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    磁控管溅射装置用磁铁单元
    1.
    发明授权
    磁控管溅射装置用磁铁单元 有权

    公开(公告)号：CN112739848B

    公开(公告)日：2023-03-24

    申请号：CN201980062242.4

    申请日：2019-07-23

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 藤井佳词 ,  中村真也

    IPC: C23C14/35

    Abstract: 本发明提供一种在基板上形成规定的薄膜时，可在其整个面上得到更为均匀的薄膜厚度分布的磁控管溅射装置用磁铁单元。以靶(3)受溅射的溅射面侧为下，配置在靶上方的磁控管溅射装置用磁铁单元(4)具有：磁轭(41)，其与靶相对配置，由磁性材料制成；以及多个磁铁(42)，其设置在磁轭的下表面上；在位于靶中心和其周边缘部之间的靶的下方空间中局部作用漏磁场，所述漏磁场中通过磁场的垂直分量为零的位置的线两端相连状闭合，所述磁铁单元绕靶中心被旋转驱动，在磁轭的规定位置上形成有凹槽(41a)，其在以靶中心为中心的虚拟圆周上沿周向延伸，且从磁轭的上表面向下方凹陷或贯通，设置可相对于该凹槽自由嵌合脱离的辅助磁轭(44)。

    成膜方法和溅射装置
    2.
    发明授权
    成膜方法和溅射装置 有权

    公开(公告)号：CN109154076B

    公开(公告)日：2020-10-02

    申请号：CN201780002880.8

    申请日：2017-04-04

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 中村真也 ,  逸见充则 ,  藤井佳词

    IPC: C23C14/35

    Abstract: 本发明提供一种即使在对多块待处理基板进行连续成膜时也能尽量减小薄膜厚度的变化量的成膜方法和溅射装置。在真空室(1)内配置待处理基板(W)和靶(31)，向真空室内导入溅射气体，向靶施加电力并溅射靶，从而在待处理基板表面成膜的本发明的成膜方法，以靶受到溅射的面为溅射面(31a)，以溅射面侧为下，通过设置在靶上方的磁铁单元(4)使漏磁场局部作用在溅射面的下方，在溅射成膜过程中，使磁铁单元旋转，以使溅射面上的漏磁场的作用区域连续变化，所述成膜方法包含根据施加在靶上的累计电量将磁铁单元的旋转方向交替切换为正方向和反方向的工序。

    靶组件
    3.
    发明授权
    靶组件 有权

    公开(公告)号：CN106574362B

    公开(公告)日：2019-06-11

    申请号：CN201580042283.9

    申请日：2015-06-18

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 中村真也 ,  池田佳广 ,  藤井佳词 ,  宫口有典

    IPC: C23C14/34

    CPC classification number: H01J37/3435 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3497

    Abstract: 本发明提供一种靶组件，其可抑制背板的延伸部分和靶侧面之间发生异常放电，同时可靠地防止结合靶和背板的粘接材料向外部渗出。背板(22)具有比靶(21)的外周边更向外延伸的延伸部分(22a)。环状的屏蔽板(4)与延伸部分相对配置，以便在将靶组件(2)安装在溅射装置(SM)上时围住靶。以背板上结合有靶的部分作为接合部分(22b)，该接合部分相对于延伸部分凸出设置。使从延伸部分到接合部分的侧面的外表面都粗糙化。从延伸部分到靶的侧面都形成绝缘材料膜(23)。

    成膜装置以及成膜方法
    6.
    发明公开
    成膜装置以及成膜方法 有权

    公开(公告)号：CN102770578A

    公开(公告)日：2012-11-07

    申请号：CN201180011047.2

    申请日：2011-06-30

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 藤井佳词 ,  中村真也

    IPC: C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/285

    CPC classification number: C23C14/505 ,  C23C14/3464

    Abstract: 本申请提供了一种成膜装置，包括：腔室，在内部配置基板；靶，配置于腔室内，且包含用于形成覆膜的材料；基板支撑台，配置于腔室的内部；驱动单元，用于使基板支撑台旋转；溅射阴极，用于使溅射粒子从倾斜方向向基板入射；以及控制装置，用于规定旋转周期以使形成所希望膜厚的覆膜所需要的溅射成膜时间为基板支撑台的旋转周期的整数倍，并对驱动单元进行控制。

    溅射装置
    7.
    发明公开
    溅射装置 有权

    公开(公告)号：CN108977780A

    公开(公告)日：2018-12-11

    申请号：CN201810529504.0

    申请日：2018-05-29

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 藤井佳词 ,  中村真也

    IPC: C23C14/35

    CPC classification number: C23C14/35

    Abstract: 本发明提供一种溅射装置，其能以均匀性更好的基板面内薄膜厚度分布形成规定的薄膜。所述溅射装置(SM)具有：筒状的真空室(1)，设置有溅射用的靶(2)；台架(4)，设置在真空室内与靶相对的位置上并可设置成膜对象物；以及挡板(5)，设置为距离真空室的内壁面(1a)留有间隙并围绕靶和台架之间的成膜空间，在真空室内设置排气空间部(11)，该排气空间部向与连接靶和台架的延长线(Cl)正交的方向局部突出，用真空泵(Vp)经由开设在排气空间部上的排气口(11a)对包括成膜空间(1b)的真空室内进行真空排气，设置盖板(7)，该盖板留出间隙地覆盖与排气空间部的排放气体流入口(11b)相对的挡板的外表面部分。

    靶组件
    8.
    发明公开
    靶组件 有权

    公开(公告)号：CN107002229A

    公开(公告)日：2017-08-01

    申请号：CN201580065926.1

    申请日：2015-06-16

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 中村真也 ,  池田佳广 ,  宫口有典 ,  桥本一义 ,  堤贤吾 ,  藤井佳词

    IPC: C23C14/34 ,  H01L21/31

    CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/081 ,  H01J37/3491

    Abstract: 本发明提供一种靶组件，其可抑制背板的延伸部分和靶侧面之间发生异常放电，同时能可靠地防止接合靶和背板的粘接材料向外部渗出，并且背板很容易再利用。具有绝缘材料靶(21)和通过粘接材料接合在该靶的一面上的背板(22)，且背板具有比靶的外周边更向外延伸的延伸部分(22a)的本发明的靶组件(2)，其特征在于：还具有与靶侧面之间留出规定的间隙而围绕在靶周围，覆盖延伸部分的靶侧的面并在背板上装卸自如的环形绝缘板(23)。

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