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公开(公告)号：CN111263831A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201980004189.2
申请日：2019-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 阴极装置(20)具备：旋转板(26)，其固定有磁路(27)；旋转机构(21)，其接受电机(21M)的动力，使旋转板(26)绕旋转轴(25)旋转；直线运动型并行连杆机构(22～24)，其具备将旋转轴(25)支承为能够旋转的末端执行器(24)、前端与末端执行器(24)连接且从末端执行器(24)以放射状延伸的六根连杆(23)、分别接受直线运动致动器(22M)的动力而使相邻的两根连杆(23)的基端沿着一方向移动的三个直线运动机构(22)；以及控制部(30)，其对旋转轴(25)基于各直线运动致动器(22M)的协调动作的位置变更以及旋转轴(25)基于电机(21M)动作的旋转进行控制。
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公开(公告)号：CN111263831B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980004189.2
申请日：2019-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 阴极装置(20)具备：旋转板(26)，其固定有磁路(27)；旋转机构(21)，其接受电机(21M)的动力，使旋转板(26)绕旋转轴(25)旋转；直线运动型并行连杆机构(22～24)，其具备将旋转轴(25)支承为能够旋转的末端执行器(24)、前端与末端执行器(24)连接且从末端执行器(24)以放射状延伸的六根连杆(23)、分别接受直线运动致动器(22M)的动力而使相邻的两根连杆(23)的基端沿着一方向移动的三个直线运动机构(22)；以及控制部(30)，其对旋转轴(25)基于各直线运动致动器(22M)的协调动作的位置变更以及旋转轴(25)基于电机(21M)动作的旋转进行控制。
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公开(公告)号：CN111094618A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880057316.0
申请日：2018-06-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C23C14/35 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种可在基板表面上所形成的孔和沟道的内部具有良好对称性地且覆盖性良好地形成规定薄膜的溅射装置。本发明的溅射装置，其包括配置有靶的真空室，使圆形基板旋转规定转数，并进行溅射在基板表面形成薄膜，所述溅射装置具有：台架，其以基板中心距离靶中心在径向的一个方向上偏移规定间隔的状态旋转自如地保持该基板；以及挡板，其设置在靶和台架上的基板之间并覆盖该基板；挡板上形成开口部，其允许从靶飞散的溅射粒子通过到达基板侧，开口部具有的轮廓是：以基板中心区域为起点，从该起点开始朝着径向外方向使开口部的开口面积逐渐增加，开口面积的增加量根据靶和基板之间的距离来设置。
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公开(公告)号：CN113227446B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201980086846.2
申请日：2019-09-12
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 中野贤明
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种不损害在形成于被处理基板表面上的孔和沟槽的底面和侧面上以良好的覆盖性和对称性形成规定的薄膜这一功能并可提高靶的利用效率的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有配置了靶(21)的真空室(1)，在真空室内形成等离子体气氛对靶进行溅射，使从靶飞散的溅射粒子附着、堆积在真空室内配置的被处理基板(Sw)表面上从而形成规定的薄膜，在从靶飞散的溅射粒子所附着的真空室内的规定位置上设置附着体(61)，所述附着体的至少溅射粒子的附着面(61a)设置为采用与靶同种类的材料制成，在附着体上连接偏置电源(62)，所述偏置电源在形成等离子体气氛时施加带负电位的偏置电压。
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公开(公告)号：CN107924833B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201680044815.7
申请日：2016-07-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/768
Abstract: 基板处理装置(10)具备：收容基板(S)的收容部(11)；供给等离子生成用气体的气体供给部(13)；以及由等离子生成用气体生成等离子，并供给等离子至收容部(11)的等离子供给部(12)。等离子生成用气体包含氮原子及氧原子的至少一方。气体供给部(13)将等离子生成用气体供给至等离子供给部(12)，使添加气体的流量与氢气的流量之比为1/500以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111094618B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201880057316.0
申请日：2018-06-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C23C14/35 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种可在基板表面上所形成的孔和沟道的内部具有良好对称性地且覆盖性良好地形成规定薄膜的溅射装置。本发明的溅射装置，其包括配置有靶的真空室，使圆形基板旋转规定转数，并进行溅射在基板表面形成薄膜，所述溅射装置具有：台架，其以基板中心距离靶中心在径向的一个方向上偏移规定间隔的状态旋转自如地保持该基板；以及挡板，其设置在靶和台架上的基板之间并覆盖该基板；挡板上形成开口部，其允许从靶飞散的溅射粒子通过到达基板侧，开口部具有的轮廓是：以基板中心区域为起点，从该起点开始朝着径向外方向使开口部的开口面积逐渐增加，开口面积的增加量根据靶和基板之间的距离来设置。
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公开(公告)号：CN113227446A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980086846.2
申请日：2019-09-12
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 中野贤明
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种不损害在形成于被处理基板表面上的孔和沟槽的底面和侧面上以良好的覆盖性和对称性形成规定的薄膜这一功能并可提高靶的利用效率的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有配置了靶(21)的真空室(1)，在真空室内形成等离子体气氛对靶进行溅射，使从靶飞散的溅射粒子附着、堆积在真空室内配置的被处理基板(Sw)表面上从而形成规定的薄膜，在从靶飞散的溅射粒子所附着的真空室内的规定位置上设置附着体(61)，所述附着体的至少溅射粒子的附着面(61a)设置为采用与靶同种类的材料制成，在附着体上连接偏置电源(62)，所述偏置电源在形成等离子体气氛时施加带负电位的偏置电压。
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公开(公告)号：CN108474107B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201780005953.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C23C14/06 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明的内部应力控制膜的形成方法，通过溅射法在被处理体的一面形成内部应力控制膜，形成所述内部应力控制膜时的工艺气体的压力从比5Pa的阈值高的压力区域中选择，并且，形成对所述被处理体施加偏压时的被处理体的应力与不施加偏压时的应力相比为在拉伸侧大的应力，具有高的密度的内部应力控制膜。
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公开(公告)号：CN108474107A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780005953.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C23C14/06 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明的内部应力控制膜的形成方法，通过溅射法在被处理体的一面形成内部应力控制膜，形成所述内部应力控制膜时的工艺气体的压力从比5Pa的阈值高的压力区域中选择，并且，形成对所述被处理体施加偏压时的被处理体的应力与不施加偏压时的应力相比为在拉伸侧大的应力，具有高的密度的内部应力控制膜。
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公开(公告)号：CN107924833A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680044815.7
申请日：2016-07-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J2237/3341 , H01L21/304 , H01L21/68714 , H01L21/768
Abstract: 基板处理装置(10)具备：收容基板(S)的收容部(11)；供给等离子生成用气体的气体供给部(13)；以及由等离子生成用气体生成等离子，并供给等离子至收容部(11)的等离子供给部(12)。等离子生成用气体包含氮原子及氧原子的至少一方。气体供给部(13)将等离子生成用气体供给至等离子供给部(12)，使添加气体的流量与氢气的流量之比为1/500以上。
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