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公开(公告)号：CN106715749A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580047418.0
申请日：2015-07-15
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/081 , C23C14/082 , C23C14/352 , C23C14/50 , C23C14/566 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J37/3447 , H01J37/345 , H01J37/3473 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种能够以良好的薄膜厚度分布均匀性形成结晶性进一步提高的绝缘材料膜的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有在设置了绝缘材料靶(4)的真空室(1)内保持待处理基板(W)与该绝缘材料靶相对的台架(2)，设置有旋转驱动台架的驱动装置(3)，向绝缘材料靶施加高频电力的溅射电源(E1)，以及向真空室内导入稀有气体的气体导入装置(13，14)，在该溅射装置(SM)中，基板与绝缘材料靶的溅射面之间的间隔(d3)设置在40mm～150mm的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102265390B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN200980151941.2
申请日：2009-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/68757
Abstract: 提供一种静电卡盘用卡板的制造方法，具有从开始使用时使作为待处理基板的晶片W不易发生脱离不良的高生产效率。是覆盖具有电极(3a、3b)的卡盘主体(1)的表面的、用在静电卡盘(ES)上的由介电体制成的卡板(2)的制造方法，包括：将原料粉末压缩成指定形状后，烧结得到烧结体的工序；通过研磨加工，将烧结体中与应吸附基板接触的表面加工到指定的表面粗糙度及平坦度的工序；选择性地仅去除伴随研磨加工产生的准备脱出的粒子的喷砂处理的工序。
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公开(公告)号：CN114729443A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080082895.1
申请日：2020-07-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C23C14/06 , H01L21/31 , H01L21/318 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，当通过靶的溅射形成电介质膜时，该方法可不损害有效抑制诱发异常放电这一功能地尽量减少刚成膜后的被处理基板表面上附着的粒子的数量。在真空室(1)内对靶(2)进行溅射并在被处理基板(Sw)的表面上形成电介质膜的本发明的成膜方法，其在靶的溅射时，对靶以脉冲状施加负电位，将脉冲状施加负电位时的频率设置在100kHz以上150kHz以下的范围内，将负电位的施加时间(Ton)设置在长于5μsec且短于8μsec的范围内。
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公开(公告)号：CN106715749B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201580047418.0
申请日：2015-07-15
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种能够以良好的薄膜厚度分布均匀性形成结晶性进一步提高的绝缘材料膜的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有在设置了绝缘材料靶(4)的真空室(1)内保持待处理基板(W)与该绝缘材料靶相对的台架(2)，设置有旋转驱动台架的驱动装置(3)，向绝缘材料靶施加高频电力的溅射电源(E1)，以及向真空室内导入稀有气体的气体导入装置(13，14)，在该溅射装置(SM)中，基板与绝缘材料靶的溅射面之间的间隔(d3)设置在40mm～150mm的范围内。
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公开(公告)号：CN105408515A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201580001472.1
申请日：2015-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3417 , C23C14/082 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/345
Abstract: 本发明提供一种绝缘体靶，在组装到溅射装置上并向其施加交流电时其可防止在屏蔽件和靶之间的间隙处发生放电。本发明的在溅射装置中使用的绝缘体靶(2)在组装到溅射装置SM上时，在绝缘体靶(2)周围配置有屏蔽件(5)，绝缘体靶(2)具有板状的靶材(21)，其被屏蔽件环绕；以及环状的支撑件(22)，以靶材的一面为进行溅射的溅射面(2a)，该支撑件(22)具有与靶材的另一面的外周边部相连接，从靶材的周面向外伸出并距离屏蔽件规定间隔的延伸部(22a)，在向绝缘体靶施加交流电对溅射面进行溅射时，该支撑件的阻抗大于等于靶材的阻抗。
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公开(公告)号：CN102265390A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980151941.2
申请日：2009-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/68757
Abstract: 提供一种静电卡盘用卡板的制造方法，具有从开始使用时使作为待处理基板的晶片W不易发生脱离不良的高生产效率。是覆盖具有电极(3a、3b)的卡盘主体(1)的表面的、用在静电卡盘(ES)上的由介电体制成的卡板(2)的制造方法，包括：将原料粉末压缩成指定形状后，烧结得到烧结体的工序；通过研磨加工，将烧结体中与应吸附基板接触的表面加工到指定的表面粗糙度及平坦度的工序；选择性地仅去除伴随研磨加工产生的准备脱出的粒子的喷砂处理的工序。
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