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    薄膜晶体管
    1.
    发明授权
    薄膜晶体管 失效

    公开(公告)号：CN101567392B

    公开(公告)日：2011-07-20

    申请号：CN200910141769.4

    申请日：2005-04-25

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 若松贞次 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  仓田敬臣 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

    IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L29/04

    CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

    Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板(9)上含有源区(17)、沟道区(18)、漏区(19)的有源层(11)，栅电极层(16)，以及在有源层(11)和栅电极层(16)之间所形成的栅绝缘层(15)的薄膜晶体管，栅绝缘层(15)由在有源层(11)一侧形成的第1氧化硅膜(12)、在栅电极层(16)一侧形成的第2氧化硅膜(14)，和在第1氧化硅膜(12)与第2氧化硅膜(14)之间形成的氮化硅膜(13)而形成。

    树脂基底
    2.
    发明公开
    树脂基底 无效

    公开(公告)号：CN101687389A

    公开(公告)日：2010-03-31

    申请号：CN200880022450.3

    申请日：2008-06-27

    Applicant: 株式会社爱发科 ,  宇部兴宇株式会社

    Inventor： 藤长彻志 ,  高木牧子 ,  桥本征典 ,  浅利伸 ,  大山隆治

    IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42

    CPC classification number: C23C16/345 ,  Y10T428/269

    Abstract: 本发明的树脂基底具有树脂层和形成在所述树脂层的表面上的表面层，其中所述表面层是包含作为主要组分的氮化硅并且是通过化学气相沉积法而沉积的层，并且在所述树脂层和所述表面层之间的界面上，其上百分比从80％改变为20％的界面区域具有不大于25nm的厚度，其中在所述表面层中的最大氮浓度和在树脂层中的稳态氮浓度之间的差被当作100％。表面层的平均表面粗糙度(Ra)为不大于1nm。树脂基底具有水蒸汽阻隔和表面平坦性的性质。

    薄膜晶体管制造方法以及薄膜晶体管
    3.
    发明授权
    薄膜晶体管制造方法以及薄膜晶体管 失效

    公开(公告)号：CN101939829B

    公开(公告)日：2013-03-27

    申请号：CN200880122799.4

    申请日：2008-12-12

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 森村太郎 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  中村久三

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种非晶硅型薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，以防止元件间的晶体管特性产生偏差，提高载流子迁移率，从而提高生产性。为达到上述目的，本发明的薄膜晶体管的制造方法以源极膜(71)与漏极膜(72)为掩膜用固体绿激光照射非晶硅膜(4)的信道部(41)，从而提高迁移率。因受到固体绿激光的照射，非晶硅膜的信道部被结晶化，所以，与现有技术使用准分子激光的方法相比，可使激光的振荡特性比较稳定。从而可用相同的输出功率对大型基板在其基板平面内进行激光照射，能够防止元件间的信道部的结晶度产生偏差。而且，还可延长激光振荡器的维修周期，从而可在降低装置的停机时间成本的同时提高生产性。

    薄膜晶体管制造方法以及薄膜晶体管
    4.
    发明公开
    薄膜晶体管制造方法以及薄膜晶体管 失效

    公开(公告)号：CN101939829A

    公开(公告)日：2011-01-05

    申请号：CN200880122799.4

    申请日：2008-12-12

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 森村太郎 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  中村久三

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种非晶硅型薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，以防止元件间的晶体管特性产生偏差，提高载流子迁移率，从而提高生产性。为达到上述目的，本发明的薄膜晶体管的制造方法以源极膜(71)与漏极膜(72)为掩膜用固体绿激光照射非晶硅膜(4)的信道部(41)，从而提高迁移率。因受到固体绿激光的照射，非晶硅膜的信道部被结晶化，所以，与现有技术使用准分子激光的方法相比，可使激光的振荡特性比较稳定。从而可用相同的输出功率对大型基板在其基板平面内进行激光照射，能够防止元件间的信道部的结晶度产生偏差。而且，还可延长激光振荡器的维修周期，从而可在降低装置的停机时间成本的同时提高生产性。

    薄膜晶体管及其制造方法
    8.
    发明授权
    薄膜晶体管及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100550426C

    公开(公告)日：2009-10-14

    申请号：CN200580000956.0

    申请日：2005-04-25

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 若松贞次 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  仓田敬臣 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

    Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板9上含有源区17、沟道区18、漏区19的有源层11，栅电极层16，以及在有源层11和栅电极层16之间所形成的栅绝缘层15的薄膜晶体管，栅绝缘层15由在有源层11一侧形成的第1氧化硅膜12、在栅电极层16一侧形成的第2氧化硅膜14，和在第1氧化硅膜12与第2氧化硅膜14之间形成的氮化硅膜13而形成。

    催化剂辅助化学气相生长装置
    9.
    发明授权
    催化剂辅助化学气相生长装置 有权

    公开(公告)号：CN102245803B

    公开(公告)日：2014-01-08

    申请号：CN200880132278.7

    申请日：2008-12-09

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 大园修司 ,  桥本征典 ,  浅利伸

    IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

    CPC classification number: C23C18/02 ,  C23C8/08 ,  C23C16/06 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/46

    Abstract: 本发明提供一种有助于延长丝状催化剂使用寿命的催化剂辅助化学气相生长装置。对催化剂辅助化学气相生长装置(1)，在钽丝表面形成其硼化物层而制成丝状催化剂(6)，由于金属钽的硼化物(硼化钽)硬度比金属钽的高，所以将表面形成有其硼化物层的钽丝用作丝状催化剂时，可降低丝状催化剂的受热伸长量，从而提高其机械强度，进而有助于延长其使用寿命。另外，因通过连续通电而对丝状催化剂(6)进行通电加热，因而更有助于延长丝状催化剂(6)的使用寿命。

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