公开(公告)号：CN107924833A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680044815.7

申请日：2016-07-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 园田和广 ,  小风丰 ,  深谷亮介 ,  中野贤明

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/768

Abstract: 基板处理装置(10)具备：收容基板(S)的收容部(11)；供给等离子生成用气体的气体供给部(13)；以及由等离子生成用气体生成等离子，并供给等离子至收容部(11)的等离子供给部(12)。等离子生成用气体包含氮原子及氧原子的至少一方。气体供给部(13)将等离子生成用气体供给至等离子供给部(12)，使添加气体的流量与氢气的流量之比为1/500以上。

公开(公告)号：CN107924833B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201680044815.7

申请日：2016-07-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 园田和广 ,  小风丰 ,  深谷亮介 ,  中野贤明

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768

Abstract: 基板处理装置(10)具备：收容基板(S)的收容部(11)；供给等离子生成用气体的气体供给部(13)；以及由等离子生成用气体生成等离子，并供给等离子至收容部(11)的等离子供给部(12)。等离子生成用气体包含氮原子及氧原子的至少一方。气体供给部(13)将等离子生成用气体供给至等离子供给部(12)，使添加气体的流量与氢气的流量之比为1/500以上。

公开(公告)号：CN107408504A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680001052.8

申请日：2016-02-24

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 浅川庆一郎 ,  滨口纯一 ,  园田和广 ,  沼田幸展 ,  小风丰

IPC: H01L21/3065 ,  C23C14/00 ,  C23C14/58 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46

Abstract: 提供一种可通过防止负电荷在蚀刻处理时在基板边缘部集中而在高纵横比的孔内面良好涂覆地形成薄膜的成膜装置。一种成膜装置(SM)，具有：配置了靶(21)的真空室(1)；在真空室内保持基板(W)的台架(4)；向靶施加规定电力的第一电源(E1)；以及向台架施加交流电力的第二电源(E2)；进行通过第一电源向靶施加电力对靶进行溅射的成膜处理；以及通过第二电源向台架施加交流电力并蚀刻在基板上形成的薄膜的蚀刻处理，基板的周围配置防护板(7c)，以台架上保持的基板的成膜面侧为上，具有在防护板上邻近基板的部分(71)与基板上面位于同一平面上的成膜位置和防护板的该部分位于基板上面的上方的蚀刻位置之间上下移动屏蔽件的驱动装置(8)。

公开(公告)号：CN117637426A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311084418.0

申请日：2023-08-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 园田和广 ,  森大介 ,  冈田雅司

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 提供基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法，能抑制还原不足。基板处理装置使在表面包括金属层的基板(S)的表面还原，具备：腔主体(42)；加热板(22)，收纳于腔主体(42)，在加热板(22)载置基板(S)；等离子体生成部(43)，向腔主体(42)供给氢气的等离子体；以及控制部，执行脱气处理和还原处理，在脱气处理中，通过在等离子体生成部(43)驱动前驱动加热板(22)，从而从表面除去吸附物，在还原处理中，通过在加热板(22)驱动后驱动等离子体生成部(43)，从而向脱气处理后的表面供给等离子体。

公开(公告)号：CN107408504B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201680001052.8

申请日：2016-02-24

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 浅川庆一郎 ,  滨口纯一 ,  园田和广 ,  沼田幸展 ,  小风丰

IPC: H01L21/3065 ,  C23C14/00 ,  C23C14/58 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46

Abstract: 提供一种可通过防止负电荷在蚀刻处理时在基板边缘部集中而在高纵横比的孔内面良好涂覆地形成薄膜的成膜装置。一种成膜装置(SM)，具有：配置了靶(21)的真空室(1)；在真空室内保持基板(W)的台架(4)；向靶施加规定电力的第一电源(E1)；以及向台架施加交流电力的第二电源(E2)；进行通过第一电源向靶施加电力对靶进行溅射的成膜处理；以及通过第二电源向台架施加交流电力并蚀刻在基板上形成的薄膜的蚀刻处理，基板的周围配置防护板(7c)，以台架上保持的基板的成膜面侧为上，具有在防护板上邻近基板的部分(71)与基板上面位于同一平面上的成膜位置和防护板的该部分位于基板上面的上方的蚀刻位置之间上下移动屏蔽件的驱动装置(8)。