装置以及离子注入装置的控制方法,其课题在于提供一种保护电源以避免因负载电流的产生而产生的过电流的技术。在本发明的离子注入装置(10)中,切断机构在射束线的中途切断离子束(B)。等离子体淋浴装置(40)设置于比切断机构更靠射束线的下游侧。控制部(60)在等离子体淋浴装置(40)的点火开始期间,使切断机构切断离子束(B)。切断机构可以设置于比高电压电场式电极部更靠射束线的上游侧,所述高电压电场式电极部至少设置一个以上。气体供给机构可以向等离子体淋浴装置(40)供给源气体。控制部(60)可以在使切断机构切断离子束(B)之后,使气体供给机构开始供给源气体。